- •1. Что такое фотон?
- •2. Что такое фотоэффект?
- •3. Уравнение Эйнштейна для фотоэффекта
- •4. Что такое красная граница фотоэффекта?
- •5. Что такое эффект Комптона?
- •17. Второе начало термодинамики. Статистическая и термодинамическая формулировки
- •3. Хим.Потенциал и его зависимость от температуры в металлах
- •4. Что такое энергия Ферми и ее физ.Смысл для электронов проводимости в металлах?
- •5. Теорема Блоха
- •6. Что такое эффективная масса?
- •7. Что такое дырка?
- •8. Что такое собственные полупроводники. Схема заполнения эн. Уровней
- •14. Явления сверхпроводимости и высокотемпературной сверхпроводимости
- •15. Температурная зависимость проводимости полупроводников
- •16. Обзорный график зависимости проводимости от t для мет. И п/п
- •17. Что такое внутренняя и внешняя контактная разность потенциалов?
- •18. В чем заключаются явления Зеебека и Пельтье?
- •19. Вольтамперная характеристика р-n перехода
- •24. Основные радиационные процессы в лазерах
- •25. Основные условия лазерной генерации
- •26. Что такое инверсная населенность? Способы создания инверсной населенности
- •27. Как осуществляется обратная связь в лазерах?
- •28. Принцип действия полупроводникового инжекционного лазера
- •29. Что такое внутренний фотоэффект?
- •30. Зависимость теплоемкости кристаллов от температуры
- •31. Что такое фононный газ?
24. Основные радиационные процессы в лазерах
а). Спонтанное излучение — самопроизвольный переход электрона из возбуждённого состояния в менее возбуждённые с испусканием фотона.
б). Вынужденное поглощение — переход электрона в возбуждённое состояние при поглощении фотона.
в). Вынужденное излучение — при поглощении фотона электрон в основное состояние и испускает два идентичных фотона.
Вынужденное поглощение и вынужденное излучение — взаимообратные процессы.
25. Основные условия лазерной генерации
а). Инверсная населённость — число атомов в возбуждённом состоянии больше числа атомов в основном состоянии вынужденное излучение более вероятностно.
б). Положительная обратная связь — осуществляется с помощью зеркал, между которыми помещается активное вещество.
26. Что такое инверсная населенность? Способы создания инверсной населенности
Инверсная заселённость — это условие лазерной генерации, при котором число атомов в возбуждённом состоянии больше числа атомов в основном состоянии вынужденное излучение более вероятностно.
При прохождении инвертированной среды, на выходе получается излучение, полностью идентичное первому ("затравочному") фотону. У всех фотонов будет одинаковая частота, направление, фаза выскокогерентное излучение.
Способы создания: трехуровневая система (одна из первых, рубиновый лазер) - рубин освещали очень мощным светом.
27. Как осуществляется обратная связь в лазерах?
Обратная связь лазеров осуществляется с помощью зеркал, между которыми помещается рабочее вещество.
За 2 прохода должно происходить усиление:
усиление * потери на зеркалах
— коэффициент усиления среды.
— длинна активной среды (рабочего вещества).
— коэффициенты отражения зеркал.
28. Принцип действия полупроводникового инжекционного лазера
Создаётся p—n-переход в кристалле (путём добавления примесей), включается в прямом направлении (+p,-n). В таком слое p—n-перехода образуется инверсная населённость, так как туда инжектируются электроны и дырки. Положительная обратная связь организуется за счёт небольших сколов с краёв (боковых граней) кристалла, которые действуют как зеркала.
29. Что такое внутренний фотоэффект?
Внутренний фотоэффект — это явление, когда при облучении, за счёт энергии фотона электроны могут переходить из валентной зоны в зону проводимости, создаётся пара электрон-дырка. Это приводит к увеличению проводимости вещества под действием света (фотопроводимость).
WИКИ: Внутренним фотоэффектом называется перераспределение электронов по энергетическим состояниям в полупроводниках и диэлектриках, происходящее под действием света. Он приводит к увеличению проводимости вещества под действием света (фотопроводимость) и к возникновению под действием света ЭДС (фото-ЭДС) в системе, состоящей из контактирующих полупроводника и металла или двух разнородных полупроводников (например в p—n-переходе).
30. Зависимость теплоемкости кристаллов от температуры
— температура Дебая.
— максимальная энергия фотонов.
— постоянная Больцмана.