14. Явления сверхпроводимости и высокотемпературной сверхпроводимости
Сверхпроводимость — резкое возрастание проводимости при низких температурах (порядка 1-10 К у чистых металлов).
Высокотемпературная сверхпроводимость — резкое возрастание проводимости при T ~ 100K (возникает у керамиков).
15. Температурная зависимость проводимости полупроводников
В
полупроводниках носителями тока являются
электроны в зоне проводимости и дырки
в валентной зоне
проводимость полупроводников состоит
из двух частей. Основная зависимость
проводимости полупроводника от
температуры определяется зависимостью
концентрации электронов
и дырок
от температуры. Для собственного
полупроводника:
— время релаксации.
—температура полупроводника.
— постоянная Больцмана.
— концентрации
электронов и дырок.
— эффективная
масса электронов и дырок.
16. Обзорный график зависимости проводимости от t для мет. И п/п
17. Что такое внутренняя и внешняя контактная разность потенциалов?
В области контакта появляются двойной слой зарядов типа заряженного конденсатора, эл. поле которого препятствует дальнейшему перетеканию электронов. Разность потенциалов этого заряженного слоя — внутренняя контактная разность.
Внешняя контактная разность - это разность потенциалов между точками на поверхности металлов, если электрон перескакивает через вакуум.
— химические
потенциалы.
— работы
выхода (работа чтобы вытащить
с
поверхности вещества).
18. В чем заключаются явления Зеебека и Пельтье?
Явление Зеебека: возникновение тока (термоЭДС) в замкнутой цепи при различной температуре спаев.
Явление Пельтье: если в замкнутой цепи образованной из двух металлов принудительно пустить ток, то в одном контакте происходит выделение, а в другом - поглощение тепла (обратное явление Зеебека).
19. Вольтамперная характеристика р-n перехода
Если полупроводники p и n соединить в прямом направлении (+p,-n), пойдёт большой ток (так как дырки перемещаются
,
а электроны
).Если полупроводники p и n соединить в обратном направлении (-p,+n), ток почти не пойдёт (свободные носители уйдут в противоположенные стороны области контакта), то есть полупроводники будут представлять собой сопротивление.
— прямое
напряжение.
— обратное
напряжение.
20. Что такое МОП-конденсатор?
(Металл — окись — полупроводник)
МОП-конденсатор — это конденсатор, у которого одна обкладка - металл, а другая - полупроводник.
Под влиянием приложенного поля дырки уходят от границы диэлектрика, образуя слой отрицательных зарядов в полупроводнике (остовов атомов акцепторной примеси).
21. Почему МОП-конденсатор - нелинейный конденсатор?
Связь между напряжением, поданным на МОП-конденсатор, и зарядом – нелинейная, так как толщина заряженного слоя переменная:
— площадь
пластин.
— заряд
конденсатора.
— концентрация
акцепторной примеси.
22. Что такое информационные электроны в МОП-конденсаторе?
Свет проникает со стороны фольги и поглощается в заряженном слое полупроводника за счёт внутреннего фотоэффекта. Электрон смещается из валентной зоны в зону проводимости, образуется пара электрон-дырка, они уходят к соответствующим сторонам полупроводника и могут оставаться там очень долго, количество электронов пропорционально световой дозе. Такие электроны называются информационными.
23. Принцип использования МОП-конденсаторов в считывающих устройствах
Свет проникает со стороны фольги и поглощается в заряженном слое полупроводника за счёт внутреннего фотоэффекта. Электрон смещается из валентной зоны в зону проводимости, образуется пара электрон-дырка, они уходят к соответствующим сторонам полупроводника и могут оставаться там очень долго, количество электронов пропорционально световой дозе (информационные).
Далее радиотехническими методами считается количество информационных электронов в каждом из МОП-конденсаторов.