- •10. Разработка конструктивно-технологических ограничений
- •10.1. Конструкторско-технологические ограничения
- •Расчет конструкторско-технологических ограничений Расчет размеров контактных окон к эмиттеру, коллектору и базе
- •Расчет размеров остальной металлизации
- •Расчет размера зазора между дорожками металлизации
- •Расчет размера эмиттера и внешнего коллектора
- •Учёт неодномерности процессов диффузии:
- •Расчет размера базы
- •Расчет размера коллектора
- •Расчет разделительных областей
- •Расчет расстояний до разделительной области
- •Расчет расстояния между базой и разделительной областью
- •Расчет расстояния между базой и глубоким коллектором
- •Расчет расстояния между глубоким коллектором и разделительной областью
- •Расчет размеров скрытого коллекторного слоя
- •Расчет поперечных размеров структуры
Расчет поперечных размеров структуры
При расчете поперечных размеров эмиттер и контактное окно к нему полагаем квадратным. Принципы, использованные при расчете продольных размеров, справедливы и для поперечных. Размеры, указанные на рисунках, приведены в мкм.
|
Рис. 10.12. Структура с диэлектрической изоляцией |
Исправить эмиттер-коллектор!
|
Рис. 10.13. Общий вид структуры при изоляции p-n-переходом |
Тогда минимальный размер базы в поперечном направлении (если нет необходимости делать структуру более широкой для снижения плотности тока):
Номинальный поперечный размер базы с учетом случайных ошибок и боковой диффузии:
Максимальный размер:
Размер окна для диффузии примеси в область базы на фотошаблоне:
Необходимо сравнить поперечный размер базы с размером глубокого коллектора. Если размер ГК больше, то он, а не база ограничивает поперечный размер скрытого слоя и расстояние между изолирующими областями. А если меньше – ГК обычно делают прямоугольным, вытягивая в поперечном направлении до размера базы.
Поперечный размер скрытого слоя:
Минимальный размер:
мкм,
Номинальный размер:
Размер на фотошаблоне: