- •10. Разработка конструктивно-технологических ограничений
- •10.1. Конструкторско-технологические ограничения
- •Расчет конструкторско-технологических ограничений Расчет размеров контактных окон к эмиттеру, коллектору и базе
- •Расчет размеров остальной металлизации
- •Расчет размера зазора между дорожками металлизации
- •Расчет размера эмиттера и внешнего коллектора
- •Учёт неодномерности процессов диффузии:
- •Расчет размера базы
- •Расчет размера коллектора
- •Расчет разделительных областей
- •Расчет расстояний до разделительной области
- •Расчет расстояния между базой и разделительной областью
- •Расчет расстояния между базой и глубоким коллектором
- •Расчет расстояния между глубоким коллектором и разделительной областью
- •Расчет размеров скрытого коллекторного слоя
- •Расчет поперечных размеров структуры
Расчет размера базы
Если пассивной базы нет (рис. 10.7).
|
Рис. 10.7. База транзистора |
Эмиттер должен «вкладываться» в область базы, причем расстояние от края эмиттера до края базы не должно быть меньше, чем две длины базы, 2 .
Минимальное расстояние от эмиттера до контакта к базе и минимальное расстояние между двумя эмиттерами (если транзистор многоэмиттерный) тоже примем равным L”=2 .
где – взяты из задания на КП.
Номинальный размер базы с учетом случайных ошибок и боковой диффузии:
Максимальный размер:
Размер окна для диффузии примеси в область базы на фотошаблоне:
Если пассивная база есть (рис. 10.6).
Минимальный размер пассивной базы ограничен необходимостью обеспечения попадания контакта в эту область, но, поскольку LПБ=1мкм>LЭ=0,4 мкм надо будет брать WПБ ФШ=N. Тогда:
Минимальное расстояние от эмиттера до пассивной базы можно взять равным .
Так как пассивная база тоже «вкладывается» в область активной базы, то размер активной базы:
Помимо перечисленных выше соображений необходимо учесть, что расстояние на фотошаблоне между краями металлизации над контактами к эмиттеру и базе не может быть меньше технологической нормы. Если расстояние получается меньшим, необходимо увеличить размер базы.
Если структура изолирована диэлектрическими областями (щелевая или изопланарная изоляция) (рис. 10.8).
|
Рис. 10.8. Изопланар |
Если структура изолирована диэлектрическими областями, то край окна для создания пассивной базы совпадают с краем изолирующей области, т.е. отступ между эмиттером и базой будет только в одну сторону. Боковая диффузия базы в сторону канавки идти не будет, ошибки совмещения и все погрешности тоже считаются только в одну сторону, где рассчитываемая область не ограничена диэлектриком.
При отсутствии пассивной базы (рис. 10.7):
Поскольку активная база в этом случае будет ограничена диэлектриком со всех сторон, то ее границы на фотошаблоне должны совпадать с краями изолирующих областей. Минимальное расстояние от эмиттера до пассивной базы можно взять равным .
Размер окна активной базы будет равен:
Так как окисел не даст расползаться примеси, размер активной базы на структуре будет равен:
мкм.
Размер активной базы на фотошаблоне будет равен:
мкм.
Расчет размера коллектора
Если структура изолирована диэлектрическими областями (щелевая или изопланарная изоляция) (рис. 10.6)
Минимальное расстояние между диэлектрическими областями, ограничивающими глубокий коллектор, равно
мкм.
Найдем ширину окна коллектора для фотолитографии:
2.Если нет канавок, т.е. если глубокий коллектор не ограничен диэлектриком
При расчете минимальных размеров коллекторной области, также как и эмиттерной области, необходимо учесть, что контактное окно к коллектору не должно выходить из области коллектора, т.е. необходимо учесть ошибку совмещения.
Размер окна для подлегирования приконтактной области коллектора на фотошаблоне совпадает с размером окна для диффузии примеси в эмиттер. Размер окна для создания области глубокого коллектора равен технологической норме, N.
мкм.
Берем четыре ошибки совмещения, считая, что совмещение при создании контактных окон осуществляется не с коллекторным слоем, а с ранее созданной меткой, по которой совмещались все слои.
Номинальный размер глубокого коллектора:
Здесь =2 мкм – глубина коллектора.
Максимальный размер:
Минимальный размер:
При этих цифрах получится меньше расчетного (6,66 мкм), в этом случае считать надо от (как эмиттер), а не от N.
Размер окна для диффузии примеси в коллектор на фотошаблоне:
Если размер на фотошаблоне получится меньше технологической нормы, берем WКШ=N, и пересчитываем, соответственно, размер коллектора в структуре.