- •Содержание
- •2.2 Классификация вторичной аппаратуры
- •2.3.3 Блок индикации. Блок индикации (би) служит для отображения окончательного результата вычислений в виде двоично-десятичного кода на 8-разрядном цифровом индикаторе.
- •5 Программное обеспечение
- •7.3 Расчет электромагнитной совместимости
- •8 Расчет высоковольтного усилителя напряжения
- •11) Выбираем стандартные выпрямительные столбы и диоды, исходя из следующих параметров:
- •9.2 Расчет передаточной функции
- •10 Техническое описание микропроцессорного блока обработки информации эгпп
- •10.1.3 Состав устройства и комплект поставки. Состав устройства и комплект поставки приведен в таблице 14.
- •10.2.3 Состав устройства и комплект поставки. Состав устройства и комплект поставки приведен в таблице 17.
- •Успехов Вам!
7.3 Расчет электромагнитной совместимости
Целью расчета электромагнитной совместимости является определение работоспособности устройств в условиях воздействия перекрестных помех в линиях связи, а также внешних электромагнитных полей.
Н
а
рисунке представлена эквивалентная
схема электромагнитной совместимости
активной (питание микросхемы) и пассивной
(сигнального проводника) линии.
Модуль первого уровня выполнен в виде ячейки на двусторонней печатной плате четвертого класса точности из стеклотекстолита СФ-2Н-50. Ширина проводников и расстояние между ними равны 0,3 мм. Максимальная длина области связи проводников пассивной и активной линий - 120 мм. Максимальное напряжение в активной линии составляет 5 В на частоте 3,2 МГц. В ячейке используются микросхемы серий КР1533, К561, КС573, КР537 и Z80.
В состоянии логической единицы помеха меньше влияет на срабатывание логического элемента, чем в состоянии логического нуля, т.к. в этом случае выше помехоустойчивость ЭРЭ. Поэтому рассмотрим случай, когда на выходе микросхемы логический нуль.
Необходимые данные для расчета перекрестных помех приведены в таблице 12.
Таблица 12 - Электрические параметры используемых серий микросхем
|
Серия ИС |
U0вх, В |
U0вых, В |
I0вх, мА |
I0вых, мА |
R0вх, Ом |
R0вых, Ом |
|
Z80 |
0,5 |
0,5 |
2,6 |
32 |
500 |
120 |
|
КР1533 |
0,4 |
0,4 |
0,1 |
8 |
800 |
100 |
|
КC573 |
0,45 |
0,45 |
0,8 |
3,2 |
560 |
140 |
|
КР537 |
0,45 |
0,45 |
0,9 |
3,4 |
660 |
210 |
При этом входное и выходное сопротивления определяются по формулам, Ом
;

Исходные данные для расчета:
Е - напряжение генератора в активной линии связи
Е=Е0еjwt,
где w=2f - круговая частота генератора. Для разрабатываемого устройства E0=5 В, f=3,2106 Гц.
R1, R2, R3 - сопротивление нагрузок в активной и пассивной линиях;
- расстояние между проводниками (минимальное расстояние между краями проводников =1,510-4 м);
h - толщина проводников (h=510-5 м);
b - ширина проводников (b=310-4 м);
Un - помехоустойчивость микросхем [ , и ];
L - длина области связи проводников. Для предварительного расчета длину области связи проводников можно принять равной максимальной стороне ПП, т.е. L=0,12 м.
Диэлектрическая проницаемость среды между проводниками, расположенных на наружных поверхностях платы
r = 0,5п = 0,56=3,
где п - диэлектрическая проницаемость материала платы. Для стеклотекстолита п = 6.
Определяем взаимные емкости С и индуктивности М линий связи для заданного типа электрических соединений.
Взаимные емкости параллельных проводников на печатной плате

Определяем взаимную индуктивность в параллельных проводниках печатной платы, мкГн
![]()
![]()
Вычисляем сопротивление изоляции между проводниками активной и пассивной линий связи. Для проводников, расположенных на одной поверхности ПП, Ом
Rи= L,
где - удельное поверхностное сопротивление основания печатной ПП (у стеклотекстолита =51010 Ом).
Вычисляем сопротивление изоляции между проводниками активной и пассивной линий связи
Rи= L= 510101,510-4 / 0,12=6,25107 Ом
Определяем действующее напряжение помехи на сопротивлениях R2 и R3. При расчете помехоустойчивости печатных узлов нагрузкой пассивной и активной линий можно считать входные сопротивления микросхем. Тогда расчет проводится по формуле [ , страница 389]


Определим
действующее напряжение помехи на входе
микросхемы К1533
в режиме логического “0”![]()
![]()
Сравниваем действующее напряжение помехи в пассивной линии с помехоустойчивостью микросхемы. Для используемых серий микросхем Uп=0,4 В, т.е. U0вых<<Uп.
Таким образом, действие помехи не приведет к нарушению работоспособности модуля.
Вывод. Из проведенных расчетов и условий эксплуатации, заданных в техническом задании, следует, что проектируемое устройство не нуждается в дополнительных средствах экранирования.
