Характеристики и параметры транзисторов

Семейство выходных характеристик

На большую часть характеристик при напряжении у.к. эмитор больше. Ток коллектора почти не зависит от напряжения коллектора эммитора. На этом участке имиторный переход смещенном прямо, коллекторный переход обратно смещен. Транзистор в этом случае характеризуется как упрявлеемый источник тока. Тоесть ток коллектора изменяется последством изменеии тока базы. При уменбшении напряжении значении коллектор эмитоором, уменьшается напряжение у коллектора и базы. При напряжении равном у.базы эмитора напряжение между коллектором и базы уменьшает свой ток. При дальшейим измене до 0 к коллекторному перехогду приложзено прямое напряжения. На встречу дурок тока из эммитора коллектора начинается противоположенное движений основных носителей из носителей в базу. В результате коллекторный ток резо уменьшается. Данный участок характеристики показывает на утерю транзистором усилительных свойств. Рассмотренный участок характеристки используется в импульсной техники при реализации ключевого режима транзистора.

Полевые транзисторы

Биполярные транзисторы нашли широкое применение в электронной технике однако в ряде случаев их использование затруднено. Так как они потребляют значительную мощность от входной цепи. Этого недостатка лишены полевые транзисторы входной ток которых практчически равен 0. Полевые транзисторы называют униполярным. В зависимости от физической структуры полевые транзисторы делят на 2 группы.

1) с управляющим пн переходом

2) управляемо изолированная затвором.

Устройство и принцип работы

Транзистор образован из 3 слоев, слой п называется канал, емеет 2 вывода во внешнюю цепь.с-сток,и-исток. Слои с проводимотсью н соеденены межды собой и имеют вывод во внешнюю цепь нызывается затвор. При упрявлющем напряжении у исток = 0. И подключению по каналу протекает ток, зависящий от сопротивления канала. Напряжение у сток-исток равномерно приложено по длине канала, что вызывает обратное смещения п.н. перехода между каналом п типа и н слоем. Причем наибольшее обратное смещение на п.н. переходе существоет в области стока, а в близи истока п.н. переход находится в равновестном состоянии. При увелении напряжения сток-исток область двойного электрического слоя п.н. перехода, объедененная подвижными носителями заряда будет расширятся, наиболее сильно расширеннее наблюдается в области стока. Расширение п.н. перехода приводит к ужение ток канала транзистора и сопротивление канала возрастает. При некотором напряжении сток-исток границы перехода смыкается и рост тока-стока прекращается. При приложении положительного напряжение к затвору п.н. переход еще больше смещается (об обратном смещении)., канал сужается и ток стока уменьшается. Таким образом увеличивая напрояжения затвор0исток можно уменьшать ток стока. При определенном напряжении затвор-исток ток стока 0(напряжением осечки).отношение изменения тока сток дельта и с к вызвавшим его изменения между затвором и истоком, при напржении сток исток конст называется константа. Стоковые характеристики так же как характеристики биполярного характеристики имеют 2 участка крутой и пологий. Пологий используется при работе транзистора уселительных каскадов, крутой при работе транзистора в переключающих устройствах.