Порядок выполнения работы

В работе исследуются транзисторы с каналом р-типа.

1. Подключить к установке измерительные приборы (вольтметры V₁ и V₂, рис. 5).

2. Снять выходные характеристики I_СТ= f(U_СИ) при несколь­ких заданных напряжениях на затворе U_ЗИ, в том числе при U_ЗИ=0. Для снятия выходных характеристик использовать таблицу 1.

3. Снять переходные характеристики I_СТ= f(U_ЗИ) при несколь­ких заданных напряжениях на стоке U_ЗИ, для чего установить напряжение сток-исток, равное N²V и, изменяя напряжение затвор-исток с интервалом в ^** от 0 В до напряжения отсечки (когда ток стока уменьшится до 0,5-1,0 А), измерить значение тока стока и записать их в таблицу 2. Выполнить подобные опе­рации для напряжения сток-исток, равного M^*V и L^*V

4. По выходной характеристике I_СТ= f(U_СИ) определить:

а) напряжение насыщения на стоке U_{СИ НАС.};

б) ток насыщения I_{СТ НАС.} при U_ЗИ=0 и U_СИ=U_{СИ НАС.};

в) выходное сопротивление при U_ЗИ=0 и U_СИ>U_{СИ НАС.} по формуле:

5.По переходной характеристике I_СТ= f(U_ЗИ) определить:

а) напряжение отсечки U_{ЗИ ОТС.}

б) крутизну в режиме насыщения:

в) остаточный ток стока I_{СТ ОСТ.} при U_ЗИ=U_{ЗИ ОТС.}

6) рассчитать крутизну по формуле (3) и сравнить со значением, полученным в пункте 5б.

Выходные характеристики: I_СТ= f(U_СИ) / U_ЗИ=const.

UЗИ1=0

Входной источник питания ИП1 НЕ ВКЛЮЧЕН. Если перед измерениями он был включен, то после его выключения необходимо дождаться полной разрядки емкостей фильтра источника питания ИП1.

U_ЗИ2=k³mV; U_ЗИ3=2k^*mV; U_ЗИ4=3k^*mV; U_ЗИ5=4k^*mV; U_ЗИ6=1,W^*V;

Р ис. 5.

Переходные характеристики: I_С= f(U_ЗИ) / U_СИ=const.

U_СИ1=-L^*V; U_СИ2=-M^*V; U_СИ3=-N^*V;

Таблица 1.

UЗИ=0		UЗИ=K*mV		…	UЗИ=4K*mV		UЗИ=1,W*V		UЗИ ОТС.
UСИ,V	IСТ,A	UСИ,V	IСТ,A		UСИ,V	IСТ,A	UСИ,V	IСТ,A	IСТ(1...0,5A)

Таблица 2.

UСИ1=-L4V;		UСИ2=-M*V;		UСИ3=-N*V;
UЗИ, V	IС, A	UЗИ, V	IС, A	UЗИ,V	IС, A

Контрольные вопросы

1. Нарисуйте простейшие конструкции полевых транзисторов с р-п-переходом, со встроенным каналом и с индуцированным каналом, и расскажите о принципах их работы.

2. Как обозначаются на схемах полевые транзисторы?

3. Что такое напряжение насыщения?

4. Как зависит напряжение насыщения от напряжения на затворе?

5. Нарисуйте распределение объемного заряда в канале транзи­стора при различных напряжениях U_СИ и U_ЗИ.

6. Что такое напряжение отсечки?

7. Каким параметром характеризуются свойства транзистора и почему? Как определить этот параметр по характеристикам транзистора?

8. Расскажите о преимуществах и недостатках полевых транзи­сторов по сравнению с обычными биполярными транзисторами и лампами.