Порядок выполнения работы

1. Включить экспериментальный стенд.

2. Снять семейство входных характеристик транзистора, вк­люченного по схеме с общим эмиттером,

.

Семейство входных характеристик снять для значений: E_K1=0V, E_K2=1V, E_K3=N*V, E_K4=2N¹V

Данные наблюдений оформить таблицей:

EK1= 0 V

EK4= 2N*V

UБЭ, mV

...

UБЭ, mV

JБ, A

JБ, A

3. Снять зависимость , т.е. семейство выходных характеристик транзистора.

Семейство выходных характеристик снять для следующих постоянных значения тока J_Б : J_Б1 = Н*А; J_Б2 = 2Н*А; J_Б3 = 3Н*А; J_Б4 = 4Н*А; J_Б5 = 5Н*А.

Данные наблюдений оформить в виде таблиц:

JБ1= Н*A

JБ5= 5Н*A

UКЭ, V

...

UКЭ, V

JК, mA

JК, mA

4. Снять зависимость тока коллектора от изменений тока базы, т.е. , при постоянном значении напряжения U_КЭ=N*V. Результаты опыта занести в таблицу:

UКЭ= Н**V
JБ, A
JK, mA

5. Произвести расчет следующих параметров транзистора:

1) рассчитать величину входного сопротивления транзистора по формуле: , используя результа­ты измерений или построенные графики семейства входных характеристик транзистора.

2) рассчитать величину выходного сопротивления транзисто­ра r_кэ по формуле: , используя резу­льтаты измерений или построенные графики .

3) по снятой зависимости (пункт 4) построить зависимость дифференциального коэффициента передачи тока . Расчет величины  вести по формуле:

4) по результатам расчета величины  определить коэффициент передачи эмиттерного тока . Расчет величины  вести по формуле: .