Пропускные способности различных типов памяти

Модули RDRAM (Rambus)-память RDRAM имеет синхронный интерфейс отличающийся от традиционного ядро памяти, имеет такую же архитектуру как у SDRAM но пути повышения производительности иные. Подсистема памяти RDRAM состоит из контролера памяти, канала, и микросхем. Разрядность RDRAM 16 байт, не зависит от числа установленных микросхем, а число банков доступных контролеру, и объём памяти суммируются по всем микросхемам канала.

Модули simm-30, sipp, simm-72

Модули SIMM (Single In-Line Memory Module) и SIPP (Single In-Line Pin Package) представляют собой небольшие печатные платы с односторонним краевым разъемом (табл. 8.8). Контактами модулей SIMM являются позолоченные (или покрытые специальным сплавом) площадки, расположенные на обеих поверхностях вдоль одной из сторон. Слово «single» (одиночный) в названии подразумевает, что пары площадок на обеих сторонах эквивалентны (электрически соединяются между собой). У малораспространенных модулей SIPP контакты штырьковые (pin — иголка), эти контакты при необходимости можно припаять к площадкам модулей SIMM (такие контакты когда-то даже продавались в комплекте с модулями SIMM). Модули SIPP оказались непрактичными — их контакты не выдерживают транспортировки и многократной установки.

Таблица 8.8. Организация модулей SIMM

Емкость, Мбайт	С четностью			Без четности
	30-pin	72-pin	30-pin		72-pin
256 Кбайт	256 Кбайт*9	-	256 Кбайт*8		-
1 Мбайт	1Мбайт*9	256 Кбайт*36	1 Мбайт*8		256 Кбайт*8
2 Мбайт	-	512 Кбайт*36			512 Кбайт*32
4 Мбайт	4 Мбайт	1 Мбайт*36	4 Мбайт*8		1 Мбайт*32
8 Мбайт	-	2 Мбайт*36			2 Мбайт*32
16 Мбайт	-	4 Мбайт*36			4 Мбайт*32
32 Мбайт	-	8 Мбайт*36			8 Мбайт*32
64 Мбайт	-	16 Мбайт*36			16 Мбайт*32

На модулях смонтированы микросхемы памяти в корпусах SOJ или TSOP, их адресные входы объединены. Количество и тип микросхем определяются требуемой разрядностью и объемом хранимых данных. Архитектура модулей обеспечивает возможность побайтного обращения, что существенно для записи (byte-write); выбор байтов производится отдельным сигналом на входе CAS# для каждого байта. Распространенные модули имеют напряжение питания 5 В.

По логической организации различают односторонние и двусторонние модули. У односторонних модулей микросхемы смонтированы на одной (передней) поверхности, у двусторонних двойной комплект {два банка) микросхем смонтирован на обеих сторонах платы. Эти названия не совсем точны, но имеют прочные позиции и иностранное происхождение (single side и double side). Часто встречаются модули, у которых на второй стороне смонтировано несколько микросхем, дополняющих набор первой стороны до требуемой разрядности (чаще там размещаются контрольные биты). Такие модули являются логически односторонними. У «истинно двусторонних» на обеих сторонах обычно симметрично расположены одинаковые комплекты микросхем.

«Короткие», или SIMM30-pin, модули SIMM (старый тип) имеют 30 печатных выводов и однобайтную организацию (рис. 8.13). Разводка выводов у модулей фирмы IBM (для компьютеров IBM PS/2) отличается от общепринятых стандартных. Различия делают несовместимыми модули с объемом более 1 Мбайт: модули IBM могут быть двусторонними (2 Мбайт), стандартные — только односторонними. Малораспространенные модули SIPP имеют 30 штырьковых выводов и совпадают по разводке со стандартными модулями SIMM 30-pin (SIMM-30). Применение однобайтных модулей (особенно в 32-битных системных платах) в значительной степени сковывает свободу выбора объема памяти. Назначение выводов SIMM-30 и SIPP приведено в [1].

«Длинные», или SIMM 72-pin (SIMM-72), модули SIMM имеют 72 печатных вывода (рис. 8.14) и 4-байтную организацию с возможностью независимого побайтного обращения по сигналам CASx#. По сигналам выборки строк биты данных делятся на два слова, биты DQ[0:15] выбираются сигналом RAS0# для первого банка, биты RASl# — для второго. Биты DQ[16:31] выбираются сигналами RAS2# и RAS3# соответственно. В односторонних модулях (1, 4, 16, 64 Мбайт — 1 банк) задействуется только одна пара сигналов выборки RAS0# и RAS2#, в двусторонних (2, 8, 32 Мбайт — 2 банка) — две пары сигналов RAS#. Заметим, что использование всеми модулями обеих пар линий RAS# поддерживается не всеми системными платами. Контрольные биты модулей с четностью по выборке приписываются к соответствующим байтам, в ЕСС-модулях возможны различные варианты. Модули без четности имеют разрядность 32 бит, с четностью — 36 бит, модули ЕСС — 36 или 40 бит. Модули ЕСС-36 и ЕСС-40 (ECC-optimised) не Допускают побайтного обращения и существенно отличаются от 32-битных и модулей с четностью.

Рис. 8.14. Модуль SIMM-72

Сигналы модулей SIMM в основном совпадают с сигналами микросхем динамической памяти. Для идентификации модулей предназначены сигналы PD[1:5]. По заземленным (на модуле) сигналам системная плата может распознать быстродействие (тип) и объем установленной памяти.