Имс статической памяти

DIO0

DIO3

RAM

CS#

А0

А7

WR/RD#

A0-A7- адресные входы (установленный код выбирает одну ячейку накопителя).

WR/RD#- разрешение записи/чтение, определяющий режим работы ИМС.

CS#- выбор ИМС, микросхема находится в режиме хранения.

ромбикё - это третье состояние, состояние высокого эпиданса или z состояния. Данный символ обозначает, что линии в значении хранения, переводится в 3 состояние, то есть при помощи большого сопротивления, между буфером и контактом ИМС, создаётся виртуальный обрыв.

DIO0-DIO3- ввода-вывода данных, каждая линия подключается соответствующему запоминающему элементу, выбранной ячейки.

Количество ячеек ==256

Разрядность =4 (количество DIO)

Организация =256*4

Ёмкость=256*4=1024бит=1к

=1024бит=1к

=1024кбит=1м

=1024мбит=1г

=1024гбит=1т

=1024тбит=1п

=1024пбит=1э

=1024эбит=1з

=1024збит=1Й

Диаграммы работы статической памяти

A

t

Адрес

DIO

CS#

Запись

t

t

t

WE#

Data

A- Адрес подаётся, то есть (выбирается ячейка).

WE#- режим работы ИМС (WE#- запись-0) затем подаются данные для записи.

CS#- подача активного уровня 0.

A

t

Адрес

DIO

CS#

Запись

t

t

t

WE#

Data

t3

Имс динамической памяти

С развитием вычислительной техники происходит увеличение объёма оперативной памяти, то есть увеличивается количество ячеек в накопителе, а следовательно необходимо увеличивать количество адресов. Для сокращения количества контактов на схеме, адрес можно подавать за два такта. Принцип работы динамической памяти на адресные линии подаётся адрес строки, и подтверждается установкой сигнала RAS# строб адреса строки. По этому сигналу адрес переписывается в регистр строб и подаётся на дешифратор, который преобразует его в унитарно позиционный код, и выбирает одну из строк накопителя. За тем на адресные входы подаётся вторая часть адреса, и подтверждается сигналом CAS#,строб адреса строка. По этому сигналу адрес переписывается в регистр столбцов, сигнал поступает на дешифратор, который выбирает один из столбцов накопителя. Выбрана, считается ячейка на пересечении строки и столбца. Запоминающим элементом этой ячейки подключают к выводам DIO ИМС.

Структурная схема динамической памяти

CAS#

Защелка адреса столбца

RAS#

Буфер выходных данных

Дешифратор строки

Дешифратор столбца

Матрица памяти

Защёлка адреса строки

Схема управления вводим-выводим

Буфер выходных данных

Временные диаграммы

Цикл чтения

RAS#

Время доступа

CAS#

TRAC

MA

TRCD

TCAC

С1

R1

R2

C2

WE#

TRC

D1

OE#

DATA

Запоминающие ячейки в динамической памяти организованы в виде двумерной матрицы, адрес строки и столбца, передаётся по мультиплексированной шине. МА и стробируется по способу импульсов RAS# и CAS# .

RAS#- строб выборки строки, по спаду сигнала, начинается любой цикл обращения, низкий уровень сохраняется на все время цикла, перед началом следующего цикла сигнал должен находится в неактивном состоянии, не менее чем время предварительного заряда RAS#.

CAS#- строб выборки адреса столбца, по спаду сигнала начинается цикл записи или чтения, минимальная длительность определяется спецификации быстро деятельности памяти. Минимальная длительность не активного состояния между циклами, должна быть не менее чем время дополнительного заряда CAS#.

MA-мультиплексированные линии адреса, во время спада сигнала RAS#, на этих линиях присутствует адрес строки. Во время спада CAS# адрес должен устанавливается до оклада соответствующего строба, и удерживаются после него ещё некоторое время.

WE#-разрешение записи, данные записываются в выбранную ячейку либо по спаду CAS#, при низком уровне WE# (ранняя запись). Либо по спаду WE# при низком уровне CAS# (поздняя запись).

OE#- разрешения открытия выходного буфера при операции чтения, высокий уровень сигнала переводит выходной буфер в 3 состояние.