Конфигурирование мк

В AVR есть два типа битов, задающих конфигурацию МК. Биты конфигурирования «fuses bits» (плавкие перемычки) используются для выбора режима работы AVR, тогда как биты защиты «lock bits» используются для запрещения доступа к памяти.

. Биты конфигурирования различны для разных типов AVR. В AT90S1200 установка в 1 бита RCEN подключает встроенный RC-генератор, при этом внешние тактовые импульсы игнорируются. Когда бит SPIEN сброшен в 0, разрешается программирование МК по последовательному интерфейсу через порт SPI. Во всех этих моделях биты SPIEN и RCEN по умолчанию сброшены в 0.

МК AT90S8515 имеет биты SPIEN и FSTRT, которые позволяют при использовании внешнего тактового генератора производить быстрое включение МК без обычной задержки в 16мс.

Биты конфигурирования «fuses bits» могут быть установлены или сброшены только при параллельном программировании.

Биты защиты «lock bits» используются для запрещения/разрешения доступа к памяти программ в EEPROM, при этом достигаются свойства приведенные в таблице 2.2.

Таблица 2.2. Режимы защиты и биты блокировки

Биты блокировки				Тип защиты
Режим	LB1	LB2
1	1	1	Защита не установлена
2	0	1	Дальнейшее программирование флэш-памяти запрещено
3	0	0	Как режим 2, но запрещено и чтение

Примечание: биты блокировки стираются только при полном стирании памяти

Память данных eeprom.

Операции чтения и записи области данных EEPROM довольно просты и надежны. Обращение к EEPROM производится при помощи команд с индексной адресацией, которые используют адрес, хранящийся в регистре EEAR.

Если EEPROM имеет емкость больше 256 байт, как у AT90S8515, то используются два адресных регистра: EEARH для хранения старшей части адреса и EEARL – для хранения младшей части. Эти регистры должны сохранять правильный адрес до тех пор, пока не буде закончена операция чтения или записи.

Запись в память данных EEPROM производится следующим образом:

1. Ожидание сброса в 0 бита EEWE в регистре управления EECR памяти EEPROM;

2. Запись в EEAR нужного адреса;

3. Запись в регистр данных EEDR нужных данных;

4. Установка в 1 бита EEMWE в регистре EECR. (Бит EEMWE не используется в AT90S1200);

5. В течении четырех тактов после установки бита EEMWE установить бит EEWE в 1 для начала записи в EEPROM. Операция записи занимает от 2,5 до 4мс.

Бит EEMWE регистра EECR обеспечивает аппаратную блокировку записи для того, чтобы уменьшить возможность случайного изменения EEPROM.

Чтение из EEPROM выполняется аналогичным образом.

1. Ожидание сброса в 0 бита EEWE в регистре управления EECR;

2. Запись в EEAR нужного адреса;

3. Установка в 1 бита EERE в регистре EECR;

4. Чтение данных из EEDR.

Операция записи должна быть закончена до того, как программа произведет попытку чтения из EEPROM. После установки в 1 бита EERE процессор переходит в состояние ожидания в течении двух тактов, пока данные выбираются из EEPROM. Это означает, что выполнение команды «SBI EECR, EERE», которая инициализирует операцию чтения, занимает не один такт, а три.