3.2 Постоянное запоминающее устройство к541ре1

Микросхема представляет собой матрицу-накопитель посто­янного запоминающего устройства емкостью 64 кбит (8кх8) со схемами управления (ТТЛ). Содержит 71377 интегральных эле­ментов. Корпус типа 4131.24-3, масса не более 3 г.

Рисунок 18 - Условное графическое обозначение К596РЕ1

Таблица 10 – Описание выводов БИС ОЗУ К565РУ6

№ вывода	Обозначение		Наименование	Назначение	Тип сигнала	Состояние
	Англ.	Рус.
1	2	3	4	5	6	7
1-5, 7-11, 13, 19, 24	А0-А12	А0-А12	Шина адреса	Шина адреса	вход	1,0,z
14-17, 20-23	D0-D7	Д0-Д7	Шина данных	Шина данных	вход	1,0,z
18	CS	ВБ	Выбора адреса строк	Сигнал выбора адреса строк	вход	0
6	Ucc	Пит	Сигнал питания	Напряжение питания (+5В)	-	-

Электрические параметры

Номинальное напряжение питания 4 В ± 10%

Выходное напряжение низкого уровня 0,4 В

Выходное напряжение высокого уровня > 2,4 В

Ток потребления < 145 мА

Ток низкого уровня сигнала

входной информации < 0,5 мА

Ток высокого уровня сигнала

входной информации 0,1 мА

Выходной ток в состоянии "невыбор"

при напряжении низкого уровня < 100 мкА

Выходной ток в состоянии "невыбор"

при напряжении высокого уровня < 100 мкА

Потребляемая удельная мощность 0,01 мВт/бит

Время выборки адреса 0,35 мкс

Время выбора 0,1 мкс

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Максимальное напряжение питания 4,4 В

Напряжение сигнала входной информации на адресных входах и входе CS -0,3+ 4,4 В

Напряжение на выводах в состоянии "невыбор" -0,3+ 4,4 В

Максимальный выходной ток высокого уровня 1,6 мА

Максимальный выходной ток низкого уровня 3,2 мА

Максимальная емкость нагрузки 50 пФ

Температура окружающей среды -10...+ 85 °С

4 РАЗРАБОТКА ПОДСИСТЕМ

4.1 Генератор тактовых импульсов К1810ГФ84

Микросхема К1810ГФ84 представляет собой биполярный генера­тор тактовых импульсов (ГТИ) для ми­кропроцессора К1810ВМ86 и его перифе­рийных устройств.

Рисунок 7 — Структурная схема генератора тактовых импульсов

Структурная схема ГТИ приведена на рисунке 7. В состав микросхемы входят: за­дающий генератор (SGN); схемы формирования тактовых импульсов (OSC, CLK, PCLK); делители ча­стоты на три (DIV3) и на два (DIV2); схе­ма формирования сигнала готовности READY(F), сброса (RESET); пороговый элемент и логиче­ские элементы.

Рисунок 8 — Условно-графическое изображение генератора тактовых импульсов

Назначения входных, выходных и управляющих сигналов ГТИ приведены при описании выводов микросхемы в таблице 6.

Таблица 6 — Описание выводов ГТИ

Обозначение вывода		Номер вывода	Тип вывода	Назначение вывода	Состояние вывода
Англ.	Рус.	3	4	5	6
1	2
X1,X2	X1,X2	17,16	Вход	Входы для подключения кварцевого резонатора	0,1
TANK	ВПК	15	Вход	Вход для подключения LC-контура	0,1
	ВИЧ	13	Вход	Выбор источника частоты	0,1
EFI	ВПГ	14	Вход	Вход для подключения внеш-него генератора частоты	0,1
CSYN	СХ	1	Вход	Синхронизация	0,1
	ВПЦ	11	Вход	Вход для подключения RC-цепи	0,1
RDY1	СГШ1	4	Вход	Сигнал готовности шины 1 к обмену	0,1
	АГШ1	3	Вход	Адрес готовности шины 1	0,1
RDY2	СГШ2	6	Вход	Сигнал готовности шины 2	0,1
	АГШ2	7	Вход	Адрес готовности шины 2	0,1
OSC	СЗГ	12	Выход	Сигнал тактовой частоты задающего генератора	0,1
CLK	ТЧМ	8	Выход	Сигнал тактовой частоты для МП	0,1
PCLK	ТЧП	2	Выход	Сигнал тактовой частоты для периферийных БИС	0,1
REA-DY	ГТВ	5	Выход	Готовность	0,1
Продолжение таблицы 6
1	2	3	4	5	6
RESQ	С	10	Выход	Сброс	0,1

Основные электрические параметры микросхемы К1810ГФ84:

Напряжение питания, В 4 ,75

Входное напряжение логического ну­ля U_IL В 0,8

Входное напряжение логической еди­ницы U_IH , В 2,0

Напряжение логической единицы для входа сброса U_IH , В 2,6

Выходное напряжение логического нуля U_OL, В 0,45

Выходное напряжение логической единицы U_OH, В:

на выходе CLK 4

на всех других выходах 2,4

Напряжение входного гистерезиса U_IH -U_IL, В 0,25

Ток потребления источника питания I_CC, мА 140