
- •Зиновьев в. Г., Карпов в. В., Фиалковский о, п. Процессы полупроводниковых производств
- •Часть I
- •Содержание
- •1. Общие вопросы полупроводникового производства
- •1.1. Области применения полупроводниковых материалов
- •Классификация полупроводниковых приборов
- •Преобразователи внешних воздействий:
- •1.2. Общие задачи, решаемые в технологии полупроводниковых материалов
- •Соблюдение производственной чистоты
- •Обеспечение микроклимата
- •Подготовка основных и вспомогательных материалов, используемых в полупроводниковом производстве. Требования к материалам
- •Параметры воды
- •2. Процессы кристаллизации
- •2.1. Гомогенная кристаллизация
- •2.2. Гетерогенная кристаллизация
- •3. Методы выращивания полупроводниковых монокристаллов
- •3.1. Методы выращивания объемных монокристаллов из расплава
- •3.1.1. Тигельные методы
- •Метод горизонтальной зонной плавки.
- •Метод вертикальной зонной плавки.
- •3.1.2. Форма кристаллов. Псевдограни.
- •3.1.3. Бестигельные методы получения монокристаллов
- •Метод Вернейля.
- •Метод гарниссажной плавки.
- •Метод вытягивания с пьедестала.
- •Бестигельная зонная плавка.
- •Метод плавки в холодном тигле.
- •3.2. Методы получения монокристаллов из растворов-расплавов
- •Метод зонной плавки в температурном градиенте.
- •3.3. Методы получения монокристаллов из газовой фазы
- •Метод сублимации - конденсации
- •Метод газового транспорта
- •Метод кристаллизации вещества, синтезированного в газовой фазе
- •3.4. Методы получения профилированных кристаллов
- •4. Распределение примесей в процессах кристаллизации
- •4.1. Равновесный коэффициент распределения
- •4.2. Эффективный коэффициент распределения
- •4.3. Особенности распределения примеси по длине кристалла, получаемого из расплава
- •4.3.1. Направленная кристаллизация
- •Равновесная кристаллизация (рис. 40,а).
- •Неравновесная кристаллизация (рис. 40,б).
- •Зонная плавка.
- •Список литературы
- •Часть I
-
Зонная плавка.
-
Однопроходная зонная плавка
При зонной плавке, как
уже говорилось выше, с помощью специального
нагревателя расплавляется не весь
кристалл, а лишь его часть. Расплавленная
зона движется от затравки вдоль слитка.
При этом на фронте кристаллизации
происходит перераспределение примеси
между жидкой и кристаллизующейся фазой
в соответствии с коэффициентом
распределения. При этом если
расплавленная зона собирает в себя
примесь и при движении зоны оттесняет
примесь к концу слитка, а если
,
примесь переносится в начало слитка, и
тем самым происходит очистка материала.
Для количественного
рассмотрения распределения примеси
при зонной плавке сохраняются все
допущения Пфанна, перечисленные выше
и к ним добавляется требование постоянства
ширины расплавленной зоны
(рис. 44).
Рис.
44. Схема перекристаллизации при зонной
плавке: 1 и 3 –
закристаллизовавшаяся и плавящаяся
части слитка, соответственно; 2 –
расплавленная зона;
– расстояние от начала слитка до фронта
кристаллизации;
–
длина расплавленной зоны;
–
длина слитка;
–
скорость перемещения зоны.
Рассмотрим случай одного прохода расплавленной зоны через слиток с равномерным распределением примеси. Допустим, что:
-
-
– концентрация примеси в расплавленной зоне;
-
– концентрация примеси в исходной твердой фазе;
-
– концентрация примеси в закристаллизованной твердой фазе вблизи фронта кристаллизации.
-
S – поперечное сечение слитка, постоянное по всей длине (разницей в плотностях жидкой и твердой фазах пренебрегаем).
Если
за время
зона переместится на расстояние
,
то концентрация примеси в жидкой зоне
изменится (индексы у текущих концентраций
опущены) на:
(47)
или
;
интегрируя по твердой фазе и считая,
что
,
получим:
(48)
Тогда:
;
или:
и окончательно:
. (49)
Выражение (49) справедливо
в диапазоне
,
поскольку последняя зона кристаллизуется
по уравнению (45) для направленной
кристаллизации с учетом того, что за
исходную концентрацию принимается
.
Тогда на участке
(участок 3 рис.45.) распределение примеси
находится по уравнению:
(50)
Как видно из рис. 45, распределение примеси после одного прохода зоны, полученное по уравнениям (48 и 45), можно условно разделить на три участка: 1 – очищенная часть слитка; 2 – часть с прежней концентрацией примеси и 3 – загрязненная часть слитка.
Рис. 45. Распределение примеси после
одного прохода узкой зоны при
.
На рис. 46.
проиллюстрировано распределение примеси
в расплавленной зоне в зависимости от
ее положения в слитке. При этом в
соответствии с допущениями Пфанна,
,
а
.
Рис. 46. Распределение примеси в слитке при начальном положении расплавленной зоны и при расположении зоны на участке 2 (рис. 45.).
По мере движения зоны
по участку 1 концентрация примеси в
жидкой фазе повышается и, в конце концов,
достигает значения, при котором дальнейшая
очистка не происходит (участок 2). Видно,
что при выходе кривой на насыщение
избыток примеси, поступающий в
расплавленную зону от фронта кристаллизации,
компенсируется растворением более
чистого материала на фронте плавления.
Иными словами, устанавливается равенство
на границах зоны:
или
.
Для графической
иллюстрации распределения примеси по
длине кристалла обычно результаты
расчета по выражению (48) строят в
приведенных координатах
и
(рис.
47.).
Рис. 47. Распределение примеси по части
длины кристалла, равной девяти
,
при различных значениях
,
полученное в результате одного прохода
зонной плавки.
Если сравнить рисунки 47 и 43, то видно, что направленная кристаллизация эффективнее очищает кристалл, чем один проход зонной плавки. Однако возможность многократного прохода зоны приводит к тому, что на практике применяют зонную плавку.
-
Многопроходная зонная плавка.
По-прежнему для
определенности рассматриваем случай
при
.
Рассмотрим полубесконечный кристалл. Верхним индексом (n) обозначим номер прохода. Поскольку для (n)-ого прохода зоны начальным распределением примеси в слитке будет являться результат предыдущего (n-1)-ого прохода, то дифференциал (46) принимает вид (в круглых скобках текущая координата):
.
(51)
. (52)
На
влияет не только
,
но и
.
Причем разница между ними с каждым
проходом зоны растет, а уход примеси в
кристалл оказывает меньшее влияние на
концентрацию примеси в жидкой фазе.
Милликеном
предложено измерять расстояния в
единицах приведенной длины
,
заменить интегрирование суммированием
и в области для совокупности n-распределений
воспользоваться выражением:
, (53)
где
.
Если надо найти одно n-ое распределение, то выражение (53) упрощается:
.
(54)
И, наконец, если значение
достаточно мало (
),
то можно воспользоваться выражением:
. (55)
В точке а = 0 концентрацию примеси для каждого прохода зоны можно определить из выражения:
.(56)
На последнем участке
уравнение будет иметь вид:
. (57)
Интегрирование
уравнений (51) и (52) представляет собой
определенную сложность, связанную с
тем, что при каждом новом проходе зоны
распределение примеси описывается
однотипным уравнением лишь на участке
,
поскольку только этот участок не
оказывает влияния на распределение
примеси в последней зоне.
-
Конечное распределение примеси
Найдем конечное распределение
примеси для полубесконечного образца.
В этом случае наступает динамическое
равновесие в расплавленной зоне: поток
примеси, оттесняемый в расплав от фронта
кристаллизации через диффузионный
слой, равен потоку примеси, поступающем
в диффузионный слой из расплава. Последний
поток формируется за счет растворения
обогащенного примесью кристалла на
фронте плавления. Иными словами, в
расплавленной зоне в предельном случае
наступает динамическое равновесие
между потоком примеси оттесняемого в
объем расплава от фронта кристаллизации
и потоком примеси от фронта плавления
через объем расплава к фронту
кристаллизации, т.е. наступает конечное
распределение примеси или
.
В результате этого реализуется ситуация,
показанная на рис. 48.
Рис. 48. Распределение примеси в расплавленной зоне при достижении конечного распределения (здесь для наглядности масштаб на оси С линейный).
Принимая
за
конечное распределение, концентрация
примеси в расплавленной зоне, математически
описывается:
или
.(58)
Решением этого уравнения является выражение вида:
, (59)
где
,
а В является
решением трансцендентного уравнения:
.
Следует отметить, в
рамках изложенной модели расчеты
многопроходной зонной плавки можно
корректно проводить лишь в ограниченной
области
,
т.е. для узких расплавленных зон. С другой
стороны, для соблюдения приближений
Пфанна ширина расплавленной зоны не
может быть короче 2.
На рис. 49. показано последовательное
распределение примеси в кристалле при
проходе через него 10 зон с
и
.
Избежать ограничений модели Пфанна позволяют более сложные подходы, показывающие, что конечное распределение отклоняется от приведенной экспоненциальной зависимости (рис. 49,а) в сторону бóльших концентраций примеси. Причем с увеличением n это отклонение все более заметно на средней части монокристалла (рис. 49,б).
Рис. 49. Распределение примеси в кристалле в зависимости от числа проходов зоны: а – рассчитанное по приближению Пфанна (пунктиром показано конечное распределение); б – расчет с учетом влияния последних зон [д.л. 15].