Модуль №2 Побудова і дослідження електронних схем.

2.1. Дослідження біполярного транзистора

Експеримент 1. Визначення статистичного коефіцієнта передачі струму транзистора

а)

Напруга джерела ЕДС:

Е_Б = 5,7 В

Струм бази транзистора:

І_Б = 49,15 мкА

Струм колектора транзистора:

І_К = 9,299 мА

Напруга колектор-емітер:

U_КЕ = 785,3 мВ

Статичний коефіцієнт передачі струму визначається за формулою β_DC = І_К / І_Б

β_DC = 189,2

б)

Напруга джерела ЕДС:

Е_Б = 2,68 В

Струм бази транзистора:

І_Б = 19,23 мкА

Струм колектора транзистора:

І_К = 3,753 мА

Напруга колектор-емітер:

U_КЕ = 757,1 мВ

Статичний коефіцієнт передачі струму:

β_DC = 195,2

в)

Напруга джерела ЕДС:

Е_Б = 5 В

Струм бази транзистора:

І_Б = 42,19 мкА

Струм колектора транзистора:

І_К = 8,067 мА

Напруга колектор-емітер:

U_КЕ = 780,6 мВ

Статичний коефіцієнт передачі струму:

β_DC = 191,2

Експеримент 4. Отримання вхідної характеристики транзистора в схемі із загальним емітером.

В)

Г) Rвх = 12,756 Ом

Експеримент 5. Отримання вхідної характеристики транзистора в схемі із загальною базою.

В) Re = 11,74 Om

Г) Re = 25 mB/Ie

For Ib =~ 20mkA – Ie = 1,821

Re = 13,728 Om

2.2 Дослідження операційного підсилювача

Експеримент 1. Вимірювання вхідних струмів.

Експеримент 2. Вимірювання напруги зміщення.

Експеримент3. Вимірювання вхідного і вихідного опорів

а) Скласти наступну схему. Увімкнути схему. Виміряти вхідний струм і вихідну напругу, записати результати вимірів:

- вхідного струму, мкА до перемикання ключа;

- зміни вхідної напруги, мВ;

- зміни вхідного струму, мкА;

- вхідного диференційного опору ОП, Ом.

Івх = 0.075 мкА

Uвх = -20.98 мВ

Iвх = 0.075 мкА

Rдиф = 100000 Ом

Перемкнути ключ. Виміряти вхідний струм після перемикання ключа. Розрахуйте зміни вхідної напруги і струму. За отриманими результатами обчислити диференційний вхідний опір ОП. Записати результати вимірів:

- вхідного струму, мкА до перемикання ключа;

- зміни вхідної напруги, мВ;

- зміни вхідного струму, мкА;

- вхідного диференційного опору ОП, Ом.

Івх = 0.065 мкА

Uвх = 20.98 мВ

Iвх = 0.065 мкА

Rдиф = 100000 Ом

б) Зменшувати опір навантаження до тих пір, поки вхідна напруга не буде дорівнювати приблизно половині значення, отриманого в п. а). Записати результати:

- вихідної напруги В;

- вихідного опору ОП.

Uвих = 10.84 В

Rвих = 80 Ом

Експеримент 4. Вимірювання часу наростання вихідної напруги операційного підсилювача.

Uвих = 10 B

t = 0,506 c

V = 19,76

2.3Дослідження логічних схем

Експеримент 1. Вивчення логічної функції АБО.

б) Y = 1XvX1

Y = 1v1 = 1

Експеримент 2. Вивчення логічної функції АБО-НІ.

б)

Експеримент 3.Вивчення логічних схем за допомогою генератора слів.

Індивідуальне завдання

Модуль 1

Варіант №8

Схема процесів в котушці індуктивності (співвідношення між струмом і напругою) при поданні послідовності однополярних прямокутних імпульсів струму.

Осцилограма напруги та часу затримки на котушці індуктивності

Параметри схеми:

• напруга на котушці 10 В;

• час дії напруги 1,02 с;

• приріст струму 20 А;

• індуктивність 0,002 Гн.

Індивідуальне завдання

Модуль 2

Варіант №8

Скласти схему дослідження біполярного транзистора, тип досліджуваного транзистора вибрати відповідно варіанту. Провести виміри зворотного струму І_ко.

Тип досліджуваного транзистора LM 3904

• Зворотний струм, І_ко= 823,4 мА