Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Комп. практика1 (2).doc
Скачиваний:
15
Добавлен:
16.11.2018
Размер:
3 Мб
Скачать
☆

1.2. Дослідження напівпровідникового діода

Експеримент 1. Зміна напруги та визначення струму через діод.

На робочому полі Electronics Worbench складаємо схему

Мультиметр показує напругу на діоді Uпр при прямому зміщенні.

Uпр= 1.358 В

Iпр= 3.642 мА

Перевертаємо діод і знову запускаємо схему. Тепер мультиметр покаже напругу на діоді Uзв при зворотному зміщенні.

Uзв= 4.995 В

Iзв= 4.995 мкА

Для перевірки правильності виконання експеримента обраховуємо Iпр та Iзв за формулами:

Iпр = (Е – Uпр)/R = (5 – 1.358)/1000 = 3.642 мА

Iзв = (Е – Uзв)/R = (5 – 4.995)/1000 = 0.005 мА

де Е – напруга джерела; R – опір.

Експеримент 2. Зміна струму

ІПР = 10,6 мА

ІЗВ = 0,01 мА

Експеримент 3. Зміна статичного опору діода

Опір діода при прямому підключенні:

RПР = 140,5 мОм

Опір діода при зворотному підключенні:

RЗВ = 997,6 Ом

Експеримент 4. Зняття вольт-амперної характеристики

а) Пряма гілка.

Е, В

UПР , мВ

ІПР , мА

5

1358

3,642

4

1344

2,656

3

1324

1,676

2

1286

0,714

1

998

0,002

0,5

499,5

0,0005

0

0

0

Б) Зворотня гілка.

Е, В

UЗВ , мВ

ІЗВ , мА

0

0

0

5

4995

0,005

10

9990

0,01

15

14980

0,015

В)

Графік ІПР (UПР)

Графік ІЗВ (UЗВ)

г) Диференціальний опір прямої гілки діода:

Д) RДИФ = 100 кОм

Е) Опір діода при ІПР = 0,4 мА:

RCT = 2,75 кОм

Ж) Напруга вигину за графіком ВАХ:

U = 1,29 B

Експеримент 5. Отримання ВАХ на екрані осцилографа

Напруга згину:

U = 1,58 B

1.3. Дослідження напівпровідникового стабілітрона

Експеримент 1. Вимірювання напруги та визначення струму через стабілітрон

а)

Е, В

UСТ , В

ІСТ , мА

0

0

0

4

4

0

6

5,05

3,167

10

5,175

16,083

15

5,299

32,337

20

5,414

48,62

25

5,527

64,91

30

5,639

81,203

35

5,749

97,503

В) Графік вольт-амперних характеристик:

Г) Напруга стабілізації за графіком ВАХ:

UСТ = 5,2 В

Д) Потужність розсіювання визначається за формулою РСТ = UСТ× ІСТ .

При напрузі Е = 20 В потужність розсіювання дорівнює:

РСТ = 0,26 Вт

Е) Диференційний опір стабілітрона:

RДИФ = 9,71 Ом

Експеримент 2. Отримання характеристики навантаження параметричного стабілізатора

RL , Oм

UCT , B

I1 , мА

IL , мА

ICT , мА

75

4

13,33

53,33

213,33

100

4,974

16,58

49,74

150,26

300

5,292

17,64

17,64

49,03

600

5,353

17,84

8,92

24,41

1000

5,377

17,92

5,38

14,63

К.з.

0

0

0

0

Експеримент 3. Отримання ВАХ стабілітрона на екрані осцилографа

Напруга стабілізації:

UCT = 5,42 В