Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Комп. практика1 (2).doc
Скачиваний:
10
Добавлен:
16.11.2018
Размер:
3.42 Mб
Скачать

1.2. Дослідження напівпровідникового діода

Експеримент 1. Зміна напруги та визначення струму через діод.

На робочому полі Electronics Worbench складаємо схему

Мультиметр показує напругу на діоді Uпр при прямому зміщенні.

Uпр= 1.358 В

Iпр= 3.642 мА

Перевертаємо діод і знову запускаємо схему. Тепер мультиметр покаже напругу на діоді Uзв при зворотному зміщенні.

Uзв= 4.995 В

Iзв= 4.995 мкА

Для перевірки правильності виконання експеримента обраховуємо Iпр та Iзв за формулами:

Iпр = (Е – Uпр)/R = (5 – 1.358)/1000 = 3.642 мА

Iзв = (Е – Uзв)/R = (5 – 4.995)/1000 = 0.005 мА

де Е – напруга джерела; R – опір.

Експеримент 2. Зміна струму

ІПР = 10,6 мА

ІЗВ = 0,01 мА

Експеримент 3. Зміна статичного опору діода

Опір діода при прямому підключенні:

RПР = 140,5 мОм

Опір діода при зворотному підключенні:

RЗВ = 997,6 Ом

Експеримент 4. Зняття вольт-амперної характеристики

а) Пряма гілка.

Е, В

UПР , мВ

ІПР , мА

5

1358

3,642

4

1344

2,656

3

1324

1,676

2

1286

0,714

1

998

0,002

0,5

499,5

0,0005

0

0

0

Б) Зворотня гілка.

Е, В

UЗВ , мВ

ІЗВ , мА

0

0

0

5

4995

0,005

10

9990

0,01

15

14980

0,015

В)

Графік ІПР (UПР)

Графік ІЗВ (UЗВ)

г) Диференціальний опір прямої гілки діода:

Д) RДИФ = 100 кОм

Е) Опір діода при ІПР = 0,4 мА:

RCT = 2,75 кОм

Ж) Напруга вигину за графіком ВАХ:

U = 1,29 B

Експеримент 5. Отримання ВАХ на екрані осцилографа

Напруга згину:

U = 1,58 B

1.3. Дослідження напівпровідникового стабілітрона

Експеримент 1. Вимірювання напруги та визначення струму через стабілітрон

а)

Е, В

UСТ , В

ІСТ , мА

0

0

0

4

4

0

6

5,05

3,167

10

5,175

16,083

15

5,299

32,337

20

5,414

48,62

25

5,527

64,91

30

5,639

81,203

35

5,749

97,503

В) Графік вольт-амперних характеристик:

Г) Напруга стабілізації за графіком ВАХ:

UСТ = 5,2 В

Д) Потужність розсіювання визначається за формулою РСТ = UСТ× ІСТ .

При напрузі Е = 20 В потужність розсіювання дорівнює:

РСТ = 0,26 Вт

Е) Диференційний опір стабілітрона:

RДИФ = 9,71 Ом

Експеримент 2. Отримання характеристики навантаження параметричного стабілізатора

RL , Oм

UCT , B

I1 , мА

IL , мА

ICT , мА

75

4

13,33

53,33

213,33

100

4,974

16,58

49,74

150,26

300

5,292

17,64

17,64

49,03

600

5,353

17,84

8,92

24,41

1000

5,377

17,92

5,38

14,63

К.з.

0

0

0

0

Експеримент 3. Отримання ВАХ стабілітрона на екрані осцилографа

Напруга стабілізації:

UCT = 5,42 В