Расчет показателей интенсивности отказов элементной базы.
Транзистор V3 (КТ817Б)
Марка транзистора КТ817Б; Тип транзистора n-p-n.
Значения интенсивности отказов для биполярных транзисторов рассчитывают по зависимости : λэ = λбсг∙ Kр ∙Kдн∙Kф∙Ks1∙Kэ∙Kк.
Значения коэффициентов находят из соответствующих таблиц или зависимостей:
табл.1: λбсг = 0,07∙10-6 ч-1 – транзисторы биполярные;
зависимость
(3): Kр
=
0,211
;
табл.8: Kдн = 0.6 – для Pмакс до 1Вт;
табл.4: Kф = 1,6 – аналоговый сигнал;
табл.5: Ks1= 0,5;
табл. 11: Kэ = 5 – прибор эксплуатируется в наземной стационарной аппаратуре;
табл. 10: Kк = 1 – уровень качества изготовления элементов соответствует I классу.
Таким образом, получаем:
λэ = λбсг∙ Kр ∙Kдн∙Kф∙Ks1∙Kэ∙ Kк = 0,07∙10-6∙0,211∙0,6∙1,6∙0,5∙5∙1 = 0,035448∙10-6 ч-1.
Транзистор V4 (КТ626А)
Марка транзистора КТ626А; Тип транзистора p-n-p.
Значения интенсивности отказов для биполярных транзисторов рассчитывают по зависимости : λэ = λбсг∙ Kр ∙Kдн∙Kф∙Ks1∙Kэ∙Kк.
Значения коэффициентов находят из соответствующих таблиц или зависимостей:
табл.1: λбсг = 0,07∙10-6 ч-1 – транзисторы биполярные;
зависимость
(3): Kр
=
0,2
;
табл.8: Kдн = 1.1 – для Pмакс до 10Вт;
табл.4: Kф = 1,6 – аналоговый сигнал;
табл.5: Ks1= 0,5;
табл. 11: Kэ = 5 – прибор эксплуатируется в наземной стационарной аппаратуре;
табл. 10: Kк = 1 – уровень качества изготовления элементов соответствует I классу.
Таким образом, получаем:
λэ = λбсг∙ Kр ∙Kдн∙Kф∙Ks1∙Kэ∙ Kк = 0,07∙10-6∙0,2∙1,1∙1,6∙0,5∙5∙1 = 0,0616∙10-6 ч-1.
Транзистор V6 (КТ315Б)
Марка транзистора КТ315Б; Тип транзистора n-p-n.
Значения интенсивности отказов для биполярных транзисторов рассчитывают по зависимости : λэ = λбсг∙ Kр ∙Kдн∙Kф∙Ks1∙Kэ∙Kк.
Значения коэффициентов находят из соответствующих таблиц или зависимостей:
табл.1: λбсг = 0,07∙10-6 ч-1 – транзисторы биполярные;
зависимость
(3): Kр
=
0,171
;
табл.8: Kдн = 0.6 – для Pмакс до 1Вт;
табл.4: Kф = 1,6 – аналоговый сигнал;
табл.5: Ks1= 0,5;
табл. 11: Kэ = 5 – прибор эксплуатируется в наземной стационарной аппаратуре;
табл. 10: Kк = 1 – уровень качества изготовления элементов соответствует I классу.
Таким образом, получаем:
λэ = λбсг∙ Kр ∙Kдн∙Kф∙Ks1∙Kэ∙ Kк = 0,07∙10-6∙0,171∙0,6∙1,6∙0,5∙5∙1 = 0,0287∙10-6 ч-1.
Резистор R1
R1 = 1.5 кОм.
Значения интенсивности отказов для постоянных резисторов: λэ = λбсг∙Kр∙KR∙Kэ∙ Kк.
Значения коэффициентов находят из соответствующих таблиц или зависимостей:
табл. 12 – λбсг=0,0016∙10-6 ч-1-см. примечание выше;
зависимость
(6) – Kр
=
0,419
;
табл. 14 – KR = 0.8 – номинал до 100кОм;
табл. 18 – Kэ = 2,5 – прибор эксплуатируется в наземной стационарной аппаратуре;
табл. 17 – Kк = 1,0 – уровень качества изготовления элементов соответствует I классу.
Таким образом, получаем:
λэ = λбсг ∙Kр∙KR∙Kэ∙Kк = 0,0016∙10-6 ∙0,419∙0,8∙2,5∙1 = 0,001344∙10-6 ч-1.
Резистор R2
R2 = 200 Ом.
Значения интенсивности отказов для постоянных резисторов: λэ = λбсг∙Kр∙KR∙Kэ∙ Kк.
Значения коэффициентов находят из соответствующих таблиц или зав-тей:
табл. 12 – λбсг=0,0016∙10-6 ч-1-см. примечание выше;
зависимость
(6) – Kр
=
0,29
;
табл. 14 – KR = 1,1– номинал до 1кОм;
табл. 18 – Kэ = 2,5 – прибор эксплуатируется в наземной стационарной аппаратуре;
табл. 17 – Kк = 1,0 – уровень качества изготовления элементов соответствует I классу.
Таким образом, получаем:
λэ = λбсг ∙Kр∙KR∙Kэ∙Kк = 0,0016∙10-6 ∙0,29∙1,1∙2,5∙1 = 0,001276∙10-6 ч-1.
Резистор R3
R3 = 360 Ом.
Значения интенсивности отказов для постоянных резисторов: λэ = λбсг∙Kр∙KR∙Kэ∙ Kк.
Значения коэффициентов находят из соответствующих таблиц или зав-тей:
табл. 12 – λбсг=0,0016∙10-6 ч-1-см. примечание выше;
зависимость
(6) – Kр
=
0,291
;
табл. 14 – KR = 1,1– номинал до 1кОм;
табл. 18 – Kэ = 2,5 – прибор эксплуатируется в наземной стационарной аппаратуре;
табл. 17 – Kк = 1,0 – уровень качества изготовления элементов соответствует I классу.
Таким образом, получаем:
λэ = λбсг ∙Kр∙KR∙Kэ∙Kк = 0,0016∙10-6 ∙0,291∙1,1∙2,5∙1 = 0,00128∙10-6 ч-1.
Резистор R4
R4 = 620 Ом.
Значения интенсивности отказов для постоянных резисторов: λэ = λбсг∙Kр∙KR∙Kэ∙ Kк.
Значения коэффициентов находят из соответствующих таблиц или зав-тей:
табл. 12 – λбсг=0,0016∙10-6 ч-1-см. примечание выше;
зависимость
(6) – Kр
=
0,29
;
табл. 14 – KR = 1,1– номинал до 1кОм;
табл. 18 – Kэ = 2,5 – прибор эксплуатируется в наземной стационарной аппаратуре;
табл. 17 – Kк = 1,0 – уровень качества изготовления элементов соответствует I классу.
Таким образом, получаем:
λэ = λбсг ∙Kр∙KR∙Kэ∙Kк = 0,0016∙10-6 ∙0,29∙1,1∙2,5∙1 = 0,001276∙10-6 ч-1.
Резистор R5
R5 = 430 Ом.
Значения интенсивности отказов для постоянных резисторов: λэ = λбсг∙Kр∙KR∙Kэ∙ Kк.
Значения коэффициентов находят из соответствующих таблиц или зав-тей:
табл. 12 – λбсг=0,0016∙10-6 ч-1-см. примечание выше;
зависимость
(6) – Kр
=
0,29
;
табл. 14 – KR = 1,1– номинал до 1кОм;
табл. 18 – Kэ = 2,5 – прибор эксплуатируется в наземной стационарной аппаратуре;
табл. 17 – Kк = 1,0 – уровень качества изготовления элементов соответствует I классу.
Таким образом, получаем:
λэ = λбсг ∙Kр∙KR∙Kэ∙Kк = 0,0016∙10-6 ∙0.29∙1.1∙2.5∙1 = 0,001276∙10-6 ч-1.
Резистор R6
R6 = 330 Ом.
Значения интенсивности отказов для постоянных резисторов: λэ = λбсг∙Kр∙KR∙Kэ∙ Kк.
Значения коэффициентов находят из соответствующих таблиц или зав-тей:
табл. 12 – λбсг=0,0016∙10-6 ч-1-см. примечание выше;
зависимость
(6) – Kр
=
0,292
;
табл. 14 – KR = 1,1– номинал до 1кОм;
табл. 18 – Kэ = 2,5 – прибор эксплуатируется в наземной стационарной аппаратуре;
табл. 17 – Kк = 1,0 – уровень качества изготовления элементов соответствует I классу.
Таким образом, получаем:
λэ = λбсг ∙Kр∙KR∙Kэ∙Kк = 0,0016∙10-6 ∙0.292∙1,1∙2,5∙1 = 0,001285∙10-6 ч-1.
Резистор R7
R7 = 3 кОм.
Значения интенсивности отказов для постоянных резисторов: λэ = λбсг∙Kр∙KR∙Kэ∙ Kк.
Значения коэффициентов находят из соответствующих таблиц или зав-тей:
табл. 12 – λбсг=0,0016∙10-6 ч-1-см. примечание выше;
зависимость
(6) – Kр
=
0,29
;
табл. 14 – KR = 0,8– номинал до 100кОм;
табл. 18 – Kэ = 2,5 – прибор эксплуатируется в наземной стационарной аппаратуре;
табл. 17 – Kк = 1,0 – уровень качества изготовления элементов соответствует I классу.
Таким образом, получаем:
λэ = λбсг ∙Kр∙KR∙Kэ∙Kк = 0,0016∙10-6 ∙0,29∙0,8∙2,5∙1 = 0.00093∙10-6 ч-1.
Резистор R8
R8 = 820 Ом.
Значения интенсивности отказов для постоянных резисторов: λэ = λбсг∙Kр∙KR∙Kэ∙ Kк.
Значения коэффициентов находят из соответствующих таблиц или зав-тей:
табл. 12 – λбсг=0,0016∙10-6 ч-1-см. примечание выше;
зависимость
(6) – Kр
=
0,29
;
табл. 14 – KR = 1,1– номинал до 1кОм;
табл. 18 – Kэ = 2,5 – прибор эксплуатируется в наземной стационарной аппаратуре;
табл. 17 – Kк = 1,0 – уровень качества изготовления элементов соответствует I классу.
Таким образом, получаем:
λэ = λбсг ∙Kр∙KR∙Kэ∙Kк = 0,0016∙10-6 ∙0,29∙1,1∙2,5∙1 = 0,001276∙10-6 ч-1.
Резистор R9
R2 = 820 Ом.
Значения интенсивности отказов для постоянных резисторов: λэ = λбсг∙Kр∙KR∙Kэ∙ Kк.
Значения коэффициентов находят из соответствующих таблиц или зав-тей:
табл. 12 – λбсг=0,0016∙10-6 ч-1-см. примечание выше;
зависимость
(6) – Kр
=
0,29
;
табл. 14 – KR = 1,1– номинал до 1кОм;
табл. 18 – Kэ = 2,5 – прибор эксплуатируется в наземной стационарной аппаратуре;
табл. 17 – Kк = 1,0 – уровень качества изготовления элементов соответствует I классу.
Таким образом, получаем:
λэ = λбсг ∙Kр∙KR∙Kэ∙Kк = 0,0016∙10-6 ∙0,29∙1,1∙2,5∙1 = 0,001276∙10-6 ч-1.
Конденсатор C1 (К50-35)
Марка конденсатора К50-35; C1 = 200 мкФ.
Значения интенсивности отказов для электролитических алюминиевых конденсаторов рассчитывают по зависимости (7): λэ = λбсг ∙Kp ∙Kc∙Kэ∙Kк.
Значения коэффициентов находят из соответствующих таблиц или зависимостей:
табл. 19 – λбсг = 0,0022∙10-6–Конденсаторы оксидно-электролитические алюминиевые;
зависимость
(8) – Kр
=0.127
;
зависимость (10) – Kc = 1 – С<103 мкФ;
табл. 21 – Kэ = 3 – прибор эксплуатируется в наземной стационарной аппаратуре;
табл. 22 – Kк = 1 – уровень качества изготовления элементов соответствует I классу.
Таким образом, получаем:
λэ = λбсг ∙Kp ∙Kc∙Kэ∙Kк= 0,0022∙10-6 ∙0.127∙1∙3∙1 =8.4∙10-10 ч-1.
Конденсатор C2 (К50-35)
Марка конденсатора К50-35; C2 = 100 мкФ.
Значения интенсивности отказов для биполярных керамических конденсаторов рассчитывают по зависимости (7): λэ = λбсг ∙Kp ∙Kc∙Kэ∙Kк.
Значения коэффициентов находят из соответствующих таблиц или зависимостей:
табл. 19 – λбсг = 0,0022∙10-6 ;
зависимость
(8) – Kр
=0.127
;
зависимость (10) – Kc = 1– С<103 мкФ;
табл. 21 – Kэ = 3 – прибор эксплуатируется в наземной стационарной аппаратуре;
табл. 22 – Kк = 1 – уровень качества изготовления элементов соответствует I классу.
Таким образом, получаем:
λэ = λбсг ∙Kp ∙Kc∙Kэ∙Kк= 0,0022∙10-6 ∙0.127∙1∙3∙1 = 8.4∙10-10 ч-1.
Диод V2 (КД509А)
Марка диода КД509А.
Значения интенсивности отказов для диодов рассчитывают по зависимости (2): λэ = λбсг ∙Kp ∙Kдн∙Kф∙Kс1∙Kэ∙Kк.
табл. 1 – λбсг = 0,045∙10-6
зависимость
(3) – Kр
=0.154
;
табл. 4 - Kф=1,1– аналоговый сигнал;
табл. 5 - Ks1=0,7;
табл. 9 - Kдн=0,7;
табл. 10 - Kк = 1 – уровень качества изготовления элементов соответствует I классу.
табл. 11: Kэ = 5 – прибор эксплуатируется в наземной стационарной аппаратуре;
Таким образом, получаем:
λэ = λбсг ∙Kp ∙Kдн∙Kф∙Kс1∙Kэ∙Kк= 0,045∙10-6∙0.154∙1,1∙0,7∙0,7∙5∙1 =0,0187 ∙10-6 ч-1.
Стабилитрон V1 (КС156А)
Значения интенсивности отказов для стапбилитронов рассчитывают по зависимости (2): λэ = λбсг ∙Kp ∙Kэ∙Kк.
табл. 1 – λбсг = 0,004∙10-6 - стабилитроны;
зависимость
(3) – Kр
=0.244
;
табл. 10 - Kк = 1 – уровень качества изготовления элементов соответствует I классу.
табл. 11: Kэ = 5 – прибор эксплуатируется в наземной стационарной аппаратуре;
Таким образом, получаем:
λэ = λбсг ∙Kp ∙Kэ∙Kк = 0,004∙10-6∙0.244∙5∙1 =0,0049 ∙10-6 ч-1.
Стабилитрон V5 (КС168А)
Значения интенсивности отказов для стапбилитронов рассчитывают по зависимости (2): λэ = λбсг ∙Kp ∙Kэ∙Kк.
табл. 1 – λбсг = 0,004∙10-6 - стабилитроны;
зависимость
(3) – Kр
=0.244
;
табл. 10 - Kк = 1 – уровень качества изготовления элементов соответствует I классу.
табл. 11: Kэ = 5 – прибор эксплуатируется в наземной стационарной аппаратуре;
Таким образом, получаем:
λэ = λбсг ∙Kp ∙Kэ∙Kк = 0,004∙10-6∙0.244∙5∙1 =0,0049 ∙10-6 ч-1.