Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
шпоргалка / шпоры по электронике 2011.docx
Скачиваний:
77
Добавлен:
12.02.2014
Размер:
692.06 Кб
Скачать

10. Транзистор. Физическая модель транзистора..

Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. По этому способу чередования различают npn и pnp транзисторы (n (negative) — электронный тип примесной проводимости, p (positive) — дырочный). В биполярном транзисторе, в отличие от других разновидностей, основными носителями являются и электроны, и дырки (от слова «би» — «два»).

Электрод, подключённый к центральному слою, называют базой, электроды, подключённые к внешним слоям, называют коллектором и эмиттером. На простейшей схеме различия между коллектором и эмиттером не видны. В действительности же коллектор отличается от эмиттера, главное отличие коллектора — большая площадь p — n-перехода. Кроме того, для работы транзистора абсолютно необходима малая толщина базы.

11. Технологии изготовления полупроводниковых диодов

Полупроводниковый диод - полупроводниковый прибор с двумя электродами, обладающий односторонней проводимостью. К полупроводниковым диодам относят обширную группу приборов с p-n-переходом, контактом металл - полупроводник и др. Наиболее распространены электропреобразовательные полупроводниковые диоды. Служат для преобразования и генерирования электрических колебаний. Один из основных современных электронных приборов.

Полупроводниковые диоды изготовляют из германия, кремния. селена и других веществ. Рассмотрим, как создается p-n переход при использовании донорной примеси, этот переход не удастся получить путем механического соединения двух полупроводников различных типов, т.к. при этом получается слишком большой зазор между полупроводниками. Эта толщина должна быть не больше межатомных расстояний. По этому в одну из поверхностей образца вплавляют индий. Вследствие диффузии атомов индии индия в глубь монокристалла германия у поверхности германия преобразуется область с проводимостью р-типа. Остальная часть образца германии, в которую атомы индия нс проникли, по-прежнему имеет проводимость n-типа. Между областями возникает p-n переход. В полупроводниковом диоде германий служит катодом, а индий - анодом.

12. Классификация диодов.

Понятие полупроводниковые диоды объединяет различные приборы с разными принципами действия, имеющие разнообразное назначение. Диоды делятся:

по принципу работы: выпрямительные, высокочастотные и сверхвысокочастотные (ВЧ- и СВЧ- диоды), импульсные, полупроводниковые стабилитроны (опорные диоды), туннельные, обращенные, варикапы и др.

по конструктивно - технологическим особенностям: плоскостные и точечные

по типу используемого материала: германиевые, кремниевые, арсенидо-галлиевые и др.

Описание различных диодов

Выпрямительный полупроводниковый диод - это полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока в постоянный. Выпрямительные диоды выполняются на основе р-n- перехода и имеют две области, одна из них является более низкоомной (содержит большую концентрацию примеси), и называется эмиттером. Другая область, база - более высокоомная (содержит меньшую концентрация примеси). В основе работы выпрямительных диодов лежит свойство односторонней проводимости р-n- перехода, которое заключается в том, что последний хорошо проводит ток (имеет малое сопротивление) при прямом включении и практически не проводит ток (имеет очень высокое сопротивление) при обратном включении. Как известно, прямой ток диода создается основными, а обратный - не основными носителями заряда. Концентрация основных носителей заряда на несколько порядков превышает концентрацию не основных носителей, чем и обусловливаются вентильные свойства диода.

Туннельный диод – полупроводниковый диод с падающим участком на прямой ветви ВАХ, обусловленный туннельным эффектом.. Падающий участок характеризуется отрицательным дифференциальным сопротивлением.

14 Выпрямительные схемы:

А) одноразовый выпрямитель Б) мостовая схема

Диод 1) открывается только положительные полупериоды. А) положительный период однополупериодный выпрямитель, Б) двухполупериодный выпрямитель: положительный полупериод открыты D2,D4 закрыт D3 (на выходе+) отрицательный полупериод открыты D3,D1 закрыты D2D4 (на выходе-)

В) мостовая схема с транзистором Г)двухполупериодный выпрямитель с трансформатором со средней точкой

16. Т - образная схема транзистора, эквивалентная схема транзистора

Параметры Z, У и Н наз-ся внешними параметрами, так как кроме свойств самого транзистора они зависят еще и от схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК). Поэтому иногда более удобно при расчетах использовать схемы замещения.

Тр-р в этом случае представляется эквивалентной схемой, состоящей из определенного кол-ва электрических элементов (сопротивления, индуктивности, емкости и т.д.). Однако одними пассивными элементами нельзя описать усилительные свойства тр-ра.

Эквивалентная схема транзистора