
- •Физические основы электроники
- •Элементы структурной кристаллографии
- •1. Методические указания по подготовке к работе
- •2. Порядок выполнения работы
- •3. Содержание отчета
- •1. Методические указания по подготовке к работе
- •2. Порядок выполнения работы
- •3. Содержание отчета
- •Исследование электрофизических свойств
- •1. Методические указания по подготовке к работе
- •2. Порядок выполнения работы
- •3. Содержание отчета
- •1. Методические указания по подготовке к работе
- •2. Порядок выполнения работы
- •Содержание отчета
- •Исследование варикапа
- •1. Методические указания по подготовке к работе
- •2. Порядок выполнения работы
- •3. Содержание отчета
- •Рекомендуемая литература
- •1. Методические указания по подготовке к работе
- •2. Порядок выполнения лабораторной работы
- •3. Содержание отчета
- •Определение ширины запрещенной зоны полупроводников
- •1. Методические указания по подготовке к выполнению работы
- •2. Порядок выполнение лабораторной работы
- •4. Обработка результатов измерений:
- •3. Содержание отчета
2. Порядок выполнения работы
Объект исследования
Прямоугольная пластина легированного германия с размерами a=11,5 мм ; b =7,5 мм; d=3,5 мм, снабженная холловскими зондами и токовыми электродами и помещенная между полюсами электромагнита ЭМ.
Схема лабораторной установки
Лабораторная установка (рис. 4) включает в себя:
– блок питания электромагнита АГАТ;
– микровольтметр В2-15 для измерения величины и знака разности потенциалов
U между холловскими зондами;
– блок питания образца (БПО).
Рис.4. Схема лабораторной установки
Порядок выполнения экспериментальной части работы
1. Получите у преподавателя вариант задания: значения токов через
обмотку электромагнита IЭМ и через исследуемый образец I0 .
2. Подготовьте лабораторную установку к работе:
– тумблеры питания на передних панелях БПО, В2-15 и АГАТ поставьте в положении ВЫКЛ.;
– ручку регулировки напряжения на передней панели АГАТА поверните до упора против часовой стрелки;
– регулятор тока I0 на передней панели БПО поверните до предела против часовой стрелки.
3. Проведите измерения ЭДС Холла:
– включите шнуры питания БПО, В2-15 и АГАТА в сеть электропитания;
– установите с помощью тумблеров « H» (прибор АГАТ) и « I0» (прибор БПО) первое сочетание знаков Н и I0, указанное в табл. 1;
– для данного сочетания знаков Н и I0 установите указанное в табл.1 положение переключателя пределов измерения и тумблера «полярность» (прибор В2-15);
– тумблеры питания на передних панелях БПО, В2-15 и АГАТА поставьте в положение ВКЛ., при этом стрелка прибора В2-15 отклонится вправо до предела и примерно через 15 с вернется в нулевое положение;
– с помощью ручки регулировки напряжения (АГАТ) установите (амперметр А2, вся шкала 5 А) значение тока Iэм через обмотку электромагнита, указанное в задании. Дайте приборам прогреться не менее 3 мин.
– измерьте разность потенциалов между холловскими зондами для первого сочетания знаков Н и I0 , для этого:
-
регулятором тока (прибор БПО) установите значение тока I0, протекающего через образец, указанное в задании (амперметр А1; вся шкала 5 мА). Отсчитайте число делений по шкале стрелочного прибора В2-15 и определите величину разности потенциалов U (в милливольтах), знак разности потенциалов определите по положению тумблера «полярность» и результаты запишите в табл.1.
-
регулятор тока I0 поверните до упора против часовой стрелки;
-
повторите измерение разности потенциалов между холловскими зондами для трех следующих сочетаний знаков Н и I0 (табл. 1);
-
результаты измерений занесите в табл. 1:
Таблица 1. Измеренные значения напряжения между холловскими зондами
№ изме- рения |
Подготовка приборов к измерению
|
Результаты измерений
|
|||
Сочетание знаков Н и I0 |
Положение переключателей пределов изме- рения (В2-15)
|
Положение тумблера «поляр- ность» (В2-15)
|
Число делений шкалы (В2-15)
|
Знак и величина U, мВ |
|
1 |
+ Н, + I0 |
mV = 1000 х 1 Вся шкала 1,0 мВ |
« – » |
|
|
2 |
+ Н, – I0 |
« + » |
|
|
|
3 |
– Н, + I0 |
mV = 100 х 1 Вся шкала 0,1 мВ |
« + » |
|
|
4 |
– Н, – I0 |
« – » |
|
|
4. Измерьте с помощью милливольтметра V1, расположенного на передней панели БПО (вся шкала прибора – 50 мВ), падение напряжения U0
на образце при значении тока I0, указанном в задании; результаты занесите в табл. 2
Таблица 2. Параметры полупроводника
I0, мА |
U0, мВ |
R0, Ом |
Параметры полупроводника |
|||
|
|
|
RX, м3 / Кл |
0 , 1/ Ом м |
y, м2/ В с |
n, 1/ м3 |
|
|
|
|
Обработка результатов измерений
1. Рассчитайте постоянную Xолла по формуле
м3/Кл,
где
мВ; d
–
толщина образца, м;
I0 – ток через образец, мА; B = 0 H – магнитная индукция, Тл ( = 1; 0 = 4p×10-7 Гн/м, H= КIэм – напряженность магнитного поля А/м, К = 49,95 103 м-1 Iэм – ток через электромагнит, А);
2. Рассчитайте удельную электропроводность, подвижность, концентрацию и определите знак носителя заряда по формулам:
0 = a/ R0 b d – удельная электропроводность образца, 1/ Ом×м,
где: a, b и d – размеры образца, м; R0 = U0 /I0 – сопротивление образца, Ом;
y =| Rx|0 – подвижность носителей, м2/ В с; n = 0 / |q| y – концентрация носителей, 1/м3; |q| = 1,6×10-19 - величина заряда носителя, Кл; RX = 1/ q n – соотношение для определения знака заряда.
Результаты расчетов занесите в табл.2.