Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Методичка по ФОМ.doc
Скачиваний:
10
Добавлен:
03.11.2018
Размер:
3.31 Mб
Скачать

2. Порядок выполнения работы

1. В данной работе экспериментальным путем определяются Vк, Na, Nd

а затем рассчитываются остальные характеристики p-n-перехода.

2. Объект исследования: p-n-переход германиевого диода Д-304.

3. Схемы исследования.

Схема измерения прямой ветви вольт-амперной характеристики (ВАХ) диода приведена на рис. 1.

Рис. 1. Схема измерения прямой ветви ВАХ

Схема собирается на монтажном шасси с использованием комплекта соединительных проводов. Напряжение питания подается от источника 0 – 3В (гнезда Г 7 блока 3 лабораторного стенда). Токи и напряжения измеряются внешними стрелочными измерительными приборами. Пределы измерений приборов указаны на схеме.

Схема измерения обратной ветви вольт-амперной характеристики диода приведена на рис. 2. Напряжение питания подается от источника 0 – 15В (гнезда Г 8 блока 3 лабораторного стенда).

Рис. 2. Схема измерения обратной ветви ВАХ

Порядок выполнения экспериментальной части работы:

1. Соберите схему, изображенную на рис. 1.

2. После проверки схемы преподавателем измерьте Uпр. прямой ветви вольт-амперной характеристики диода; значения прямого тока устанавливайте в соответствии с табл. 1.

Таблица 1. Значения прямого напряжения

Iпр., мА

0

2

10

20

30

40

80

120

160

200

240

280

Uпр.,В

3. Соберите схему, изображенную на рис. 2.

4. После проверки схемы преподавателем измерьте Iобр обратной ветви вольтамперной характеристики диода. Отсчет напряжения Uобр начинайте с Uобр =10 В и заканчивайте Uобр =1 В (10, 8,…,1); после точки Uобр =1 В снимите напряжение, выдернув штекер «+» из гнезда Г8 (это соответствует Uобр =0 В.

Таблица 2. Значения обратного тока

Uобр.,В

10

8

6

4

2

1

0

Iобр., мА

Обработка результатов измерений

1. Постройте вольт-амперную характеристику диода (зависимость тока, протекающего через диод от напряжения на диоде). Прямую и обратную ветви стройте на одном графике, используя разные масштабы.

2. Определите контактную разность потенциалов Vк, графическим путем, продлив линейные участок прямой ветви вольт-амперной характеристики до пересечения с осью напряжений (рис. 3)

3. Определите концентрации акцепторной примеси в р-области Nа, и донорной примеси в п-области Nd. Система уравнений для расчетов:

где : I0 – обратный ток насыщения (рис. 3); q = 1,610-19 Кл – заряд электрона;

k = 1,3810-23 Дж/К – постоянная Больцмана; T(K) – температура исследуемого перехода; S - площадь поперечного сечения p-n перехода задается преподавателем: вариант 1 – S = 0,07510-4 м2; вариант 2 – S = 0,110-4 м2; вариант 3 – S = 0,12510-4 м2.

Рис.3. ВАХ p-n-перехода

Dn, Dp, Ln, Lp, ni – параметры собственного полупроводника (германия), при Т = 300 К: Dn = 1,0110-2 м2/c – коэффициент диффузии электронов; Dp = 0,4910-2 м2/c – коэффициент диффузии дырок; Ln = 1,010-3 м – диффузионная длина электронов в р-области; Lp = 9,010-4 м – диффузионная длина дырок в п-области; ni = 2,51019 м-3 – концентрация свободных электронов.

В связи с тем, что фактическая температура, при которой проводятся измерения, незначительно отличается от T = 300 К, то в расчетах допускается использовать значения параметров собственного полупроводника для T = 300 К.

Примечание. 1. Система уравнений (1) решается следующим образом:

– из второго уравнения определяется численное значения произведения NdNa и одно из неизвестных, например, Na выражается через второе Nd;

– полученное выражение для Na подставляется в первое уравнение, и в результате получается квадратное уравнение относительно Nd, которое решается известным способом. 2. Из двух решений системы (1) для сочетаний Nd ,Na следует выбрать то, при котором барьерная емкость перехода меньше.

4. Определите суммарное электрическое сопротивление r контактных площадок и пассивных участков p-n-перехода:

(2)

где Ux, Ix – напряжение и ток в произвольной точке линейного участка прямой ветви вольт-амперной характеристики (см. рис. 3).

5. Рассчитайте толщину d(р-п) и барьерную емкость Сd/u=0 р-п-перехода по следующим формулам:

(3)

где e = 16 диэлектрическая проницаемость, Ge; e0 = 8,85·10-12 Ф/м – электрическая постоянная

(4))

6. Полученные результаты сведите в табл. 3.

Таблица 3. Рассчитанные параметры р-п-перехода

Vк ,В

Nа ,см-3

Nd, см-3

d(р-п), мкм

Сd / U=0, пФ