
- •Физические основы электроники
- •Элементы структурной кристаллографии
- •1. Методические указания по подготовке к работе
- •2. Порядок выполнения работы
- •3. Содержание отчета
- •1. Методические указания по подготовке к работе
- •2. Порядок выполнения работы
- •3. Содержание отчета
- •Исследование электрофизических свойств
- •1. Методические указания по подготовке к работе
- •2. Порядок выполнения работы
- •3. Содержание отчета
- •1. Методические указания по подготовке к работе
- •2. Порядок выполнения работы
- •Содержание отчета
- •Исследование варикапа
- •1. Методические указания по подготовке к работе
- •2. Порядок выполнения работы
- •3. Содержание отчета
- •Рекомендуемая литература
- •1. Методические указания по подготовке к работе
- •2. Порядок выполнения лабораторной работы
- •3. Содержание отчета
- •Определение ширины запрещенной зоны полупроводников
- •1. Методические указания по подготовке к выполнению работы
- •2. Порядок выполнение лабораторной работы
- •4. Обработка результатов измерений:
- •3. Содержание отчета
2. Порядок выполнение лабораторной работы
1. Объект исследования: кристаллы ZnSe и GaP.
2.
Схема лабораторной установки. Лабораторная
установка представляет собой
спектрофотометр СФ-26 с установленными
в нем пластинами исследуемых кристаллов
(рис. 1). Принцип работы прибора следующий.
Свет от источника (лампы накаливания)
превращается в параллельный пучок и
подается на диспергирующую призму, где
разлагается в спектр. Требуемый участок
спектра вырезается с помощью щели.
Ширина щели может изменяться в пределах
от 0,01
до 20 мм
(ручка 1) и контролируется по шкале ЩЕЛЬ
(2). Поток лучей вырезанного участка
спектра попадает на фотоприемник,
выходное напряжение которого регистрируется
стрелочным прибором (3). Относительная
интенсивность Т
светового
потока (при выбранной ширине щели)
отсчитывается по верхней
Рис 1. Передняя панель СФ-26 (органы управления, не используемые в работе, не показаны)
шкале стрелочного прибора. Длина волны спектральной составляющей изменяется путем поворота диспергирующей призмы (ручка 4) и контролируется по шкале ДЛИНА ВОЛНЫ (5). Если на пути светового потока поместить исследуемый образец, то стрелочный прибор зарегистрирует только ту часть потока, которая пройдет через образец.
В работе исследуется спектр оптической прозрачности кристаллов ZnSe и GaP в диапазоне волн от 640 до 400 нм. Исследуемые образцы размещаются в светонепроницаемом отсеке спектрофотометра (кювете) между оптической системой и фотоприемником (рис. 2), закрепляются на специальной каретке и могут перемещаться в направлении перпендикулярном световому потоку с помощью выдвижного штока, на который насажена ручка (6). При полностью вдвинутом штоке на пути светового потока оказывается образец ZnSe, при полностью выведенном – образец GaP. Среднее положение, отмеченное красной меткой на выдвижном штоке, соответствует прямому попаданию светового потока на вход фотоприемника.
Р
ис.
2. Схема размещения образцов
Порядок выполнения экспериментальной части работы
Порядок подготовки и включения спектрофотометра. Перед включением спектрофотометра в сеть в присутствии преподавателя (лаборанта) ознакомьтесь с размещением исследуемых образцов. Проверьте положение органов управления спектрофотометра: переключатель ЗАКР-ОТКР (7) должен находиться в положении ЗАКР; переключатель К-Ф на верхней панели СФ-26 должен находиться в положении Ф (фотометрия); ручка НУЛЬ (8) должна быть была повернута до предела по часовой стрелке.
Включите спектрометр:
– установите ширину щели – 0,3 мм (ручка 1, шкала ЩЕЛЬ 2);
– включите вилку шнура питания спектрофотометра в розетку, а тумблер (9) переключите в положение СЕТЬ, при этом должны загореться две лампочки: лампочка СЕТЬ и красная лампочка Н;
– дайте спектрофотометру прогреться в течение 15 мин.;
– ручкой НУЛЬ (8), установите стрелку прибора (3) на нулевую отметку верхней шкалы.
2. Измерение спектральной характеристики системы «источник света – фотоприемник»:
– поставьте выдвижной шток с помощью ручки 6 в среднее положение (выдвиньте шток до появления красной метки);
– установите длину волны 640 нм (ручка 4);
– переключатель ЗАКР-ОТКР (7) переведите в положение ОТКР;
– медленно уменьшая длину волны (ручка 4), добейтесь максимального отклонения стрелки, и затем, изменяя ширину щели (ручка 1), установите стрелку прибора на отметку 100% (Т0 = Т0(max) = 100 %) В дальнейшем ширину щели не менять! После этого снова установите длину волны 640 нм;
– изменяя длину волны через 20 нм, определите относительную интенсивность Т0 спектральных составляющих в диапазоне длин волн от 640 до 400 нм, и результаты запишите в табл. 1.
Таблица 1. Экспериментальные и расчетные характеристики
Длина волны , нм |
Результаты измерений, % |
Результаты расчетов |
||||
Т0 |
Т1 |
Т2 |
|
|
|
|
Без образца |
ZnSe |
GaP |
||||
640 . . 400 |
|
|
|
|
|
|
3. Измерение оптической прозрачности образцов ZnSe и GaP.
Образец ZnSe:
– установите длину волны 640 нм;
– полностью вдвиньте выдвижной шток (при этом на пути светового потока окажется образец ZnSe);
– изменяя длину волны через 20 нм, определите относительную интенсивность спектральных составляющих Т1 в диапазоне длин волн от 640 до 400 нм и результаты запишите в табл. 1; при некоторой длине волны (граница световой прозрачности гр) интенсивность спектральной составляющей, прошедшей через образец, становится равной нулю Т1 = 0 и при дальнейшем уменьшении длины волны не изменяется; медленно изменяя вблизи Т1 = 0, определите точное значение 1гр и запишите его в табл. 2.
Таблица 2. Значения граничных длин волн
1гр = |
2гр = |
Образец GaP:
– установите длину волны 640 нм;
– полностью выдвиньте шток (при этом на пути светового потока окажется образец GaP);
– по аналогии с образцом ZnSe измерьте оптическую прозрачность Т2 = f( ) и граничную длину волны 2гр ; результаты запишите в табл. 1 и 2.
Внимание. После окончания измерений необходимо:
– переключатель (7) перевести в положение ЗАКР.;
– выключить тумблер СЕТЬ (9);
– вынуть вилку шнура питания спектрофотометра из сетевой розетки.