
- •Полупроводниковые приборы
- •Полупроводники
- •Электронно-дырочный переход
- •Вентильное свойство идеального p-n перехода
- •Емкость идеального p-n перехода
- •Полупроводниковый диод
- •Вольт-амперная характеристика реального p-n перехода. Пробой
- •Полупроводниковые приборы с одним выпрямляющим переходом
- •Биполярный транзистор
- •Полевые транзисторы
- •Особенности мощных высоковольтных транзисторов
- •Однопереходные транзисторы
- •Тиристоры
- •Усилители
- •Каскадирование как принцип построения электронных устройств
- •Классификация усилителей
- •Основные параметры усилителей
- •Обратные связи в усилителях
- •Усилители на биполярных транзисторах
- •Обеспечение начального режима работы усилителя
- •Усилитель с эмиттерной стабилизацией
- •Математические модели биполярного транзистора
- •Расчет усилителя с эмиттерной стабилизацией по переменному току
- •Усилитель с ок
- •Фазоинверсный каскад
- •Усилители постоянного тока
- •Дифференциальный усилитель
- •Выходные каскады
- •Операционный усилитель
- •Операционный усилитель как идеальный усилитель
- •Передаточная характеристика оу
- •Скорость нарастания оу
- •Упрощенная внутренняя структура оу
- •Основные схемы включения оу
- •Компенсация смещения
- •Ослабление синфазных сигналов
- •Частотная коррекция операционного усилителя
- •Использование оу при однополярном питании
- •Усилители с промежуточным преобразованием
- •Импульсные усилители
- •Общие требования к ключевым каскадам
- •Ключи на биполярных транзисторах
- •Общая характеристика
- •Расчет ключа на биполярном транзисторе
- •Повышение быстродействия ключей на биполярных транзисторах
- •Ключи на полевых транзисторах
- •Общая характеристика
- •Особенности управления мощными полевыми транзисторами
- •Регулирование мощности с использованием ключевых схем
- •Схемы формирования заданного тока и напряжения
- •Источники вторичного электропитания
- •Структура и основные параметры
- •Выпрямители
- •Устройства стабилизации мгновенных значений напряжения
- •Устройства стабилизации среднего значения напряжения
- •Импульсные стабилизаторы напряжения
- •Генераторы сигналов
- •Частотно-зависимые устройства
- •Аналоговые фильтры
- •Синтез корректирующих звеньев
- •Схемная реализация корректирующих звеньев
- •Схемная реализация регулятора
- •Библиографический список
- •Оглавление
-
Математические модели биполярного транзистора
Математической моделью биполярного транзистора называется совокупность уравнений, в общем случае — дифференциальных, описывающих его функционирование. Иногда математические модели называют эквивалентными схемами или схемами замещения.
|
|
Рис. 61 |
л15р2 |





,
где
— барьерная емкость коллекторного
перехода;
— дифференциальный коэффициент передачи
базового тока;
.
Ток коллектора в данной эквивалентной схеме определяется следующей зависимостью:
,
где
;
;
в первом приближении можно считать, что
;
— дифференциальное сопротивление
коллекторного перехода.
Рассмотренная эквивалентная схема получается в случае замены статических входных и выходных характеристик транзистора, включенного по схеме с ОЭ, аппроксимирующими отрезками. Поэтому на использование данной схемы замещения налагается ряд ограничений: транзистор используется в прямом включении в режиме активной работы или отсечки, амплитуды переменны составляющих тока коллектора и напряжения коллектор-эмиттер невелики.
В качестве примера применим полученную эквивалентную схему для определения тока базы транзистора в схеме с H-смещением (рис. 62,а).
|
|
|
|
а) |
б) |
|
|
Рис. 62 |
л15р4 |
Пусть
в схеме используется транзистор, для
которого
,
,
,
.
Выполним эквивалентное преобразование
схемы, с учетом того, что напряжение на
базе транзистора определяется резисторами
и
.
Цепь формирования напряжения на базе
может быть заменена дополнительным
источником напряжения
с сопротивлением
(рис. 62,б).
Заменим транзистор
его эквивалентной схемой (рис. 63). В
данной эквивалентной схеме для простоты
отсутствует резистор
в цепи эмиттера, т. к. обычно
.
Полученная схема позволяет рассчитать
искомый ток базы: транзистора:
.
Рис. 63
|
л15р5 |
-
Расчет усилителя с эмиттерной стабилизацией по переменному току
Расчет
усилителя с эмиттерной стабилизацией
по переменному току сводится к расчету
конденсаторов
,
,
с целью обеспечения требуемого
коэффициента усиления по напряжению и
заданной полосы пропускания.
Проведем
анализ усилителя с эмиттерной стабилизацией
с использованием математической модели
транзистора. На рис. 64,а показана
эквивалентная схема усилителя, в которой
транзистор заменен схемой замещения.
Для упрощения анализа в эквивалентной
схеме замещения транзистора источником
тока
и резистором
пренебрегаем, т. к. значение
велико (
),
а
мало (
).
Параметры
элементов усилителя (в частности, емкости
конденсаторов
,
и
)
выбирают таким образом, чтобы были малы
реактивные сопротивления этих элементов
в заданном диапазоне частот. Соответственно,
в линейной эквивалентной схеме пренебрежем
реактивными сопротивлениями конденсаторов
,
и
.
Транзистор для усилителя выбирают с
такой предельной частотой
,
которая не меньше верхней границы полосы
пропускания. Поэтому в линейной
эквивалентной схеме усилителя для
средних частот не используют емкости
транзистора. Пренебрежение емкостями
позволяет все коэффициенты при расчете
усилителя считать вещественными и
постоянными.
|
|
|
а) |
б) |
|
Рис. 64 |
л16р3 |
Поскольку
нас интересуют только переменные
составляющие токов и напряжений, то
величиной
и сопротивлением источника питания
пренебрегаем. Будем считать, что
сопротивление источника входного
переменного напряжения
.
При правильном выборе емкости конденсатора
резисторы
и
практически не оказывают влияние на
коэффициент усиления усилителя, поэтому
исключим их из эквивалентной схемы.
Линейная
эквивалентная схема усилителя с линейной
стабилизацией показана на рис. 64,б.
Из этой схемы видно, что для переменных
составляющих токов и напряжений резисторы
и
включены параллельно. При ручных
графических расчетах этот факт находит
отражение в том, что на выходных
характеристиках строят так называемую
линию нагрузки на переменном токе ЛН~,
наклон которой определяется величиной
(рис. 65). Именно по линии ЛН~ перемещается
рабочая точка РТ (не НРТ!), характеризующая
режим работы усилителя при наличии
переменного входного сигнала
.
|
|
Рис. 65 |
л16р5 |






В силу
второго закона Кирхгофа можно записать,
что.
В свою очередь, напряжения, входящие в
последнюю формулу, определяются как
.
Подставив выражения
для напряжений в формулу для
,
с учетом линейности модели и связи между
током базы и током коллектора
,
получим выражение следующего вида:
|
|
Если величина
велика,
то в знаменателе можно пренебречь
слагаемым
.
Кроме того, если при расчетах не задается
сопротивление нагрузки, или сопротивление
нагрузки много больше сопротивления
резистора
,
то формула для
существенно упрощается:
Сопротивление
характеризует вполне конкретный
транзистор и может существенно меняться
от экземпляра к экземпляру. Чтобы
обеспечить независимость коэффициента
усиления рассматриваемого усилителя
от этого параметра транзистора,
последовательно с конденсатором
может быть включен дополнительный
резистор
.
На рис. 60 данный резистор показан
штриховыми линиями. Очевидно, что на
задание НРТ этот резистор не влияет.
Если
,
то коэффициент усиления схемы будет
определяться следующим выражением:
Ведение
дополнительного сопротивления может
потребовать учета величины сопротивления
.
Если при этом учитывать сопротивление
нагрузки, то выражение для коэффициента
усиления примет следующий вид:
Для рассматриваемого каскада значения
коэффициента усиления по напряжению
редко превышают 4…5. Следует отметить,
что каскад является инвертирующим, т.
е. при усилении гармонического сигнала
разность фаз выходного и входного
сигналов в полосе пропускания будет
равна 180.
Выбор
емкости конденсаторов
,
и
связан с необходимостью обеспечить
незначительное емкостное сопротивление
этих элементов в полосе пропускания
усилителя. Как известно, емкостное
сопротивление конденсатора емкостью
на частоте
определяется выражением
.
Следовательно, увеличением емкости
конденсаторов можно добиться отсутствия
влияние с их стороны на сигнал, что
удовлетворяет рассмотренной математической
модели. Однако чрезмерное увеличение
емкости конденсаторов не желательно,
т. к. ведет к увеличению габаритов
конденсаторов и к другим негативным
явлениям. Определим верхние границы
для емкостей конденсаторов, входящих
в схему.
Конденсатор
совместно с нагрузкой
образуют для переменного напряжения,
присутствующего на выходе усилителя,
делитель. Чтобы обеспечить на нагрузке
переменное напряжение с амплитудой
необходимо, чтобы на коллекторе
транзистора присутствовало напряжение
.
Емкость конденсатора
,
следовательно, можно определить из
условия
.
Если принять, что
,
то
.
В формуле в качестве частоты
должна выступать минимальная (нижняя)
частота полосы пропускания. Емкостное
сопротивление конденсатора
должно быть много меньше сопротивления
.
По аналогии с формулой для емкости
можно записать, что
.
При задании емкости конденсатора
следует учитывать, что для переменного
напряжения он образует делитель совместно
с входным сопротивлением
собственно каскада на транзисторе.
Определим это сопротивление. С учетом
емкостного сопротивления конденсатора
расчетная схема (см. рис. 64,б) примет
следующий вид, показанный на рис. 66.
Входное сопротивление транзисторного
|
|
Рис. 66 |
л16р6 |





,
тогда
.
Сопротивление
называют входным дифференциальным
сопротивлением транзистора в схеме с
ОЭ. Если в схеме присутствует дополнительное
сопротивление
,
оно должно быть учтено в выражении для
.
Емкостное сопротивление конденсатора
должно быть много меньше сопротивления
,
следовательно можно записать, что
.
В ряде
случаев емкости конденсаторов
,
и
могут назначаться из требования
обеспечения заданной АЧХ усилителя.