Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Основна частина Семко С.С.-РАм-08.docx
Скачиваний:
8
Добавлен:
28.10.2018
Размер:
284 Кб
Скачать
☆

2.4 Розрахунок симетричного тригера

Дано:

  • амплітуда вихідного сигналу Um = 13 В;

  • максимальна частота перемикання fперек мах =60 кГц;

  • колекторний струм Iкн = 0,14 мА

Потрібно розрахувати параметри всіх елементів тригера.

1. Вибирається напруга джерела колекторного живлення

Ек = (1,1...1,2) Um = (13,2…14,4)=15,6 В.

Приймається Ек = 15 В.

2. Тип транзистора вибирається з умов: Ек доп>2Ек, fпр>(2...3)fперек max. Для выбранного транзистора типа КТ 203Б: Uкэ max = 30 В, Iк max = 10 мА (Iкн max = 50 mA), Iко = 1 мкА, Uкэо = 1 В, Uэбо = 0,2 В, h21э = 30...150, fh21б = 5 МГц, Cк = 10 пФ, ср = 72.

3. Опір в колекторному ланцюзі

Ом.

Вибираємо найближче значення із номінального ряду резисторів Rk=100Ом

4. Величини прискорюючих ємкостей

С1 = С2 =,

де  – постійна часу коефіцієнта підсилення струму емітера

.

Підставляючи в довідкові і розраховані раніше величини, отримаємо розрахункові значення прискорюючих конденсаторів

Ф.

Вибираємо найближче значення із номінального ряду конденсаторів C=4.7nF

5. Опір в ланцюзі бази

де

тоді кОм.

6. Напруга зсуву

В, приймається Еб = 0,5 В.

7. Опір зв'язку Rс визначається шляхом сумісного рішення нижче приведених рівнянь (3.6) –(3.8).

звідки Iсмо = 0,13 мA, тоді

.

Icо = 2,2мA.

Для ланцюга эмиттер–база відкритого транзистора складається рівняння по другому закону Кірхгофа

звідки .

Вибираємо найближче значення із номінального ряду резисторів Rс = 6,8 кОм.

Рисунок 2.5- Моделювання симетричного тригера

Результатом моделювання є імпульси з періодом Т=50мкс, а в результаті обрахунку отримано мінімальний період імпульсу Тmin=36 мкс, тому розрахунок є вірним оскільки результат моделювання перевищує розрахункове значення на 30 %

Висновок:

В даній курсовій роботі я розробив методику розрахунку без трансформаторного блока живлення .Розрахував основні параметри його елементів, за якими провів моделювання в середовищі Or Cad.

Провів розрахунок та схемотехнічне моделювання базових схем за заданими параметрами. Переконався, що результати розрахунків відповідають результатам моделювання.

ПЕРЕЛІК ПОСИЛАНЬ

  1. Бочаров Л.Н.-Расчет электронных устройств на транзисторах .Москва. «Енергия»1978.

  2. Гершунский-Справочник по расчёту электронных схем.Київ. «Вища школа» 1983

  3. Р.Граф. Электронные схемы.1300 примеров.МирПер.с англ.,1989.668 с.

  4. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. – Электроника.Москва. «Вища школа »

  5. Расчет электронных схем. Примеры и задачи. Учебное пособие. Под редакцией Г.И.Изъюрова М.Высшая школа., 1987.-335с.

  6. Семенов Б.Ю.-Силовая электроника.Москва. «Библиотека инженера»

28