- •Міністерство освіти і науки України
- •Курсова робота
- •Тердотільної електроніки розрахунок Польового транзистора із затвором шотткі
- •Теоретичні відомості
- •Розрахункова частина
- •Список використаної літератури. Вступ
- •1.Теоретична відомості
- •1.1. Властивості напівпровідникового матеріалу в транзисторах Шотткі
- •1.2.Структура польового транзистора із затвором Шотткі
- •1.3.Принцип дії польових транзисторів із затвором Шотткі
- •1.4. Застосування польових транзисторів з бар'єром Шотткі
- •1.4.1.Підсилювачі
- •1.4.2. Підсилювачі потужності
- •1.4.3. Інші види підсилювачів
- •1.4.4. Генератори
- •1.4.5. Змішувачі
- •1.4.6. Інші застосування птш
- •У пояснювальній записці курсового проекту необхідно обґрунтувати:
- •2.Розрахункова частина
- •2.1. Розрахунок напруги відсікання і насичення
- •2.2.Розрахунок вольт-ємнісної характеристики бар’єра Шотткі
- •2.3.Розрахунок вольт-амперних характеристик польових транзисторів із затвором Шотткі
- •2.4.Розрахунок основних електричних параметрів польового транзистора із затвором Шотткі
- •Висновок
- •Список літератури
Висновок
Для виготовлення ПТШ використовують переважно арсенід галію, оскільки цей напівпровідниковий матеріал знайшов найбільш широке застосування для виготовлення дискретних ПТШ і інтегральних схем на його основі.
На даній курсовій роботі дослідили структуру польового транзистора із затвором Шотткі, його конструктивні особливості і застосування. Розраховано основні електричні параметри (опір повністю відкритого каналу Rк0=15,625 Ом; напругу відсікання Uвідс= 5,435·10-3 (В); напругу на стоці
Uс.нас=-5,435·10-3 (В) за якої струм стоку досягає насичення); розраховано бар'єрну ємність Сб=1,147·10-7 (Ф/см2) та побудовано вольт-ємнісну характеристику бар'єра Шотткі; розраховано сім'ю вихідних статичних вольт-амперних характеристик та крутість характеристик в режимі насичення, побудовано графіки цих залежностей.
Список літератури
-
Дружинін А.О. Твердотільна електроніка. Фізичні основи і властивості напівпровідникових приладів: Навч. посібник. – Львів: Видавництво Національного університету „Львівська політехніка”, 2009. – 332с.
-
Дружинін А.О. Розрахунок і проектування польових транзисторів: Методичні вказівки до виконання курсової роботи з курсу "Фізика польових напівпровідникових приладів і компонентів МОН ІС" - Львів: Видавництво Національного Університету "Львівська Політехніка", 2006.- 40с.
-
Молчанов В.І., Кобак М.М., Татарчук Д.Д. Методичні вказівки до виконання лабораторної роботи з курсу „Мікроелектроніка надвисоких частот” - Київ: Видавництво „Політехніка”, 2007.-41 с.
-
М. А. Філинюк, О. М. Куземко, Л. Б. Ліщинська. Інформаційні пристрої на основі потенційно-нестійких багатоелектродних напівпровідникових структур Шотткі : Монографія – Вінниця: ВНТУ, 2009. – 274 с.