- •1) Основные вехи становления и развития электроники. Микроэлектроника и наноэлектроника. Изделия элементной базы.
- •2) Электропроводность собственных и примесных п/п.
- •3) Силы связи.
- •1) Собственные и примесные п/п. Энергетические диаграммы, концентрации носителей заряда.
- •2) Параметры, характеризующие движение носителей заряда в полупроводниках. Подвижности носителей заряда, их взаимосвязь с этими параметрами.
- •3) «Идеальный» p-n переход, его вольт-амперная характеристика.
- •1) Полное и приведённое уравнение Шрёдингера.
- •2) Эффект поля. Образование обеднённого, обогащённого и инверсного слоёв. Энергетические диаграммы.
- •3) Размерные эффекты в тонких плёнках.
- •1) Концентрация носителей заряда в собственных и примесных полупроводниках. Уровень Ферми, зависимость его положения от температуры.
- •2) Вах реального диода.
- •3) Тиристоры.
- •1) Распределение носителей заряда по энергиям в полупроводниках. Физический смысл энергетического уровня Ферми. Положение уровня Ферми в полупроводниках.
- •2) Работа выхода в металле и полупроводнике. Контакт металл-металл.
- •3) Шумы: основные механизмы, параметры.
- •1) Диффузионная ёмкость p-n перехода и диода.
- •2) Соотношение Эйнштейна. Взаимосвязь диффузионной длины и времени жизни неравновесных носителей заряда.
- •3) Малосигнальные статистические параметры мдп-транзистора. Статистические вах n-канального транзистора с индуцированным каналом.
- •2) Принцип выпрямления, простейшая схема для выпрямления. Сравнение свойств выпрямительных диодов из кремния и германия.
- •3) Пробой p-n перехода: механизмы.
- •1) Инжекция в p-n переходе. Уровень инжекции. Распределение инжектированных носителей заряда по координате.
- •2) Импульсные свойства диодов.
- •3) Способы изоляции элементов в полупроводниковых микросхемах, их сравнение.
- •1) Дефекты в кристаллических телах. Их разновидности, влияние на свойства тел.
- •2) Биполярный транзистор: схемы включения, принцип работы, статистические параметры.
- •2) Межзонная (непосредственная) рекомбинация. Уравнение рассасывания.
- •3) Зависимость подвижности носителей заряда от температуры.
- •1) Параметры, характеризующие рекомбинацию в полупроводниках.
- •3) Элементы полупроводниковых микросхем: активные и пассивные функциональные, технологические. Их структуры, основные параметры.
- •1) Биполярный транзистор: структура, статистические вах в схеме с общим эмиттером. Режимы работы. Эффект Эрли.
- •2) Стабилитроны и стабисторы.
- •3) Основы зонной теории
- •1) Электронно-дырочный (p-n) переход в состоянии равновесия.
- •2) Структура материалов. Структура кремния и арсенида галлия. Кристаллические и аморфные твёрдые тела. Трансляционная симметрия. Индексы Миллера.
- •3) Электроны в атоме. Волновые свойства микрочастиц. Соотношения Де Бройля. Уравнение Шрёдингера. Движение электрона в ограниченной области пространства.
- •1) Эффективные массы носителей заряда в полупроводнике.
- •2) Контакты металл-полупроводник: разновидности, энергетические диаграммы, свойства.
- •1) Элементы коммутации изделий микроэлектроники.
- •2) Схема и принцип действия усилительного прибора.
- •3) Гетеропереход между полупроводниками разного типа электропроводности.
- •1) Зависимость толщины обеднённого слоя p-n перехода от приложенного напряжения. Барьерная емкость. C-V характеристики.
- •2) Работа биполярного транзистора в импульсном режиме
- •3) Стационарное состояние полупроводника. Неравновесные концентрации носителей заряда.
- •1) Механизмы движения носителей заряда в полупроводниках. Неравновесные носители заряда. Уравнение непрерывности.
- •2) Диффузионные длины и времена жизни неравновесных носителей заряда.
- •3) Тепловой ток p-n перехода и диода.
- •1) Электронно-дырочный (p-n) переход при обратном смещении. Экстракция. Распределение неосновных носителей заряда их по координате в областях перехода.
- •2) Контакты между полупроводниками одного типа электропроводности.
- •3) Туннельный диод.
- •1) Соотношение неопределённости Гейзенберга. Энергетические зоны. Энергетические диаграммы металла и непроводника.
- •2) Работа выхода и контактная разность потенциалов в металле и полупроводнике.
- •3) Биполярный транзистор: конструкция, схемы включения, малосигнальные эквивалентные схемы и параметры.
- •1) Гетеропереход между проводниками одного типа электропроводимости.
- •2) Выпрямительный диод. Диод Шотки.
- •3) Биполярный транзистор: конструкция, схемы включения, Модель Эберса-Молла, её применение.
- •1) Тепловой механизм пробоя p-n перехода.
- •2) Вырожденные и невырожденные системы. Фермионы и бозоны.
- •3) Элементарные ячейки кристаллических решёток. Аллотропия. Изотропия и анизотропия свойств. Трансляционная симметрия.
- •1) Обращённый диод.
- •2) Принцип функционирования биполярного транзистора.
- •3) Системы, их разновидности. Микро и макроскопические состояния термодинамической системы.
- •1) Три начала термодинамики. Энтропия.
- •2) Стабилитрон.
2) Биполярный транзистор: схемы включения, принцип работы, статистические параметры.
Биполярный транзистор – полупроводниковый элемент с двумя p-n переходами и тремя выводами, который служит для усиления или переключения сигналов.
Режимы: Усилительный (Э – прям, К – обр макс. ток), Инверсный (Э – обр, К – прям. мин. ток), Насыщения (Э,К – прям), Отсечки (Э,К – обр. ток почти 0).
Графики – стат. ВАХ (а) – входные, (б) – выходные n-p-n с ОЭ.
насыщения (заштрихованная область левее линии 0А); отсечки (заштрихованная область ниже линии 0Б, соответствующая закрытому состоянию транзистора); активной (незаштрихованная область между линиями 0А 0Б, соответствующая активному состоянию транзистора).
Ещё рисунок билет 11, вопрос 2. 3) Механизмы рекомбинации: через локальные уровни, через поверхностные уровни.
Рекомбинация через ловушку (лок ур.) связана с наличием разрешенных энергетических уровней в запрещенной зоне. Такие уровни возникают в результате нарушений периодической структуры кристалла, вызванных атомами примеси, дислокациями, дефектами упаковки, растрескиваниями, вакансиями и др. Локальные состояния в запрещенной зоне могут захватывать свободные носители заряда, поэтому они называются ловушками. При рекомбинации через ловушки происходит захват, например, сначала электрона, а потом дырки. На зонной диаграмме этот процесс может быть изображен следующим образом; электрон переходит из зоны проводимости на уровень ловушки, а затем в валентную зону, заполняя один из свободных уровней, то есть рекомбинируя с дыркой.
При поверхностной рекомбинации роль ловушек играют локальные поверхностные состоянии, которые возникают вследствие обрыва кристаллической структуры полупроводника на поверхности кристалла. На протекание поверхностной рекомбинации оказывают большое влияние состояние поверхности: наличие окисной пленки, загрязнений и др.
Билет 10.
1) МДП-транзистор: конструкция, статистические параметры, пороговое напряжение.
Конструкция (билет 7, вопрос 1). Статистические параметры (билет 6, вопрос 3).
МДП-транзистора с индуцированным каналом. При нулевом напряжении на затворе канал отсутствует. Если увеличить его (по модулю), то при некотором значении напряжения затвор-исток U0, называемом пороговым напряжением, на поверхности полупроводника будет индуцироваться инверсный слой, электропроводность которого совпадает с электропроводностью стока и истока. В результате области стока и истока оказываются соединенными тонким проводящим каналом между собой, и во внешней цепи возникает ток.
2) Межзонная (непосредственная) рекомбинация. Уравнение рассасывания.
Межзонная рекомбинация происходит при переходе электрона из зоны проводимости в валентную зону. Этот процесс происходит в том случае, если электрон теряет свою энергию, и она становится ниже, чем минимальная энергия в зоне проводимости (нижняя граница зоны). Электрон не может обладать значениями энергии из запрещённой зоны, а значит, сразу переходит в валентную зону (Во всех видах рекомбинации соблюдаются все законы сохранения энергии и квазиимпульса, суммарная энергия системы не изменяется).
Процессы непосредственной рекомбинации характеризуются дифференциальным уравнением рассасывания. Это уравнение представляет зависимость скорости убывания концентрации неравновесных носителей dn/dt и dp/dt, происходящей в результате выключения источника инжекции, от разности скорости рекомбинации неравновесных носителей R и скорости генерации равновесных носителей заряда . При этом предполагается, что в течение процесса рекомбинации выполняется условие электронейтральности полупроводника, то есть концентрации избыточных носителей заряда равны между собой (). Исходя из сказанного, выражение для дифференциального уравнения рассасывания можно записать в виде
, где n=no+Dn, p=po+Dp - концентрации неравновесных носителей заряда в полупроводнике.