- •1) Основные вехи становления и развития электроники. Микроэлектроника и наноэлектроника. Изделия элементной базы.
- •2) Электропроводность собственных и примесных п/п.
- •3) Силы связи.
- •1) Собственные и примесные п/п. Энергетические диаграммы, концентрации носителей заряда.
- •2) Параметры, характеризующие движение носителей заряда в полупроводниках. Подвижности носителей заряда, их взаимосвязь с этими параметрами.
- •3) «Идеальный» p-n переход, его вольт-амперная характеристика.
- •1) Полное и приведённое уравнение Шрёдингера.
- •2) Эффект поля. Образование обеднённого, обогащённого и инверсного слоёв. Энергетические диаграммы.
- •3) Размерные эффекты в тонких плёнках.
- •1) Концентрация носителей заряда в собственных и примесных полупроводниках. Уровень Ферми, зависимость его положения от температуры.
- •2) Вах реального диода.
- •3) Тиристоры.
- •1) Распределение носителей заряда по энергиям в полупроводниках. Физический смысл энергетического уровня Ферми. Положение уровня Ферми в полупроводниках.
- •2) Работа выхода в металле и полупроводнике. Контакт металл-металл.
- •3) Шумы: основные механизмы, параметры.
- •1) Диффузионная ёмкость p-n перехода и диода.
- •2) Соотношение Эйнштейна. Взаимосвязь диффузионной длины и времени жизни неравновесных носителей заряда.
- •3) Малосигнальные статистические параметры мдп-транзистора. Статистические вах n-канального транзистора с индуцированным каналом.
- •2) Принцип выпрямления, простейшая схема для выпрямления. Сравнение свойств выпрямительных диодов из кремния и германия.
- •3) Пробой p-n перехода: механизмы.
- •1) Инжекция в p-n переходе. Уровень инжекции. Распределение инжектированных носителей заряда по координате.
- •2) Импульсные свойства диодов.
- •3) Способы изоляции элементов в полупроводниковых микросхемах, их сравнение.
- •1) Дефекты в кристаллических телах. Их разновидности, влияние на свойства тел.
- •2) Биполярный транзистор: схемы включения, принцип работы, статистические параметры.
- •2) Межзонная (непосредственная) рекомбинация. Уравнение рассасывания.
- •3) Зависимость подвижности носителей заряда от температуры.
- •1) Параметры, характеризующие рекомбинацию в полупроводниках.
- •3) Элементы полупроводниковых микросхем: активные и пассивные функциональные, технологические. Их структуры, основные параметры.
- •1) Биполярный транзистор: структура, статистические вах в схеме с общим эмиттером. Режимы работы. Эффект Эрли.
- •2) Стабилитроны и стабисторы.
- •3) Основы зонной теории
- •1) Электронно-дырочный (p-n) переход в состоянии равновесия.
- •2) Структура материалов. Структура кремния и арсенида галлия. Кристаллические и аморфные твёрдые тела. Трансляционная симметрия. Индексы Миллера.
- •3) Электроны в атоме. Волновые свойства микрочастиц. Соотношения Де Бройля. Уравнение Шрёдингера. Движение электрона в ограниченной области пространства.
- •1) Эффективные массы носителей заряда в полупроводнике.
- •2) Контакты металл-полупроводник: разновидности, энергетические диаграммы, свойства.
- •1) Элементы коммутации изделий микроэлектроники.
- •2) Схема и принцип действия усилительного прибора.
- •3) Гетеропереход между полупроводниками разного типа электропроводности.
- •1) Зависимость толщины обеднённого слоя p-n перехода от приложенного напряжения. Барьерная емкость. C-V характеристики.
- •2) Работа биполярного транзистора в импульсном режиме
- •3) Стационарное состояние полупроводника. Неравновесные концентрации носителей заряда.
- •1) Механизмы движения носителей заряда в полупроводниках. Неравновесные носители заряда. Уравнение непрерывности.
- •2) Диффузионные длины и времена жизни неравновесных носителей заряда.
- •3) Тепловой ток p-n перехода и диода.
- •1) Электронно-дырочный (p-n) переход при обратном смещении. Экстракция. Распределение неосновных носителей заряда их по координате в областях перехода.
- •2) Контакты между полупроводниками одного типа электропроводности.
- •3) Туннельный диод.
- •1) Соотношение неопределённости Гейзенберга. Энергетические зоны. Энергетические диаграммы металла и непроводника.
- •2) Работа выхода и контактная разность потенциалов в металле и полупроводнике.
- •3) Биполярный транзистор: конструкция, схемы включения, малосигнальные эквивалентные схемы и параметры.
- •1) Гетеропереход между проводниками одного типа электропроводимости.
- •2) Выпрямительный диод. Диод Шотки.
- •3) Биполярный транзистор: конструкция, схемы включения, Модель Эберса-Молла, её применение.
- •1) Тепловой механизм пробоя p-n перехода.
- •2) Вырожденные и невырожденные системы. Фермионы и бозоны.
- •3) Элементарные ячейки кристаллических решёток. Аллотропия. Изотропия и анизотропия свойств. Трансляционная симметрия.
- •1) Обращённый диод.
- •2) Принцип функционирования биполярного транзистора.
- •3) Системы, их разновидности. Микро и макроскопические состояния термодинамической системы.
- •1) Три начала термодинамики. Энтропия.
- •2) Стабилитрон.
3) Системы, их разновидности. Микро и макроскопические состояния термодинамической системы.
Микроскопическое состояние (или микросостояние) — это состояние системы, определяемое заданием координат и импульсов всех составляющих систему частиц. Макроскопическое состояние (или макросостояние) — это состояние системы, характеризуемое небольшим числом величин (Р, V, T) и, быть может, еще некоторыми другими).
В современной физике существует следующая классификация термодинамических систем по признаку их возможности обмена энергией и веществом с окружающей средой или с другими системами:
а) Система открытая, если возможен обмен энергией и веществом.
б) Система закрытая, если обмен энергией возможен, а обмен веществом невозможен.
Закрытые системы дополнительно подразделяются по признаку возможности осуществления энергообмена следующим образом:
а) Система замкнутая, если энергообмен возможен, но работа над системой не совершается.
б) Система адиабатная, если полностью отсутствует энергообмен системы с окружающей средой.
в) Система изолированная, если невозможен обмен системы с окружающей средой ни энергией, ни веществом.
Билет 24.
1) Три начала термодинамики. Энтропия.
Первое начала термодинамики
Количество теплоты, полученное системой, идёт на изменение её внутренней энергии и совершение работы против внешних сил
Изменение внутренней энергии системы при переходе её из одного состояния в другое равно сумме работы внешних сил и количества теплоты, переданного системе и не зависит от способа, которым осуществляется этот переход
Второе начало термодинамики
Невозможен процесс, единственным результатом которого являлась бы передача тепла от более холодного тела к более горячему
Невозможен круговой процесс, единственным результатом которого было бы производство работы за счет охлаждения теплового резервуара (энтропия)
Третье начало термодинамики может быть сформулировано так:
Приращение энтропии (как на меру беспорядка в системе) при абсолютном нуле температуры стремится к конечному пределу, не зависящему от того, в каком равновесном состоянии находится система
Энтропия — это то, как много информации вам не известно о системе Например, если вы спросите меня, где я живу, и я отвечу: в России, то моя энтропия для вас будет высока, всё-таки Россия большая страна.
2) Стабилитрон.
Стабилитроном называют полупроводниковый диод, напряжение на обратной ветви ВАХ которого в области электрического пробоя слабо зависит от значения проходящего тока. Вольт-амперная характеристика стабилитрона. Существующие стабилитроны имеют минимальное напряжение стабилизации примерно до 3 В.
Правая ветвь ВАХ аналогична ВАХ диода, а левая отвечает за тот самый туннельный пробой. Пока обратное напряжение не достигло напряжения пробоя, ток через стабилитрон практически не течёт, не считая утечки. При дальнейшем увеличении обратного напряжения, в определенный момент начинается пробой, он характеризуется загибом ВАХ. Дальнейшее увеличение обратного напряжения приводит к туннельному пробою, в этом состоянии ток через стабилитрон растёт, а напряжение нет. Отличительной чертой туннельного пробоя является, его обратимость, то есть после снятия приложенного напряжение стабилитрон вернётся в исходное состояние. Если же максимально допустимый ток будет превышен и произойдёт тепловой пробой, стабилитрон выйдет из строя.
Дополнительно: (про стабисторы билет 13 вопрос 2).
3) r- и g- параметры биполярных транзисторов.
(h-параметры билет 15, вопрос 3). Биполярный транзистор в схемотехнических приложениях представляют как четырехполюсник и рассчитывают его параметры для такой схемы. Для транзистора как четырехполюсника характерны два значения тока I1 и I2 и два значения напряжения U1 и U2 (рис. 5.23).
В зависимости от того, какие из этих параметров выбраны в качестве входных, а какие в качестве выходных, можно построить три системы формальных параметров транзистора как четырехполюсника. Это системы z-параметров, y-параметров и h-параметров. Рассмотрим их более подробно, используя линейное приближение.
Система z-параметров
Зададим в качестве входных параметров биполярного транзистора как четырехполюсника токи I1 и I2, а напряжения U1 и U2 будем определять как функции этих токов. Тогда связь напряжений и токов в линейном приближении будет иметь вид:
Коэффициенты в этих уравнениях определяются следующим образом:
- определяются как входное и выходное сопротивления.
- сопротивления обратной и прямой передач.
Измерения z-параметров осуществляются в режиме холостого хода на входе (I1 = 0) и выходе (I2 = 0). Реализовать режим разомкнутого входа I1 = 0 для биполярного транзистора достаточно просто (сопротивление эмиттерного перехода составляет всего десятки Ом и поэтому размыкающее сопротивление в цепи эмиттера в несколько кОм уже позволяет считать I1 = 0). Реализовать режим разомкнутого выхода I2 = 0 для биполярного транзистора сложно (сопротивление коллекторного перехода равняется десяткам МОм и размыкающее сопротивление в цепи коллектора в силу этого должно быть порядка ГОм).
Система y-параметров
Зададим в качестве входных параметров биполярного транзистора как четырехполюсника напряжения U1 и U2, а токи I1 и I2 будем определять как функции этих напряжений. Тогда связь токов и напряжений в линейном приближении будет иметь вид:
Коэффициенты в уравнениях имеют размерность проводимости и определяются следующим образом:
- входная и выходная проводимости.
- проводимости обратной и прямой передач.
Измерение y-параметров происходит в режиме короткого замыкания на входе (U1 = 0) и выходе (U2 = 0). Реализовать режим короткого замыкания на входе (U1 = 0) для биполярного транзистора достаточно сложно (сопротивление эмиттерного перехода составляет всего десятки Ом и поэтому замыкающее сопротивление в цепи эмиттера должно составлять доли Ома, что достаточно сложно). Реализовать режим короткого замыкания на выходе U2 = 0 для биполярного транзистора просто (сопротивление коллекторного перехода равняется десяткам МОм и замыкающие сопротивления в цепи коллектора могут быть даже сотни Ом).
Vk.com/valerianko