- •1) Основные вехи становления и развития электроники. Микроэлектроника и наноэлектроника. Изделия элементной базы.
- •2) Электропроводность собственных и примесных п/п.
- •3) Силы связи.
- •1) Собственные и примесные п/п. Энергетические диаграммы, концентрации носителей заряда.
- •2) Параметры, характеризующие движение носителей заряда в полупроводниках. Подвижности носителей заряда, их взаимосвязь с этими параметрами.
- •3) «Идеальный» p-n переход, его вольт-амперная характеристика.
- •1) Полное и приведённое уравнение Шрёдингера.
- •2) Эффект поля. Образование обеднённого, обогащённого и инверсного слоёв. Энергетические диаграммы.
- •3) Размерные эффекты в тонких плёнках.
- •1) Концентрация носителей заряда в собственных и примесных полупроводниках. Уровень Ферми, зависимость его положения от температуры.
- •2) Вах реального диода.
- •3) Тиристоры.
- •1) Распределение носителей заряда по энергиям в полупроводниках. Физический смысл энергетического уровня Ферми. Положение уровня Ферми в полупроводниках.
- •2) Работа выхода в металле и полупроводнике. Контакт металл-металл.
- •3) Шумы: основные механизмы, параметры.
- •1) Диффузионная ёмкость p-n перехода и диода.
- •2) Соотношение Эйнштейна. Взаимосвязь диффузионной длины и времени жизни неравновесных носителей заряда.
- •3) Малосигнальные статистические параметры мдп-транзистора. Статистические вах n-канального транзистора с индуцированным каналом.
- •2) Принцип выпрямления, простейшая схема для выпрямления. Сравнение свойств выпрямительных диодов из кремния и германия.
- •3) Пробой p-n перехода: механизмы.
- •1) Инжекция в p-n переходе. Уровень инжекции. Распределение инжектированных носителей заряда по координате.
- •2) Импульсные свойства диодов.
- •3) Способы изоляции элементов в полупроводниковых микросхемах, их сравнение.
- •1) Дефекты в кристаллических телах. Их разновидности, влияние на свойства тел.
- •2) Биполярный транзистор: схемы включения, принцип работы, статистические параметры.
- •2) Межзонная (непосредственная) рекомбинация. Уравнение рассасывания.
- •3) Зависимость подвижности носителей заряда от температуры.
- •1) Параметры, характеризующие рекомбинацию в полупроводниках.
- •3) Элементы полупроводниковых микросхем: активные и пассивные функциональные, технологические. Их структуры, основные параметры.
- •1) Биполярный транзистор: структура, статистические вах в схеме с общим эмиттером. Режимы работы. Эффект Эрли.
- •2) Стабилитроны и стабисторы.
- •3) Основы зонной теории
- •1) Электронно-дырочный (p-n) переход в состоянии равновесия.
- •2) Структура материалов. Структура кремния и арсенида галлия. Кристаллические и аморфные твёрдые тела. Трансляционная симметрия. Индексы Миллера.
- •3) Электроны в атоме. Волновые свойства микрочастиц. Соотношения Де Бройля. Уравнение Шрёдингера. Движение электрона в ограниченной области пространства.
- •1) Эффективные массы носителей заряда в полупроводнике.
- •2) Контакты металл-полупроводник: разновидности, энергетические диаграммы, свойства.
- •1) Элементы коммутации изделий микроэлектроники.
- •2) Схема и принцип действия усилительного прибора.
- •3) Гетеропереход между полупроводниками разного типа электропроводности.
- •1) Зависимость толщины обеднённого слоя p-n перехода от приложенного напряжения. Барьерная емкость. C-V характеристики.
- •2) Работа биполярного транзистора в импульсном режиме
- •3) Стационарное состояние полупроводника. Неравновесные концентрации носителей заряда.
- •1) Механизмы движения носителей заряда в полупроводниках. Неравновесные носители заряда. Уравнение непрерывности.
- •2) Диффузионные длины и времена жизни неравновесных носителей заряда.
- •3) Тепловой ток p-n перехода и диода.
- •1) Электронно-дырочный (p-n) переход при обратном смещении. Экстракция. Распределение неосновных носителей заряда их по координате в областях перехода.
- •2) Контакты между полупроводниками одного типа электропроводности.
- •3) Туннельный диод.
- •1) Соотношение неопределённости Гейзенберга. Энергетические зоны. Энергетические диаграммы металла и непроводника.
- •2) Работа выхода и контактная разность потенциалов в металле и полупроводнике.
- •3) Биполярный транзистор: конструкция, схемы включения, малосигнальные эквивалентные схемы и параметры.
- •1) Гетеропереход между проводниками одного типа электропроводимости.
- •2) Выпрямительный диод. Диод Шотки.
- •3) Биполярный транзистор: конструкция, схемы включения, Модель Эберса-Молла, её применение.
- •1) Тепловой механизм пробоя p-n перехода.
- •2) Вырожденные и невырожденные системы. Фермионы и бозоны.
- •3) Элементарные ячейки кристаллических решёток. Аллотропия. Изотропия и анизотропия свойств. Трансляционная симметрия.
- •1) Обращённый диод.
- •2) Принцип функционирования биполярного транзистора.
- •3) Системы, их разновидности. Микро и макроскопические состояния термодинамической системы.
- •1) Три начала термодинамики. Энтропия.
- •2) Стабилитрон.
2) Выпрямительный диод. Диод Шотки.
Рис. 1. Полупроводниковый выпрямительный диод: а – условное графическое изображение, б – идеальная вольт-амперная характеристика, в – реальная вольт-амперная характеристика
Диод – двухэлектродный полупроводниковый прибор с одним p–n-переходом, обладающий односторонней проводимостью тока.
Работа выпрямительного диода объясняется свойствами электрического p–n-перехода. Вблизи границы двух полупроводников образуется слой, лишенный подвижных носителей заряда (из-за рекомбинации) и обладающий высоким электрическим сопротивлением, – так называемый запирающий слой. Этот слой определяет контактную разность потенциалов (потенциальный барьер).
Если к p–n-переходу приложить внешнее напряжение, создающее электрическое поле в направлении, противоположном полю электрического слоя, то толщина этого слоя уменьшится и при напряжении 0,4 - 0,6 В запирающий слой исчезнет, а ток существенно возрастет (этот ток называют прямым).
При подключении внешнего напряжения другой полярности запирающий слой увеличится и сопротивление p–n-перехода возрастет, а ток, обусловленный движением неосновных носителей заряда, будет незначительным даже при сравнительно больших напряжениях.
Прямой ток диода создается основными, а обратный – неосновными носителями заряда. Положительный (прямой) ток диод пропускает в направлении от анода к катоду.
На рис. 1 показаны условное графическое обозначение (УГО) и характеристики выпрямительных диодов (их идеальная и реальная вольт-амперная характеристики). Видимый излом вольт-амперной характеристики диода (ВАХ) в начале координат связан с различными масштабами токов и напряжений в первом и третьем квадранте графика. Два вывода диода: анод А и катод К в УГО не обозначаются и на рисунке показаны для пояснения.
На вольт-амперная характеристика реального диода обозначена область электрического пробоя, когда при небольшом увеличении обратного напряжения ток резко возрастает.
Рис. 4. УГО и структура диода Шоттки: 1 – низкоомный исходный кристалл кремния, 2 – эпитаксиальный слой высокоомного кремния, 3 – область объемного заряда, 4 – металлический контакт
Диоды Шоттки или более точно - диоды с барьером Шоттки — это полупроводниковые приборы, выполненные на базе контакта металл-полупроводник, в то время как в обычных диодах используется полупроводниковый p-n-переход.
Вся инфа в учебнике на стр. 105-108.
Отличительными особенностями ДШ являются: высокое быстродействие, малое падение напряжения при прямом смещении (0,3-0,4В), высокий КПД выпрямления и широкие возможности использования в качестве доп. Элементов в конструкциях различных транзисторов и других п/п приборов с целью расширения функциональных возможностей.
3) Биполярный транзистор: конструкция, схемы включения, Модель Эберса-Молла, её применение.
Конструкция и схемы (билет 9, вопрос 2).
Для анализа работы транзистора в схемах Дж.Д.Эберс и Дж.Л.Молл в 1954 г . предложили простые и удобные модели транзистора, различные варианты которой широко используются на практике. В эти модели входят управляемые источники тока, управляемые токами, учитывающие связь между взаимодействующими p - n -переходами в биполярном транзисторе. Эти модели справедливы для всех режимов работы транзистора. Простейшим вариантом низкочастотной модели Эберса-Молла является модель с идеальными p - n -переходами и двумя источниками тока. На рис. 3.11 представлена такая модель.
Здесь - коэффициент передачи коллекторного тока в инверсном режиме;- токи, текущие через переходы
Билет 22.