2. Параметры мощных биполярных транзисторов

Тип

u_{к. доп}

i_{к m доп}

I_{к0 доп}

f_т

₀

L_э

L_б

L_к

С_к

r_б

r_нас

R_{т. п-к}

t _{п. доп}

2Т909Б

60

8,0

4,0

700

35

0,2

2,5

2,0

60

0,5

1,0

2,5

160

2Т912А

70

–

20,0

100

30

5,0

5,0

5,0

200

0,5

1,2

1,66

150

2Т922В

65

9,0

3,0

350

80

0,9

2,4

2,4

60

0,5

1,0

3,0

160

2Т925В

36

8,5

3,3

1000

80

1,0

2,4

2,4

45

–

0,4

4,40

150

2Т930А

50

–

6,0

900

60

0,4

1,6

1,6

66

–

1,0

1,60

160

2Т930Б

50

–

10,0

900

55

0,2

1,4

1,6

145

–

0,5

1,0

160

2Т931А

60

–

15,0

400

50

0,3

1,5

1,6

200

–

0,3

0,80

160

2Т950А

40

–

10,0

250

55

2,1

2,3

4,0

145

–

0,4

1,25

200

2Т950Б

65

–

7,0

120

55

2,1

2,3

4,0

165

–

1,0

1,75

200

2Т956А

100

–

15,0

150

40

2,8

2,8

2,6

370

–

0,5

1,68

200

2Т957А

100

–

20,0

110

40

1,4

2,2

2,0

520

–

0,3

1,68

200

2Т958А

36

–

10,0

660

130

0,4

0,6

1,6

140

–

0,5

1,40

160

2Т960А

36

–

7,0

1050

–

0,4

0,5

1,6

90

–

0,3

1,75

160

2Т964А

80

–

10,0

225

30

2,8

1,9

1,6

255

–

1,0

0,75

200

2Т967А

36

–

15,0

220

55

2,0

2,2

2,2

350

–

0,1

1,70

200

2Т971А

50

–

17,0

390

–

0,2

0,6

0,1

65

–

0,2

0,60

160

2Т980А

100

–

10,0

210

38

1,6

1,9

2,8

300

–

0,5

0,57

200