Добавил:

cowboy2995 Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.

Вуз:

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ"

Предмет:

Устройства генерирования и формирования радиосигналов

Файл:

Курсачи / УГФРС / ОТ МАКСА / методичка для курсового по УГФРС / 110.DOC

Скачиваний:

Добавлен:

21.12.2017

Размер:

771.58 Кб

Скачать

☆

1 / 31 2 3 > Следующая >>>

= 0,007  0,286/50 = 0,04 мA.

Напряжение смещения на базе

= – 0,092  0,174 + 0,25 =0,234 В.

5. Расчет элементов цепей питания.

Индуктивность дросселя в цепи коллекторного питания = 25  75,8/2 3 10 = 100,6 мкГн.

Часто, с точки зрения технологичности целесообразно заменить дроссель балластным резистором , сопротивление которого выбирается из аналогичного условия, т. е. =(20...30).

Напряжение источника коллекторного питания = =, где определяется из соотношения (1.3). В том слу-чае, когда вместо дросселя используется балластный резистор при вычис-лении , необходимо учесть падение напряжения на этом резисторе.

Расчет цепей базового автосмещения проводится на основе соотношений (1.6) – (1.8), а выбирается из условия .

1.3.4. Расчет автогенератора с кварцевым резонатором в цепи обратной связи

При разработке методики расчета АГ, выполненного по схеме рис. 1.5, так же как и в предыдущем случае, воспользуемся уравнением стационарного состояния [2]:

= 1, (1.16)

где ; – обобщенная расстройка; – нагруженная добротность контура в коллекторной цепи АГ; 2; – емкость контура; – собственное сопротивление потерь в контуре; =+ – комплексное сопротивление, представляющее собой параллельное соединение входного сопротивления транзистора, включенного по схеме с общей базой, и резистора в эмиттерной цепи R4.

Учитывая, что наибольшая стабильность частоты АГ может быть получена только в том случае, когда частота генерации совпадает с частотой последовательного резонанса КвР, в дальнейшем будем считать . Фазовый угол средней крутизны транзистора при его включении по схеме с общей базой существенно меньше, чем в схеме с общим эмиттером, что позволяет считать крутизну транзистора вещественной и положить . Кроме того учтем, что емкость кварцедержателя нейтрализована индуктивностью , выбранной из условия . Тогда, записав соотношение (1.16) отдельно для мнимых и вещественных составляющих и выполнив необходимые преобразования, получим уравнения баланса фаз и баланса амплитуд:

, т. е ; (1.17)

=1, (1.18)

где ; ; ; - сопротивление, вносимое в контур цепью обратной связи.

В процессе расчета необходимо определить параметры колебательной системы АГ ( и ) и цепи обратной связи ( и ). Поэтому, помимо уже имеющихся двух уравнений (1.17) и (1.18), необходимо составить еще 2. Одним из них может служить уравнение, связывающее мощность, рассеиваемую КвР, с параметрами АГ, т. е. . Учтя, что , можно получить=. Из последнего соотношения следует, что =. Нетрудно заметить, что выполнение полученного равенства возможно только при условии, что <, которое необходимо учесть при выборе амплитуды импульса коллекторного тока транзистора.

Таким образом, задавшись значениями , и , по известным параметрам КвР и транзистора можно рассчитать и определить .

Далее, учтя, что эквивалентное сопротивление контура без учета потерь, вносимых цепью , , определяется равенством , где , приведем выражение для к виду .

С учетом последнего равенства уравнение баланса амплитуд может быть представлено как

=1, (1.19)

где – эквивалентное сопротивление контура в точках подключения кварцевого резонатора.

Высокая фиксирующая способность КвР может быть реализована только в том случае, если выполнено условие >. Практически достаточно, чтобы . С учетом изложенного, из соотношения (1.19) можно определить значения коэффициента и . Затем, задавшись реализуемой добротностью контура = = (50...100), определяется волновое сопротивление контура и значения и .