Список литературы

1. Дробов С. А., Бычков С. И. Радиопередающие устройства. М.: Сов. радио, 1969.

2. Устройства генерирования и формирования радиосигналов: Учеб. для вузов/ Под ред. Г. М. Уткина, В. Н. Кулешова и М. В. Благовещенского. М.: Радио и связь, 1994.

3. Проектирование радиопередающих устройств с применением ЭВМ: Учеб. пособие для вузов/ Под ред. О. В. Алексеева. М.: Радио и связь, 1987.

4. Шило В. Л. Популярные цифровые микросхемы: Справ. М.: Радио и связь, 1987.

5. Альбац М. Е. Справочник по расчету фильтров и линий задержки. М.: Госэнергоиздат, 1963.

6. Г

   О.В.Алексеев

   енераторы высоких и сверхвысоких частот: Учеб. пособие /

, А.А.Головков, А.В.Митрофанов и др.-М.: Высш.шк., 2003.

Приложения

1. Параметры мощных полевых (мдп) транзисторов

Тип	Eс-и/Eз-и/Eз-с.доп	Uс-и/Uз-и/Uз-с.доп	Iс0 доп	E0	S	Sгр	Lи/Lз/Lс	Cз-и/ Cз-с/ Cс-и	Rт.п-к	tп.доп
2П901А	70/30/85	85 /30 /100	4,0	4,0	0,50	0,9	4,0/4,0/4,0	40 /7,0 /22.5	4,0	155
2П904А	70/30/90	100 /30 /120	5,0	0	0,50	0,3	5,0/5,0/5,0	70 /22,5/ 70.0	1,5	150
2П907А	60 /30 /70	60 /30 /70	2,0	1,2	0,15	0,1	0,1/1,5/1,5	20 / 5,0/ 12.5	3,0	150
2П909А	50 /25 /60	65 /25 /75	7,5	5,0	0,70	0,8	0,5/1,8/1,8	275/11,0/125.0	3,0	150
2П913А	50 /20 /60	65 /20 /75	19,0	7,0	1,50	1,4	0,2/2,5/2,5	360/25,0/275.0	1,5	150
2П913Б	50 /20 /60	65 /20 /75	14,0	7,0	1,50	1,4	0,2/2,5/2,5	360/25,0/275	1,5	150
2П920А	50/25/60	70 /25 /80	15,0	7,0	1,65	1,0	0,1/1,5/1,5	400/7,0 /160	1,0	150
2П920Б	50/25/60	70 /25 /80	12,0	7,0	1,50	0,7	0,1/1,5/1,5	360/7,0 /160	1,0	150

Параметры транзисторов: E_с-и/E_з-и/E_з-с.доп – максимально допустимые значения напряжений между электродами транзистра, В; U_с-и/U_з-и/U_з-с.доп – максимально допустимые значения кратковременных (импульсных) напряжений между электродами транзистора, В; I_{с0 доп} – максимально допустимое значение постоянной составляющей тока стока, А; E₀ – напряжение приведения передаточных характеристик, В; S – крутизна передаточной характеристики, А/В; S_гр – крутизна линии граничного режима, А/В; L_и/L_з/L_с – индуктивности выводов истока, затвора, стока, нГн; C_з-и/ C_з-c/ C_c-и – междуэлектродные емкости, пФ; R_т.п-к – тепловое сопротивление участка переход – корпус транзистора, С/Вт; t_п.доп – максимально допустимое значение температуры перехода, С.