- •Полупроводниковые приборы
- •Содержание
- •Введение
- •1. Исследование выпрямительных диодов и степени их соответствия техническим условиям
- •Справочные данные на диоды
- •2Д213а, 2д213б, 2д213в, 2д213г, кд213а, кд213б, кд213в, кд213г
- •Электрические параметры
- •Предельные эксплуатационные данные
- •Д311, д311а, д311б
- •Предельные эксплуатационные данные
- •2. Исследование характеристик кремниевого стабилитрона и их анализ
- •Справочные данные на стабилитроны д814а, д814б, д814в, д814г, д814д
- •Электрические параметры
- •Предельные эксплуатационные данные
- •3. Исследование биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
- •Справочные данные транзисторов кт315 и кт361 кт315а, кт315б, кт315в, кт315г, кт315д, кт315е, кт315к, кт315и
- •Электрические параметры
- •Предельные эксплуатационные данные
- •Транзисторы кт361а, кт361б, кт361в, кт361г, ктз61е
- •Электрические параметры
- •Предельные эксплуатационные данные
- •4. Исследование биполярного транзистора в схеме с общей базой
- •5. Определение малосигнальных и физических параметров биполярных транзисторов и составление эквивалентных схем замещения.
- •6. Исследование полевого транзистора с управляющимp-n-переходом
- •2Пзоза, 2пзозб, 2пзозв, 2пзозг, 2пз03д, 2пзозе, 2пзози, кпзоза, кпзозб, кпзозв, кпзозг, кпзозд, кпзозе, кпзозж, кпзози
- •Электрические параметры
- •Предельные эксплуатационные данные
- •7. Исследование полевого транзистора с изолированным затвором.
- •8. Исследование импульсных свойств p-n-перехода
- •81. Цель работы
- •8.2. Программа работы
- •8.3. Динамические процессы в р-n-переходе
- •8.4. Описание лабораторной установки
- •8.5. Указания к выполнению работы
- •8.6. Содержание отчета
- •8.7. Вопросы для самоконтроля
- •8.8. Рекомендованная литература
- •9.4. Описание лабораторной установки
- •9.5. Указания к выполнению работы
- •9.6. Содержание отчета
- •9.7. Вопросы для самоконтроля
- •9.8. Рекомендованная литература
- •10. Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых оптопар
- •10.1. Цель работы
- •10.2. Программа работы
- •10.3. Краткие теоретические сведения
- •10.4. Описание лабораторной установки
- •4.5. Указания к выполнению работы
- •4.6. Содержание отчета
- •4.7. Вопросы для самоконтроля
- •4.8. Рекомендованная литература
- •Приложение 1. Описание лабораторного стенда 87л-01 «Луч»
- •Приложение 2. Рекомендации по работе с измерительными приборами
Справочные данные на стабилитроны д814а, д814б, д814в, д814г, д814д
Стабилитроны кремниевые сплавные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса стабилитрона не более 1г.
Электрические параметры
Напряжение стабилизации номинальное при 298 К, Iст = 5 мА:
Д814А 8,0 В
Д814Б 9,0В
Д814В 10,0 В
Д814Г 11,0 В
Д814Д 13,0 В
Разброс напряжения стабилизации Iст = 5 мА: при 298 К
Д814А От 7,0 до 8,5 В
Д814Б От 8,0 до 9,5 В
Д814В . От 9,0 до 10,5 В
Д814Г От 10,0 до 12,0 В
Д814Д От 11,5 до 14,0 В
при 213 К
Д814А От 6,0 до 8,5 В
Д814Б От 7,0 до 9,5*В-
Д814В От 8,0 до 10,5 В
Д814Г От 9,0 до 12,0 В
Д814Д От 10,0 до 14,0 В
при 398 К
Д814А От 7,0 до 9,5 В
Д814Б От 8,0 до 10,5 В
Д814В От 9,0 до 11,5 В
Д814Г От 10,0 до 13,5 В
Д814Д От 11,5 до 15,5 В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при температуре от 303 до 398 К, не более:
Д814А 0,07 %/К
Д814Б 0,08 %/К
Д814В 0,09 %/К
Д814Г, Д814Д 0,095 %/К
Временная нестабильность напряжения стабилизации ±1%
Постоянное прямое напряжение при 298 К, Iпр = 50 мА, не более 1В
Постоянный обратный ток при 298 К, Uобр = 1 В, не более 0,1 мкА
Дифференциальное сопротивление, не более: при 298 К, Iст = 5 мА
Д814А 6 Ом
Д814Б 10 Ом
Д814В 12 Ом
Д814Г 15 Ом
Д814Д . 18 Ом
при 213 и 398 К, Iст = 5 мА
Д814А 15 Ом
Д814Б 18 ом
Д814В 25 Ом
Д814Г 30 Ом
Д814Д 35 Ом
при 298 К, Iст = 1 мА
Д814А 12 Ом
Д814Б 18 Ом
Д814В 25 Ом
Д814Г 30 Ом
Д814Д ...... ....... 35 Ом
Зависимость дифференциального сопротивления от тока
Предельные эксплуатационные данные
Минимальный ток стабилизации 3 мА
Максимальный ток стабилизации при температуре; от 213 до 308 К
Д814А 40 мА
Д814Б 36 мА
Д814В 32 мА
Д814Г 29 мА
Д814Д 24 мА
при 398 К
Д814А 11,5мА
Д814Б 10,5 мА
Д814В 9,5 мА
Д814Г 8,3 мА
Д814Д 7,2 мА
Рассеиваемая мощность при температуре:
от 213 до 308 К 340 мВт
при 398 К 100 мВт
Температура окружающей среды От 213 до 398 К
Температура перехода 398 К
Зависимость среднего температурного коэффициента напряжения стабилизации от тока.
Зависимость дифференциального сопротивления от температуры
Зависимость максимальной рассеиваемой мощности от температуры
Зависимость максимального тока стабилизации от температуры
РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА
1. Пасынков В.В. и др. Полупроводниковые приборы.-М.:Высш.шк., 1981. -431с.
2. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. - М.: Энергия, 1973, - 608 с.
3. Микроэлектроника: Учебн. пособие для втузов / Под редакцией Л.А.Коледова. Кн.1. Физические основы функционирования изделий микроэлектроники / О.В. Митрофанов, Б.В. Смирнов, Л.А. Коледов. - М.: Высш. шк., 1987. - 168с.
4 Полупроводниковые приборы: диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. П/р Н. Н. Горюнова. Справочник. М.: Энергоатомиздат 1982.