- •Полупроводниковые приборы
- •Содержание
- •Введение
- •1. Исследование выпрямительных диодов и степени их соответствия техническим условиям
- •Справочные данные на диоды
- •2Д213а, 2д213б, 2д213в, 2д213г, кд213а, кд213б, кд213в, кд213г
- •Электрические параметры
- •Предельные эксплуатационные данные
- •Д311, д311а, д311б
- •Предельные эксплуатационные данные
- •2. Исследование характеристик кремниевого стабилитрона и их анализ
- •Справочные данные на стабилитроны д814а, д814б, д814в, д814г, д814д
- •Электрические параметры
- •Предельные эксплуатационные данные
- •3. Исследование биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
- •Справочные данные транзисторов кт315 и кт361 кт315а, кт315б, кт315в, кт315г, кт315д, кт315е, кт315к, кт315и
- •Электрические параметры
- •Предельные эксплуатационные данные
- •Транзисторы кт361а, кт361б, кт361в, кт361г, ктз61е
- •Электрические параметры
- •Предельные эксплуатационные данные
- •4. Исследование биполярного транзистора в схеме с общей базой
- •5. Определение малосигнальных и физических параметров биполярных транзисторов и составление эквивалентных схем замещения.
- •6. Исследование полевого транзистора с управляющимp-n-переходом
- •2Пзоза, 2пзозб, 2пзозв, 2пзозг, 2пз03д, 2пзозе, 2пзози, кпзоза, кпзозб, кпзозв, кпзозг, кпзозд, кпзозе, кпзозж, кпзози
- •Электрические параметры
- •Предельные эксплуатационные данные
- •7. Исследование полевого транзистора с изолированным затвором.
- •8. Исследование импульсных свойств p-n-перехода
- •81. Цель работы
- •8.2. Программа работы
- •8.3. Динамические процессы в р-n-переходе
- •8.4. Описание лабораторной установки
- •8.5. Указания к выполнению работы
- •8.6. Содержание отчета
- •8.7. Вопросы для самоконтроля
- •8.8. Рекомендованная литература
- •9.4. Описание лабораторной установки
- •9.5. Указания к выполнению работы
- •9.6. Содержание отчета
- •9.7. Вопросы для самоконтроля
- •9.8. Рекомендованная литература
- •10. Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых оптопар
- •10.1. Цель работы
- •10.2. Программа работы
- •10.3. Краткие теоретические сведения
- •10.4. Описание лабораторной установки
- •4.5. Указания к выполнению работы
- •4.6. Содержание отчета
- •4.7. Вопросы для самоконтроля
- •4.8. Рекомендованная литература
- •Приложение 1. Описание лабораторного стенда 87л-01 «Луч»
- •Приложение 2. Рекомендации по работе с измерительными приборами
9.4. Описание лабораторной установки
Принципиальная электрическая схема лабораторной установки изображена на рис.3.2.
Подключение одного из диодов к источнику напряжения и измерительным приборам осуществляется переключателем S. Плавное изменение прямого напряжения на диоде осуществляется потенциометром RР. Измерение прямого напряжения и прямого тока диодов осуществляется вольтметром РV и амперметром РА соответственно.
9.5. Указания к выполнению работы
К пункту 9.2.1.Включить стенд тумблером «питание» (на рис.3.2. тумблер не показан). Выбрать переключателем S один из диодов и, плавно изменяя ток потенциометром RР, при помощи амперметра РА и вольтметра РV снять прямую ветвь ВАХ диода.
Аналогично снять ВАХ, напряжения и токи включения остальных диодов. Результаты свести в таблицу. По полученным данным на одном рисунке построить ВАХ диодов.
Таблица.9.1. – ВАХ диодов. Напряжение на диоде, В.
Номер диода |
Ток диода, мА | ||||
|
|
|
|
| |
1 |
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
3 |
|
|
|
|
|
4 |
|
|
|
|
|
К пункту 9.2.2.Для каждого светодиода визуально определить значения напряжения и тока включения. Выделить эти точки на соответствующих графиках.
К пункту 9.2.3.Рассчитать статические и динамические сопротивления диодов. Статическое сопротивление диода может быть рассчитано по формуле:
Rст = U / I, (9.3)
где U – напряжение на диоде, В; I – ток диода, А.
Динамическое сопротивление диода может быть рассчитано по формуле:
Rдин = ΔU/ΔI = (U2-U1) / (I2-I1), (9.4)
где U1 и U2 - соседние в таблице значения напряжений, В;
I1 и I2 – соответствующие напряжениям значения токов, А.
Полученное динамическое сопротивление соответствует току:
Iср = (I2+I1) / 2 (9.5)
По формулам (3.9-9.5) рассчитать зависимости сопротивлений от тока для каждого из диодов. Результаты свести в таблицы 9.2, 9.3.
Таблица.9.2. – Статические сопротивления диодов Rст, кОм.
Номер диода |
Ток диода, мА | ||||
|
|
|
|
| |
1 |
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
3 |
|
|
|
|
|
4 |
|
|
|
|
|
Таблица.9.3. – Динамические сопротивления диодов Rд, кОм.
Номер диода |
Ток диода, мА | ||||
|
|
|
|
| |
1 |
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
3 |
|
|
|
|
|
4 |
|
|
|
|
|
Для каждого из диодов по полученным результатам построить графики зависимостей статического и динамического сопротивлений от тока. Зависимости обоих сопротивлений для одного диода строятся на одном графике.