- •Полупроводниковые приборы
- •Содержание
- •Введение
- •1. Исследование выпрямительных диодов и степени их соответствия техническим условиям
- •Справочные данные на диоды
- •2Д213а, 2д213б, 2д213в, 2д213г, кд213а, кд213б, кд213в, кд213г
- •Электрические параметры
- •Предельные эксплуатационные данные
- •Д311, д311а, д311б
- •Предельные эксплуатационные данные
- •2. Исследование характеристик кремниевого стабилитрона и их анализ
- •Справочные данные на стабилитроны д814а, д814б, д814в, д814г, д814д
- •Электрические параметры
- •Предельные эксплуатационные данные
- •3. Исследование биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
- •Справочные данные транзисторов кт315 и кт361 кт315а, кт315б, кт315в, кт315г, кт315д, кт315е, кт315к, кт315и
- •Электрические параметры
- •Предельные эксплуатационные данные
- •Транзисторы кт361а, кт361б, кт361в, кт361г, ктз61е
- •Электрические параметры
- •Предельные эксплуатационные данные
- •4. Исследование биполярного транзистора в схеме с общей базой
- •5. Определение малосигнальных и физических параметров биполярных транзисторов и составление эквивалентных схем замещения.
- •6. Исследование полевого транзистора с управляющимp-n-переходом
- •2Пзоза, 2пзозб, 2пзозв, 2пзозг, 2пз03д, 2пзозе, 2пзози, кпзоза, кпзозб, кпзозв, кпзозг, кпзозд, кпзозе, кпзозж, кпзози
- •Электрические параметры
- •Предельные эксплуатационные данные
- •7. Исследование полевого транзистора с изолированным затвором.
- •8. Исследование импульсных свойств p-n-перехода
- •81. Цель работы
- •8.2. Программа работы
- •8.3. Динамические процессы в р-n-переходе
- •8.4. Описание лабораторной установки
- •8.5. Указания к выполнению работы
- •8.6. Содержание отчета
- •8.7. Вопросы для самоконтроля
- •8.8. Рекомендованная литература
- •9.4. Описание лабораторной установки
- •9.5. Указания к выполнению работы
- •9.6. Содержание отчета
- •9.7. Вопросы для самоконтроля
- •9.8. Рекомендованная литература
- •10. Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых оптопар
- •10.1. Цель работы
- •10.2. Программа работы
- •10.3. Краткие теоретические сведения
- •10.4. Описание лабораторной установки
- •4.5. Указания к выполнению работы
- •4.6. Содержание отчета
- •4.7. Вопросы для самоконтроля
- •4.8. Рекомендованная литература
- •Приложение 1. Описание лабораторного стенда 87л-01 «Луч»
- •Приложение 2. Рекомендации по работе с измерительными приборами
ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ
Тольяттинский государственный университет
Кафедра «Промышленная электроника»
Полупроводниковые приборы
Лабораторный практикум
для студентов специальности 210100.62
Тольятти 2015
УДК 621.382 : 378.147.88
ББК 32.859 Я 73
Ф505
Рецензент:
кафедра “Промышленная электроника” Тольяттинского
государственного университета
Составители:
к.т.н., доцент А.В. Прядилов
к.т.н., доцент М.В. Позднов
Ф505 Полупроводниковые приборы: лабораторный практикум для студентов специальности 210100.62 / А.В.Прядилов, М.В.Позднов, - Тольятти: ТГУ, 2013. – 57 с.
Данные методические указания содержат описания пяти лабораторных работ по курсу «Физические основы электронной техники», выполняемых на специализированных лабораторных стендах в лаборатории «Физические основы электронной техники»
Для каждой работы имеется теоретический материал, позволяющий получить основные сведения, необходимые для выполнения работы.
Предназначены для студентов направления 210100.62 «Электроника и микроэлектроника», 210100.62 «Электроника и наноэлектроника»
Научный редактор: к.т.н., доцент Шевцов А.А.
Утверждено на научно-методическим советом университета.
Тольяттинский государственный университет, 2013.
Содержание
Введение 4
1. Исследование выпрямительных диодов и степени их соответствия техническим условиям 5
2. Исследование характеристик кремниевого стабилитрона и их анализ 15
3. Исследование биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 24
4. Исследование биполярного транзистора в схеме с общей базой 36
5. Определение малосигнальных и физических параметров биполярных транзисторов и составление эквивалентных схем замещения. 41
6. Исследование полевого транзистора с управляющим p-n-переходом 50
7. Исследование полевого транзистора с изолированным затвором. 58
8. Исследование импульсных свойств p-n-перехода 62
9. Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых светоизлучающих диодов 74
10. Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых оптопар 80
Приложение 1. Описание лабораторного стенда 87л-01 «Луч» 94
Приложение 2. Рекомендации по работе с измерительными приборами 101
Введение
Лабораторный практикум по дисциплине «Полупроводниковые приборы» является важнейшим и неотъемлемым видом учебной работы студентов, приобретающих специальности, связанные с разработкой, эксплуатацией, модернизацией и ремонтом разнообразной современной электронной техники.
Проведение лабораторного практикума позволяет закрепить полученные на лекционных занятиях знания и сформировать навыки практического обращения как с полупроводниковыми приборами, так и с некоторым оборудованием для исследования их свойств, в частности путем экспериментального определения их вольт-амперных характеристик.
Экспериментальные виды работ в лабораторном практикуме дополняются работами теоретического и расчетно-графического характера, углубляя полученные на практических занятиях навыки. Они способствуют выработке умений работать с многочисленной справочной, научной, методической и нормативной литературой.
Оформление отчета по выполненной лабораторной работе помогает научиться правильному оформлению результатов, полученных в ходе осуществления экспериментальных исследований и их последующей обработки. Такая работа приводит к необходимости изучения и практического использования системы действующих государственных стандартов, регулирующих деятельность специалистов в области применения ими условных буквенных и графических изображений элементов электронных схем, графиков, диаграмм и текстовых материалов.
Отработка этих навыков на отдельных отчетах небольшого объема, таких как отчеты по лабораторным работам, позволяет в дальнейшем выработать умения безошибочного оформления гораздо больших по объему материалов курсовых, дипломных и диссертационных работ, а также отчетов по научно-исследовательским работам.
Широких спектр выполняемых работ и привлекаемых знаний и навыков позволяют достичь высокой степени освоения не только дисциплины «Полупроводниковые приборы», но и способствуют формированию студента, как специалиста с высоким уровнем инженерной подготовки.