- •2.2. Дрейф и диффузия носителей зарядов.
- •4. Вольтамперная характеристика p-n перехода.
- •4. Полупроводниковые диоды
- •4.1. Общие сведения
- •4.2. Слаботочные диоды
- •4.3. Силовые диоды
- •4.4. Специальные типы диодов.
- •5. Транзисторы
- •5.1. Биполярные транзисторы
- •5.2. Полевые транзисторы
- •Устройство и принцип действия полевого транзистора с управляющим p–n-переходом
- •Статические характеристики полевого транзистора
- •Мдп - транзистор
- •Мдп-транзистор со встроенным каналом
- •Мдп-транзистор с индуцированным каналом
- •5.3.. Биполярные транзисторы с полевым управлением Силовые биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt) Устройство и особенности работы
- •6. Тиристоры
- •7. Интегральные полупроводниковые устройства и приборы
4. Вольтамперная характеристика p-n перехода.
Способность вещества проводить ток обычно оценивают сопротивлением Rили проводимостьюQ. В случаеP-Nперехода пользоваться этими параметрами было бы неудобно, так как и сопротивление, а следовательно и проводимость сами сильно зависят от приложенного напряжения и от тока (хота такие характеристики можно построить и закон ома для них справедлив; просто сопротивление становится не числом а функцией). Поэтому пользуются прямой зависимостью тока от напряжения, которая называется вольтамперная характеристика.
Для вольтамперной характеристики P-Nперехода имеется математическое выражение полученное на основе уравнений квантовой физики [ 3 ] [ 4 ]. Вывод данного уравнения не входит в программу заочного обучения, однако его можно найти в указанных источниках.
В общем виде оно выглядит следующим образом:
4.1 |
где
I– ток через переход;
I0– тепловой ток, вызванный неосновными носителями. Его иногда называют обратным током насыщения;
U- приложенное к переходу напряжение;
е,qе– заряд электрона (qe=1,6*10-19Кл);
е во втором варианте формулы – основание натурального логорифма (2,73);
k- постоянная Больцмана (к=1,38*10-23Дж/0К);
Т- абсолютная температура;
m– коэффициент, зависящий от типа полупроводника (для кремнияm=2).
Данное выражение определяет кривую - экспоненту с положительным показателем. Вольтамперная характеристика диода приведена на рис. 3.7.
Из рис. 3.7. видно, что обратная ветвь ВАХ, лежащая в IIIквадранте системы координат, идет практически по оси абсцисс. Поэтому, для более наглядного представления прямой и обратной ветвей обычно устанавливают неодинаковые масштабы отрицательной и положительной части оси:
-
4. Полупроводниковые диоды
4.1. Общие сведения
Диодом называется полупроводниковый прибор, содержащий одинP-Nпереход. Диод может иметь отдельный корпус, либо не иметь корпуса вообще, например, если диод входит в кристалл интегральной микросхемы. По назначению диоды делятся на выпрямительные и специальные; в свою очередь выпрямительные диоды могут быть силовыми и слаботочными.
Условное обозначение диода (рис.4.1.) следующее:
Технология производства диодов и виды их конструкции подробно изложены в [1] с.46-48.
Слаботочные выпрямительные диоды часто объединяются в так называемые диодные сборки (по 4 штуки, соединенные между собой схемой моста). Силовые мощные диоды как правило дискретные, т.е. в одном корпусе только один диод. По конструкции силовые диоды как правило штыревые, таблеточные или прижимные. В последнее время широкое распространение получили прижимные диоды с изолированным основанием. Такая классификация показывает, каким образом диод крепится к радиатору, или охладителю. Охладитель представляет собой устройство, увеличивающее теплоотдачу в окружающую среду, а следовательно, снижающее температуру диода. На рис. 4.2. представлены слаботочные диоды, не требующие охладителя,.
Для того, чтобы определить катод и анод диода, на его корпус наносится специальная метка, либо изображение маленького диода. Определить выводы, а также исправность диода можно также с помощью многопредельного цифрового или аналогового прибора – тестера (мультиметра) ,
Единственное требование состоит в том, чтобы источник питания мультиметра обеспечивал напряжение, более высокое, чем пороговое напряжение диода (более 2,5В). Так , мультиметром с напряжением питания 9 В диоды проверять можно, а с напряжением питания 1,5 В – нельзя. Если на переключателе мультиметра нет позиции «диод», то его надо поставить в режим измерения сопротивления, желательно с пределом десятки или сотни килоОм, так как при этом в измерительной цепи выше напряжение. При прямом и обратном подключении исправного диода показания должны быть различными: При обратном включении мультиметр покажет очень высокое сопротивление, или бесконечность (переполнение шкалы), а при прямом - вполне конкретное сопротивление. Не надо пугаться, что его величина может быть большой – измерения производятся при низких напряжениях, близких к пороговому значению (см. ниже). Если диод неисправен (пробит), то в обеих направлениях сопротивление будет одинаковое.
Некоторые типы мультиметров, например английский серииUNIT-Tимеют специальные позиции для проверки полупроводниковых приборов, в частности диодов. В этом случае переключатель прибора надо поставить на символ «диод» () При этом свидетельство исправности диода – разность показаний прибора: если диод включен в прямом направлении (т.е. анод к клемме “+”, а катод к клемме “сом”), мультиметр покажет ток примерно 1mA, в некоторых моделях приборов включается звуковой сигнал. При обратном включении – обратное напряжение примерно до 3 В.Главный признак – показания прибора должны различаться в прямом и обратном направлениях. Если показания одинаковы при прямом и обратном включении – диод пробит или имеет место обрыв.