Приложение б (обязательное) Типовая последовательность испытаний цифровых сбис на

ускорителях ВЭП и ТЗЧ

Типовая последовательность проведения испытаний цифровых СБИС на воздействие одиночных ВЭП и ТЗЧ КП заключается в выполнении следующих процедур:

1 Проведение контроля работоспособности СБИС.

2 Удаление (при необходимости) крышек или части корпуса над полупроводниковым кристаллом корпуса СБИС.

3 Визуальный контроль поверхности кристалла СБИС с целью выявления возможных механических повреждений и наличия защитных покрытий из компаунда или лака (при выполнении пункта 1).

4 Удаление (при необходимости) лакового защитного покрытия кристалла СБИС.

5 Проведение контроля работоспособности СБИС.

6 Подготовка оснастки для проведения испытаний на испытательной установке.

7 Прокладка линий связи (при необходимости).

8 Проверка линий связи между зоной облучения и экспериментальной комнатой.

9 Включение установки и предварительный контроль параметров потока ядерных частиц. Снятие облучения из зоны облучения СБИС.

10 Подключение образцов СБИС рядом к средствам функционального контроля и удаленного доступа.

11 Проверка функционального и параметрического теста СБИС в реальных условиях эксперимента, но в отсутствии действия излучения.

12 Установка СБИС с оснасткой в зону облучения. Пункты 10 и 11 могут выполняться после п. 12.

13 Установка средств мониторинга потока частиц (при необходимости).

14 Позиционирование (установка) СБИС в поле излучения (при необходимости).

15 Обеспечение необходимого разряжения в вакуумной камере зоны облучения (при необходимости).

16 Облучение СБИС ионами или протонами, при которых количество ОРЭ определенного типа составляет N 10², либо до предельного уровня воздействия.

17 Прекращение облучения, контроль радиационного фона и замена образца БИС ОЗУ. Повторение пп. 10…16 для нового образца или для новых значений энергий протонов или ЛПЭ ионов.

Приложение в (рекомендуемое)

Структурная схема типового рабочего места для испытаний

цифровых СБИС на ускорителях ВЭП и ТЗЧ

Структурная схема типового рабочего места для испытаний цифровых СБИС на стойкость к воздействию отдельных ВЭП и ТЗЧ КП на ускорителях протонов и ионов представлена на рисунке В.1.

1- вакуумированный ионопровод,

2- направление движения высокоэнергетических частиц,

3- разделительная фольга (при необходимости),

4- вакуумная камера (при необходимости),

5 - объект испытаний на теплопередающей коммутационной плате,

6 - устройство позиционирования объекта испытаний,

7 - средства управления устройством позиционирования,

8 - детекторы мониторинга потока частиц,

9- электроника детекторов мониторинга потока частиц,

10 - аппаратура для задания электрических режимов и проведения функционального и параметрического тестирования объекта испытаний,

11- термостатирующее устройство (при необходимости),

12 - устройство управления термостатирующим устройством (при необходимости), 13,14,15 - персональные компьютеры.

Рисунок В.1 - Структурная схема типового рабочего места для испытаний цифровых СБИС на стойкость к воздействию отдельных ВЭП и ТЗЧ КП на ускорителях протонов и ионов