8 Метод контрольных испытаний цифровых сбис к воздействию

одиночных ВЭП КП на ускорителях протонов

8.1 Контрольные испытания СБИС на воздействие отдельных ВЭП КП проводятся на ускорителях протонов.

8.2 Контрольные испытания СБИС на воздействие отдельных ВЭП КП проводятся с целью установить факт возможности возникновения одиночного эффекта прерывания функционирования, одиночного тиристорного и микродозового эффектов при значении энергии протонов не менее 400 МэВ или значении, заданном в предъявляемых к СБИС требованиях.

8.3 Перед началом испытаний формируются выборка СБИС в количестве не менее 3 штук.

8.4 СБИС облучают при максимально допустимом напряжении питания и максимально допустимой температуре или значениях, заданных предъявляемых к СБИС требованиях.

8.5 Облучения СБИС проводят до регистрации одного или нескольких событий возникновения одиночного эффекта прерывания функционирования, одиночного тиристорного и микродозового эффектов или набора потока не менее чем 10¹⁰ протонов/см² при нормальном падении пучка частиц на полупроводниковый кристалл СБИС. В случае регистрации событий испытания СБИС по согласованному решению могут быть продолжены как определительные испытания в соответствии с разделом 6, при этом результат определительных испытаний должен быть принят как окончательный результат испытаний.

8.6 Средняя плотность потока ТЗЧ на поверхности облучаемой СБИС должна быть в диапазоне от 10⁵ до 10⁸ протонов/с/см². Вследствие того, что существует самостоятельная реакция СБИС на воздействие импульса ионизирующего излучения, а поток частиц на ускорителях формируется импульсами (банчами) частиц, мощность поглощенной дозы в СБИС, обусловленная импульсом (банчем) частиц, не должна превышать 10⁶ рад(Si)/с/импульс, а поглощенная доза в СБИС, обусловленная импульсом (банчем) частиц, не должна превышать 1 рад(Si)/импульс.

8.7 В процессе облучений СБИС на ускорителях протонов должна проводиться дистанционная функциональная диагностика испытываемых СБИС, обеспечивающая полноту регистрации одиночного эффекта прерывания функционирования, одиночного тиристорного и микродозового эффектов во всех функциональных элементах СБИС в соответствии с критериями 5.1.5. При обнаружении тиристорного эффекта должен проводиться кратковременный сброс напряжения питания СБИС с последующей инициализацией функционирования. Рекомендуется измерять вольт-амперные характеристики тиристорной структуры.

9 Метод контрольных испытаний цифровых сбис к воздействию

одиночных ТЗЧ КП на ускорителях ТЗЧ

9.1 Контрольные испытания СБИС на воздействие одиночных ТЗЧ КП проводятся на ускорителях ионов.

9.2 Испытания проводятся с целью установления факта возможности возникновения одиночного эффекта прерывания функционирования, одиночного тиристорного и микродозового эффектов при значении ЛПЭ ТЗЧ, заданном в предъявляемых к СБИС требованиях.

9.3 Перед началом испытаний формируется выборка СБИС в количестве не менее 3 штук.

9.4 СБИС облучают при максимально допустимом напряжении питания и максимально допустимой температуре или значениях, заданных предъявляемых к СБИС требованиях.

9.5 Энергию и тип иона выбирают таким образом, чтобы значение ЛПЭ

на поверхности активной области полупроводникового кристалла СБИС было не меньше значения, соответствующего 9.2.Вследствие возможности воспроизведения на укорителях только дискретных значений ЛПЭ ТЗЧ допускается проводить облучения СБИС при значениях ЛПЭ ТЗЧ больше заданных до 1.5 раз.

9.5 Для каждого образца СБИС облучения проводятся при нормальном падении пучка частиц на полупроводниковый кристалл СБИС, так при падении пучка частиц при угле 60 градусов между нормалью к поверхности полупроводникового кристалла СБИС и направлением пучка частиц.

9.6 Облучения СБИС проводят до регистрации одного или нескольких событий возникновения одиночного эффекта прерывания функционирования, одиночного тиристорного и микродозового эффектов или набора потока не менее чем 10⁷ ионов/см² или до набора ионизационной поглощенной дозы равной половине дозы отказа СБИС. В случае регистрации возникновения одиночного эффекта прерывания функционирования, одиночного тиристорного и микродозового эффектов испытания СБИС могут быть продолжены как определительные испытания в соответствии с разделом 7, при этом результат определительных испытаний должен быть принят как окончательный результат испытаний.

9.7 Средняя плотность потока ТЗЧ на поверхности облучаемой СБИС должна быть в диапазоне от 10 ионов/с/см² до 10⁵ ионов/с/см². Вследствие того, что существует самостоятельная реакция СБИС на воздействие импульса ионизирующего излучения, а поток частиц на укорителях формируется импульсами (банчами) частиц мощность поглощенной дозы в СБИС, обусловленная импульсом (банчем) частиц, не должна превышать 10⁶ рад(Si)/с/импульс, а поглощенная доза в СБИС, обусловленная импульсом (банчем) частиц, не должна превышать 1 рад(Si)/импульс.

9.8 В процессе облучений СБИС на ускорителях ионов должна проводиться дистанционная функциональная диагностика испытываемых СБИС, обеспечивающая полноту регистрации одиночного эффекта прерывания функционирования, одиночного тиристорного и микродозового эффектов во всех функциональных элементах СБИС в соответствии с критериями 5.1.5. При обнаружении тиристорного эффекта должен проводиться кратковременный сброс напряжения питания СБИС с последующей инициализацией функционирования. Рекомендуется измерять вольт-амперные характеристики тиристорной структуры.