Приложение а (справочное) Типы одиночных радиационных эффектов в цифровых сбис

ОРЭ

Характеристика ОРЭ

Характер отказа

Одиночные сбои в элементах памяти и регистровых структурах SEU (Single Event Upset)

Одиночный сбой, проявляющийся в виде инвертирования логического состояния запоминающей ячейки. Данные сбои могут иметь кратный характер при воздействии одиночной частицы.

Сбой

Одиночный тиристорный эффект

SEL (Single Event Latch-up

Отказ изделия полупроводниковой электроники, обусловленный включением паразитных четырехслойных полупроводниковых структур (тиристорных структур) вследствие взаимодействия одиночного высокоэнергетического протона или одиночной тяжелой заряженной частицы с материалом чувствительной области изделия. Данный отказ, как правило, сопровождается резким возрастанием тока потребления и полной или частичной потерей работоспособности изделия и восстановлением работоспособности после отключения и повторном включении питания в случае отсутствия пережогов и пробоев р-п переходов.

Катастрофический отказ или принудительно восстанавливаемый отказ в зависимости от конструктивно-технологических параметров изделия полупроводниковой электроники

Одиночный микродозовый эффект

SEHЕ (Single Event Hard Error)

Отказ отдельного транзистора или элемента памяти изделия полупроводниковой электроники, связанный с локальным накоплением радиационно-индуцированного заряда в подзатворных и изолирующих диэлектриках.

Катастрофический отказ

Одиночный эффект

прерывания

функционирования SEFI (Single Event Functional Interrupt)

Принудительно восстанавливаемый отказ изделия полупроводниковой электроники, который вызывает потерю функционирования изделия, для восстановления которой требуется перезагрузка выполняемой программы или конфигурации и обусловленный возникновением одиночных сбоев в элементах памяти или регистровых структурах блоков управления вследствие взаимодействия одиночного высокоэнергетического протона или одиночной тяжелой заряженной частицы с материалом чувствительной области изделия.

Принудительно восстанавливаемый отказ

Переходная ионизационная реакция

DSET (Single Event Transient)

Переходная ионизационная реакция в виде импульсов напряжения, которые могут распространяться как ложные цифровые сигналы в последующих электрических цепях.

Сбой

Одиночный эффект вторичного пробоя SESB(SingleEventSnapback)

Одиночный эффект вторичного пробоя в n-МДП-КНИ транзисторах.

Катастрофический отказ

Одиночный эффект про-боя подзатворного диэ-лектрика SEGR(SingleEventGateRapture)

Одиночный эффект пробоя подзатворного диэлектрика в МДП-структурах.

Катастрофический отказ