6 Метод определительных испытаний цифровых сбис

к воздействию одиночных ВЭП КП на ускорителях протонов

6.1 Целью определительных испытаний СБИС на воздействие отдельных ВЭП КП является получение экспериментальной зависимости сечения ОРЭ определенного типа от энергии протонов.

6.2 Перед началом испытаний формируются две выборки СБИС в количестве не менее 3 шт. каждая.

6.3 Для получения экспериментальной зависимости сечения ОРЭ от энергии протонов СБИС облучают протонами различных энергий в диапазоне, соответствующем 5.7, при этом СБИС из первой выборки облучают при минимально допустимом напряжении питания и комнатной температуре, а СБИС из второй выборки при максимально допустимом напряжении питания и максимально допустимой температуре или в режимах заданных в предъявляемых к СБИС требованиях. Если в процессе облучений для каждого из указанных режимов значение ионизационной поглощенной дозы не превышает величины равной четверти дозы отказа СБИС допускается проводить испытания в каждом из режимов последовательно на одной выборке изделий.

6.4 Облучения СБИС начинают с максимальной энергии протонов, которую выбирают в диапазоне от 400 до 1000 МэВ,

6.5 Облучения продолжают не менее чем при трех энергиях протонов, которые должны обеспечить получение данных для сечения ОРЭ в диапазоне, включая (перекрывая) крайние значения, от 0,05 до 0,5 от сечения ОРЭ, полученного при максимальной энергии протонов.

6.6 В случае отсутствия ОРЭ при максимальной энергии протонов облучения СБИС при более низких энергиях протонов не проводят.

6.7 Для каждого значения энергии протонов облучения СБИС проводят до регистрации 100 наблюдений ОРЭ определенного типа или набора потока не менее чем 10¹⁰ протонов/см² или до набора ионизационной поглощенной дозы равной половине дозы отказа СБИС.

6.8 Средняя плотность потока протонов на поверхности облучаемой СБИС должна быть в диапазоне от 10⁵ до 10⁸ протонов/см²/с. Вследствие того, что существует самостоятельная реакция СБИС на воздействие импульса ионизирующего излучения, а поток частиц на укорителях формируется импульсами (банчами) частиц, мощность поглощенной дозы в СБИС, обусловленная импульсом (банчем) частиц, не должна превышать 10⁶ рад(Si)/с/импульс, а поглощенная доза в СБИС, обусловленная импульсом (банчем) частиц, не должна превышать 1 рад(Si)/импульс.

6.9 После проведения облучений СБИС на ускорителях протонов данные о регистрации числа ОРЭ и потоков протонов обрабатываются в соответствии с приложением Г.

6.10 Определительные испытания СБИС на воздействие одиночных ВЭП КП могут не проводиться, если в процессе определительных испытаний СБИС на воздействие одиночных ТЗЧ КП установлено, что ОРЭ не наблюдались при значении ЛПЭ ТЗЧ более или равном 15 МэВсм²/мг (Si). При этом следует считать, что при воздействии одиночных ВЭП КП ОРЭ не возникают.

7 Метод определительных испытаний цифровых сбис к

воздействию одиночных высокоэнергетических ТЗЧ КП на

ускорителях ТЗЧ

7.1 Целью определительных испытаний СБИС на воздействие отдельных ТЗЧ КП является получение экспериментальной зависимости сечения ОРЭ определенного типа от ЛПЭ ТЗЧ.

7.2 Перед началом испытаний формируются две выборки СБИС в количестве не менее 3 шт. каждая.

7.3 Для получения экспериментальной зависимости сечения ОРЭ от ЛПЭ ТЗЧ СБИС облучают высокоэнергетическими ионами различных химических элементов, которые обеспечивают значение ЛПЭ на поверхности активной области полупроводникового кристалла СБИС в диапазоне, соответствующем 5.7, в условиях нормального падения пучка частиц на полупроводниковый кристалл СБИС.

7.4 СБИС из первой выборки облучают при минимально допустимом напряжении питания и комнатной температуре, а СБИС из второй выборки при максимально допустимом напряжении питания и максимально допустимой температуре или в режимах заданных в предъявляемых к СБИС требованиях. Если в процессе облучений для каждого из указанных режимов значение ионизационной поглощенной дозы не превышает величины равной четверти дозы отказа СБИС допускается проводить испытания в каждом из режимов последовательно на одной выборке изделий.

7.5 Изменение значения ЛПЭ на ускорителях ТЗЧ достигается подбором соответствующего типа иона и его энергии, которые приведены в приложении Д.

7.6 Облучения СБИС начинают с такого типа иона и с таким значением энергии, которые обеспечивают значение максимальной ЛПЭ ТЗЧ в активной области СБИС не менее 60 МэВсм²/мг (Si). Облучения продолжают не менее чем при трех значениях ЛПЭ, которые должны обеспечить получение данных для сечения ОРЭ в диапазоне, включая (перекрывая) крайние значения, от 0,05 до 0,5 от сечения ОРЭ, достигнутого при максимальном значении ЛПЭ. Кроме того, в области малых значений ЛПЭ должна быть получена хотя бы одна экспериментальная точка, где ОРЭ не наблюдались для всех облученных образцов СБИС.

7.7 В случае отсутствия ОРЭ при максимальном значении ЛПЭ ТЗЧ облучения СБИС при более низких значениях ЛПЭ ТЗЧ не проводят.

7.8 Все облучения образцов СБИС проводятся при нормальном падении пучка частиц на полупроводниковый кристалл СБИС.

7.9 Для каждого значения ЛПЭ ионов облучения СБИС проводят до регистрации 100 шт. ОРЭ определенного типа или набора потока не менее чем 10⁷ ионов/см² или до набора ионизационной поглощенной дозы равной половине дозы отказа СБИС.

7.10 Средняя плотность потока ТЗЧ на поверхности облучаемой СБИС должна быть в диапазоне от 10 до 10⁵ ионов/с/см². Вследствие того, что существует самостоятельная реакция СБИС на воздействие импульса ионизирующего излучения, а поток частиц на укорителях формируется импульсами (банчами) частиц, мощность поглощенной дозы в СБИС, обусловленная импульсом (банчем) частиц, не должна превышать 10⁶ рад(Si)/с/импульс, а поглощенная доза в СБИС, обусловленная импульсом (банчем) частиц, не должна превышать 1 рад(Si)/импульс.

7.11 После проведения облучений СБИС на ускорителях ТЗЧ данные о регистрации числа ОРЭ и потоков ТЗЧ обрабатываются в соответствии с приложением Г.