Мостова схема випрямлення

Таблиця 9

Параметри зовнішньої характеристики випрямляча

	Кількість ламп	0	1	2	3
п а р а м е т р и	Напруга змінна
	Середнє значення випрямленої напруги
	Струм навантаження

250

200

150

100

50

0 100 200 300 400

Рис. 14. Зовнішня характеристика однофазного двонапівперіодного випрямляча

3. Включіть навантаження "нуль", одну, дві і три лампи. Па­раметри запишіть у табл. 9.

4. На рис. 14 побудуйте зовнішню характеристику випрямляча.

5. Підключіть схему до електронного осцилографа і переко-

найтесь у впливі згладжуючого ємнісного фільтра на випрямлену фор­му сигналу.

6. Проведіть аналіз схем випрямлення і зовнішньої характе­ристики випрямляча та запишіть висновки і рекомендації.

7. Усно дайте повні відповіді на контрольні запитання.

Зміст звіту.

1. Номер, назва та мета лабораторної роботи.

2. Основні параметри схем випрямлення (табл. 8).

3. Схема дослідження (Рис. 13).

4. Зовнішня характеристика (рис. 14).

5. Висновки та рекомендації.

Контрольні запитання

1. Які середні значення випрямлених напруг у різних схемах випрямлення?

2. Що таке коефіцієнт пульсації і які його значення для різ­них схем випрямлення?

3. Що таке зовнішня характеристика випрямляча і який вигляд вона має?

4. Скільки діодів потрібно для різних схем випрямлення?

Бібліографічний список

[З. С. 218...222; 6. C. 221...226; 7. C.224... 243].

Лабораторна робота n 15 дослідження біполярного транзистора

МЕТА РОБОТИ

Вивчити будову, принцип дії, основні особливості та області застосування біполярних транзисторів.

Провести експериментальні дослідження основних параметрів біполярного транзистора, побудувати вхідну і вихідну характерис­тики та визначити коефіцієнти підсилення досліджуваної схеми.

ОБЛАДНАННЯ

1. Джерело постійного струму до 1 В - 1 шт.

2. Вольтметр постійного струму на 8 В - 1 шт.

3. Міліамперметр постійного струмина 10 мА - 1 шт.

4. Біполярний транзистор типу КТ 801А - 1 шт.

5. Джерело постійного струму до 10 В - 1 шт.

6. Вольтметр постійного струму на 15 В - 1 шт.

7. Міліамперметр постійного струму на 300 мА - 1 шт.

8. Комплект з'єднувальних проводів - 1шт.

Короткі теоретичні дані

Біполярний транзистор – напівпровідниковий прилад, який складається із трьох областей з черегуючими ти­пами електропро-

відності, який придатний для підсилення потужності.

У біполярних транзисторах струм визначається рухом носіїв за­рядів двох типів: електронів та дірок.

Біполярні транзистори прийнято підрозділяти на групи за діапазоном межових частот та максимальних по­тужностей, які розсіюються на колекторному переході та які визначають навантажувальну здатність транзистора: низькочастотні , середньочастотні, високочас­тотні, НВЧ, малої потужності, середньої потужності, великої потужності.

Для виготовлення транзисторів використовують германій, крем­ній, арсенід галію та інші напівпровідникові матеріали.

У біполярних транзисторів середній шар називають базою (Б); навантажувальний шар, який є джерелом носіїв зарядів (елек­тронів чи дірок) – емітером (Е), другий зовнішній шар – колек-

тором (К). Він приймає носії зарядів, які надходять від емітера.

В залежності від того, який електрод є загальним для вхід­ного та вихідного кола, розрізнюють три схеми включення біполярних транзисторів; із загальною базою (ЗБ), із загальним емітером (ЗЕ), із загаль­ним колектором (ЗК).

У схемі із ЗБ підсилюючий каскад має малий вхідний опір (одиниці ома) та великий вихідний опір (сотні ком). Низь-

кий вхідний опір каскаду є його значним недоліком, так як у багатокаскадних схемах цей опір виявляє шунтову дію на опір наванта­ження попереднього каскаду і різко знижує підсилення цього каскаду за напругою та потужністю. Схема а ЗБ застосовується при роботі на високоомне навантаження та за частотними і температурними властивостями значно краще схеми з ЗЕ.

У схемі із ЗЕ (рис. 15) підсилюючий каскад має вхідний опір у сотні ом, а вихідний - порядку десятків ом. Для цієї схеми . Малі значення струму бази і великі значення струму колектора обумовлює широке використання схеми із ЗЕ.

Коефіцієнт підсилення за напругою у схемі із ЗЕ показує, на скільки змінюється напруга між колектором та емітером при змі­ні напруги між базою і емітеромта має приблизно таку ж величину, як і для схеми а ЗБ:

.

Коефіцієнт підсилення за струмом (коефіцієнт передачі струму бази) у схемі із ЗЕ показує, на скільки змінюється струм колектора при зміні струму бази:

.

Схема має значне підсилення як за напругою так і за струмом.

Підсилення за потужністю схеми із ЗЕ:

Дана схема широко використовується як основна для універ­сальних підсилювачів, для пристроїв кадрової та стрічкової розгортки телевізійних приймачів та інше.

У схемі із ЗК підсилюючий каскад має великий вхідний опір ( десятки і сотні кілоом), а вихідний – малий ( десятки і сотні ом). В цій схемі коефіцієнти підсилення дуже малі. Вона ви­користовується при роботі на низькоомне навантаження від високоомного датчика та для узгодження опорів між окремими каскадами підсилювачів.

Вхідні (базові) характеристики біполярного транзистора у схемі із ЗЕ - залежність між струмами бази і напругами між базою - емітером у вхідному колі при постійних напругах між колектором та емітером:

Вихідні (колекторні) характе­ристики біполярного транзистора у схемі з ЗЕ - залеж­ність між струмами колектора від напруг між колектором та емі­тером при постійних струмах бази.

Позначення літерно-цифрового коду транзисторів аналогічні напівпровідниковим діодам, крім слідуючих:

другий елемент позначення - літерний - визначає клас приладу:

транзистори біполярні – Т; транзистори польові – П; п'ятий елемент

позначення - літери російського алфавіту від А до Я - визначає ділення технологічного типу на параметричні гру­пи, наприклад, за зворотними напругами, коефіцієнту передачі струму та ін.

Наприклад, позначенні досліджуваного транзистора типу КТ 801 А відповідає паспортним даним (параметрам): кремнієвий (К), біполярний (Т), великої потужності (максимальна потужність, яка роз­сіюється на колекторному переході, ), середньо - частотний, призначений для улаштувань кадрової і стрічкової розгортки телевізійних приймачів (8), розробка (01), із зворотнім струмом колектора10 мА при , зворотнім струмом емітера2 мА при 2,5В, з коефіцієнтом передачі струму , з максимальним струмом колектората з

n-p-n типом переходу.