Параметры магнитопроводов.

Марка феррита	Параметры
	BS, Тл	Br,Тл
	При Hmax= 10 Э
4000НМ	0,45	0,13
3000НМ	0,35	0,15
3000НМ	0,38	0,14
2000НМ	0,25	0,12
1000НМ	0,35	0,11
1000НМ	0,32	0,15

6. Число витков вторичной обмотки

(2.41)

7. Находим относительную магнитную проницаемость сердеч­ника на рабочем участке цикла перемагничивания

(2.42)

где μ₀ = 4π·10^-7 Гн/м – магнитная проницаемость вакуума.

8. Индуктивность первичной обмотки трансформатора

(2.43)

9. Определяем максимальное значение тока намагничивания трансфор­матора, которое имеет место в момент окончания импульса управления,

(2.44)

10. Максимальный ток коллектора транзистора выходного каскада с учетом тока намагничивания трансформатора

(2.45)

11. По расчетным значениям I_{к max} и U_к-э.нас из справочника [8] выбираем транзистор КТ630Д со следующими параметрами:

I_к.доп = 1 А,

U_к-э.доп = 60 В при R_б = 3 кОм, h_21Э = 80…240.

Граничная частота усиления в схеме с общим эмиттером f_β = 50 МГц, максимально допустимая мощность, рассеиваемая коллектором, Р_к.max = 0,8 Вт.

12. Определяем ток базы, необходимый для достижения режима насы­щения транзистора при максимальном токе коллектора

(2.46)

где b = 1,5...3 – коэффициент насыщения транзистора, h_21Э min = 80 – мини­мальное значение параметра h_21Э.

13. Надежное запирание транзистора в интервале между импульсами управления обеспечивается включением между базой и эмиттером резистора R_б, сопротивление которого, согласно ТУ, не должно превышать величины 3 кОм для выбранного транзистора. Принимаем к установке резистор сопро­тивления 2,7 кОм.

14. Определяем ток в резисторе R_б в период действия отпирающего им­пульса

(2.47)

Здесь U_б-э.нас = 0,75 В, определенное по входной статической характеристике транзистора КТ630Д для напряжения U_к-э = 0 В.

15. Определяем ток в резисторе R₅ в период действия управляющего импульса

(2.48)

16. Находим величину сопротивления резистора R₅. Принимаем к уста­новке резистор сопротивлением 480 Ом.

17. Определяем ток выходного транзистора микросхемы DD2.2 в пе­риод логического нуля на ее выходе

(2.49)

В том случае, если указанный ток оказывается больше допустимого, то следует выбрать микросхему с большей нагрузочной способностью или ме­жду выходом микросхемы и базой транзистора установить дополнительный усилитель тока (эмиттерный повторитель).

18. Определяем длительность переднего фронта импульса коллектор­ного тока транзистора

(2.50)

где – постоянная времени транзистора.

19. Мощность потерь при отпирании транзистора

(2.51)

20. Длительность заднего фронта импульса коллекторного тока

(2.52)

21. Мощность потерь при запирании транзистора

(2.53)

22. Мощность потерь в транзисторе на интервале насыщенного состоя­ния

(2.54)

23. Мощность потерь в базовой цепи на интервале насыщенного со­стояния

(2.55)

24. Суммарная мощность потерь в транзисторе

(2.56)

Полученное значение мощности не должно превышать допустимое для данного транзистора.

25. Определяем величину добавочного сопротивления в цепи управ­ляющего электрода тиристора

(2.57)

Мощность, рассеиваемая этим резистором,

(2.58)

26. Эффективное значение тока в первичной обмотке выходного транс­фор­матора

(2.59)

27. Эффективное значение тока во вторичной обмотке

(2.60)

28. Сечение провода первичной обмотки

(2.61)

где j = 4 А/мм² – допустимая плотность тока.

В качестве провода первичной обмотки выбираем провод марки ПЭЛШО,  = 23 мм.

29. Сечение провода вторичной обмотки

(2.62)

Выбираем провод ПЭЛШО диаметром 0,29 мм.

30. Определяем коэффициент заполнения окна сердечника проводом

(2.63)

Полученное значение К_M должно быть меньше предельно допустимого значения К_М.доп = 0,15. В противном случае нужно взять сердечник ближай­шего типоразмера, но с большей площадью окна и повторить расчет.

31. Максимальное обратное напряжение и максимальный ток демпфи­рующего диода (VD3, VD4)

U_{обр max} = E_К = 20 В; I_{д max} = I_{к max} = 0,468 А.

Выбираем диод КД212А со следующими параметрами:

I_{а доп} = 1 А; U_{обр доп} = 200 В.

Величина сопротивления нагрузки микросхем DD2.1 и DD2.2 (R₃ и R₄) в соответствии с рекомендациями [12] выбирается равной 1 кОм.