- •Лабораторная работа №5 измерение времени жизни неосновных носителей заряда в базе диода
- •Краткие теоретические сведения Понятие времени жизни неравновесных носителей заряда
- •Принцип измерения времени жизни неосновных неравновесных носителей заряда в базе диода
- •Описание установки и методика измерений
- •Подготовка установки к работе
- •Задание и порядок выполнения работы
- •Порядок отключения установки
- •Список использованных источников
Задание и порядок выполнения работы
Определить величину обратного тока кремниевого диода и вычислить время жизни неосновных неравновесных носителей заряда в базе. Для этого:
переключить тумблер Т1 на панели измерительной подставки в положение "1" (в этом случае генератор подключен к осциллографу через клеммы гнезда "Д" и резистор R);
вставить диод №1 в гнездо "Д" на панели измерительной подставки. (Если импульсы на экране исчезнут или картина не меняется после подключения диода - изменить полярность тумблером T2);
зарисовать полученную осциллограмму;
по изображению на экране измерить длительность А плоской вершины импульса обратной полярности;
используя значения множителей развертки осциллографа, определить t1 (μs) и рассчитать время жизни неосновных неравновесных носителей заряда (см. формулу 5.16).
аналогично проделать измерения для кремниевых диодов №2 - №8, которые отличается от диода №1 тем, что они облучены потоком -квантов в соответствии с таблицей;
№ диода |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
Φ ,см-2 |
0 |
1,2·1014 |
1,9·1014 |
4,3·1014 |
5,5·1014 |
8,3·1014 |
9,7·1014 |
1,7·1015 |
сравнить полученные значения времени жизни диодов и объяснить различие найденных величин;
построить график зависимости τ=f(Φ), где Φ – поток –квантов, см-2;
сделать вывод о влиянии облучения на величину времени жизни неосновных носителей заряда и о возможности использования радиационных воздействий в технологии производства полупроводниковых приборных структур.
Порядок отключения установки
1. Выключить тумблеры "Анод I" и "Анод II" генератора Г5-7А.
2. Выключить генератор тумблером "Сеть".
3. Выключить осциллограф С9-1 нажатием кнопки "Сеть".
Список использованных источников
1. Практикум по полупроводникам и полупроводниковым приборам /Под ред. К.В.Шалимовой.- М.: Высш.школа, 1968.
2. Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников.- М.: Наука, 1977.
3. Блекмор Д. Статистика электронов в полупроводниках.- М.: Мир, 1964.-Гл.8.
4. Носов Ю. Р. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме,- М.: Наука, 1968.- Гл.1, П.
5. Методическое пособие по курсу "Физика полупроводников" для студентов специальности 06.29/О.К.Гусев, А.П.Крищенко, А.Г.Литвинко и др. В 2 ч.- Мн.: БПИ, 1982.- Ч.1.