Для магистратуры / Русские лекции по проектированию БИС / EDA_12_L-7

47

 Programmable Logic Array - PLA илилиПЛМПЛМ

термы

x 0 x 1

(gate array иULA, Uncommited Logic Array))

 В отличие от ПЛИС БМК программируется технологически, путём нанесения маски соединений последнего слоя металлизации.

БМК напоминает библиотеку подпрограмм и функций для языков программирования. На нём разведены, но не соединены элементарные цепи и логические элементы.

Заказчиком разрабатывается схема соединений, так называемая маска. Эта маска наносится в качестве последнего слоя на базовый матричный кристалл в результате чего элементарные схемы и разрозненные цепи на БМК складываются в одну большую схему.

В итоге заказчик получает готовую БИС, которая получается ненамного дороже исходного БМК.

БМК с маской заказчика обычно изготавливаются на заказ небольшими сериями. На полный цикл "карта заказа -> поставка первой партии"

требуется от полутора до трех месяцев.

routing

channel Соединенные ячейки

(4-input NOR)

Out

50

Примерпроектанаоснове«моря» элементовтов

Логика

Подсистема

памяти

LSI Logic LEA300K (0.6 m CMOS)

53

Внастоящее время БМК в большинстве применений вытеснены ПЛИС, не требующими заводского производственного процесса для программирования и допускающими перепрограммирование.

ВРоссии базовые матричные кристаллы производятся ОАО «Ангстрем», НПО Физика и рядом других предприятий.

53

(gate array иULA, Uncommited Logic Array)y)

Применяется в случаях, когда:

•требуется быстро разработать и начать производство изделия;

•объем производства изделия относительно невысок, а подходящих БИС среди выпускаемых нет;

•при создании специфичной аппаратуры с оригинальной схемотехникой: необходимо применить оригинальные схемные решения на основе БИС, но существующие БИС для этих целей не подходят;

•при переработке ранее созданной аппаратуры на новую элементную базу;

•при желании заказчика самостоятельно разработать БИС с целью, например, скрыть свое "know-how;

Via-programmable cross-point

metal-5 metal-6

программируемые переходные отверстия – programmable via

19

3-х мерное изображение кремниевого кристалла, полученное из

GDS II – файла:

показаны 3 слоя металлизации (диэлектрик удален)