-
Решения 2014 года
Для наглядности представим решения, предложенные в 2014 года на главной ежегодной международной конференции по термоэлектричеству, прошедшей в США, штат Теннеси. Разделим материалы на три функциональные группы: низко-, средне-, высокотемпературные, в зависимости от температурных уровней, на которых они функционирую.
Низкотемпературные материалы(<600°C)
• Халкогениды на основе висмута р-типа (Bi,Sb)2Te3 и n-типа Bi2(Te,Se)3 остаются одними из лучших представителей термоэлектриков, работающих при температурах близких к комнатной.
• LaCoO3 с добавлением Sr и Mg , La1-xSrxCo1-xMgxO3 (x = 0, 0.025, 0.05, 0.1)
• Bi2Te3-SiC композитные ТЕ пленки, изготовленные в кислотной ванне.
• Соединения Bi-Te с Cu,Ga2Te3,Sb,Se,In
• Полимерные органические пленки
• Полимерные композитые пленки с включениями нанопроволок Bi-Te и углеродных нанотрубок (УНТ)
• Bi0.5Sb1.5Te3 композиты, полученные методом SPS и HPS
• Керамика CuMn1+xO2(x=0~0.2)
• Скуттерудиты на основе Ge (LazPt4-xNixGe12-ySby)
• Bi-Te с включениями УНТ и меди
• Наноструктурные редкоземельные системы на основе железа и хрома для криогенного использования с высоким коэффициентом мощности
• Соединения на основе церия (CeCu6 ,CeAl3)
• PEDOT полимерные пленки, обработанные азотной кислотой
• Кристаллы на основе Bi-Te
Cтрана |
Изучаемые и получаемые ТЕ материалы |
США |
Нанокомпозитные материалы на основе Te-Bi
Материалы на основе Ce Al Pt Sb
Соединения Mg |
Китай |
Полимеры органического происхождения
Нанокомпозиты, полученные SPS HPS методами |
Япония |
Сплавы Bi-FeSi2
Органические полимеры
Нетоксичные материалы на основе Al
Органические полимеры, содержащие углеродные нанотрубки(УНТ) и растворимые полимеры |
Корея |
Халкогениды на основе Bi Bi-Te, полученный методом SPS
Анизотропные соединения (Bi,Sb)2Te3 c нанопроволоками Bi |
Малайзия |
PEDOT полимеры
Полимерные композиты с УНТ и нанопроволоками из Bi-Te |
Тайвань |
Керамические материалы на основе Cu-Mn-O2
Соединения Bi-Te, полученные методом SPS |
Россия |
Наноразмерные соединения на основе Bi-Sb-Te, Bi2Te3 |
Франция |
Соединения Bi-Te с вклчениями УНТ и меди |
Австрия |
Cкуттерудиты на основе Ge |
Германия |
Соединения Mg и Si |
Среднетемпературные материалы (600-1000°с)
• Дважды заполненные скуттерудиты (Ce1-zYbzFe3.5Ni0.5Sb12, La1-zYbzFe4-xCoxSb12) на основе Ni-Sb Co-Sb, изготовленные путем инкапсулированного плавления и горячего прессования, ZT>1.
• Соединения магния: Mg2X (X = Si, Ge, Sn), лучше всего проявляет свойства про 500-800°С, выгоден с точки зрения экономии и экологии
• Нанокристаллический BiAgSeS, электропроводность значительно улучшена за счет частичной замены S2- на Cl-: BiAgSeS0.95Cl0.05, ZT=1
• Новые клатраты изготовленные из нетоксичных нередких элементов: K8Al8Si38, Ba8Al16Si30
• Гибридные полимер/наноуглеродные материалы для пластичных изделий
• Твердые растворы Eu7Cd4Sb8-xAsx (x = 2, 3, 4 и 5) с изолирующими катионами, разделяющими механизмы переноса теплоты и заряда.
•Нанокомпозитный Yb0.25Co4Sb12-Ag2- ySbyTe1+y ,составленный из микроразмерного Yb0.25Co4Sb12 с нановключениями Ag2-ySbyTe1+y методом горячего прессования.
• Клатраты I-типа: Rb8Ga8Si38 , Cs8Ga8Si38, Ba8Ga16Ge30
• Многокомпонентная керамика LiNiO2-NiO, BiCuSeO + Zn, LCuO-Sr
• Композиты PbTe/Ag, CoSi, CuFeS2 , Cu9Fe9S16
• Соединения ASO (AgSbO3), LAST (PbTe-AgBiTe2) , BLST (Bismuth-Lead-Silver-Tellurium)
• Материалы,изготовленные методом TE-PAS(плазменное спекание)
• Твердые растворы с различными нановключениями
• тонкие пленки Bi-Te, MgSi2
• Композиты изготовленные методом горячего прессования порошков (в вакууме/в атмосфере благородных газов) и SPS
• Бинарные системы PbTe-CoSe2
• Материалы, полученные методом холодного изостатичного прессования CIP
Страна |
Представленный материал |
Китай |
•Заполненные скуттерудиты на основе CoSb3 •Соединения Mg c Si, Ge, Sn •BiAgSeS0.95Cl0.05 • AgSbTe2+Se • Yb0.25Co4Sb12-Ag2- ySbyTe1+y • (Mn0.7Fe0.3)22Si37 • Mn(Ge0.01Si0.99)1.75 • Cu2Sn0.9In0.1Se3 • Mg2.16(Si0.3Sn0.7)0.98Sb0.02 • BiCuSeO + Zn • VxCr1-xSi2 (x=0.005-0.02,y=0.005) • LaxGe1-xTe (x=0, 0.05, 0.10, 0.15) • CuxGe1-xTe (x=0, 0.05, 0.10, 0.15) • Cu3SbS3 • BiAgSeS
|
Япония |
• K8Al8Si38 • LiNiO2-NiO • Ba8Al16Si30 • ASO • CuFeS2 , Cu9Fe9S16 • сплавы Mg2Si-Si, Mg2Si • пленки Mg2Si • RuGa2 • Cu26V2X6S32 (X = Ge, Sn) • скуттерудиты р-типа (La, Ba, Ga, Ti)x(Fe, Co)4Sb12 (x=0.8-1.0) •скуттерудиты n-типа (Yb, Ca, Al, Ga, In)x(Co, Fe)4Sb12 • PbTe с нановключениями коллоидного серебра
|
США |
• Твердые растворы Eu7Cd4Sb8-xAsx (x = 2, 3, 4 и 5) • Hf0.5Zr0.5CoSb1-xSnx (x=0.1, 0.15, 0.2, 0.25, 0.3) • Rb8Ga8Si38 , Cs8Ga8Si38 • скуттерудиты на основе CoSb3 • PbSe • CuInTe2 , CuGaTe2 • Cu3SbSe4 • PbTe-CoSe2 • (PbTe)(1-x - y)(PbSe)x(PbS)y • Ag2Se0.5Te0.5
|
Корея |
•Полимер/наноуглеродные гибриды • Bi0.975CuOSe
|
Тайвань |
• Ba8Ga16Ge30 • PbTe • Cu2-xS
|
Германия |
• пленки Bi-Te • PbTe-AgBiTe2 • сплавы Bi1-xSbx • MnTe
|
Малайзия |
• заполненные скуттерудиты MnFe4Sb12 • Mg2(Si0.4Sn0.6)1-xTix (0<x<0.07) |
Индия |
• наноструктурное соединение n-типа Mg3Sb2 • жидкие полупроводники (Si, Ga, Ge, In, Sn, Tl, Bi ,Sb
|
Украина, Турция |
• тонкие пленки Pb-Sb(Bi)-Te
|
Россия |
• тонкие пластичные пленки Bi-Te
|
Франция |
• BiAgSeS0.95Cl0.05 • CoSi
|
Высокотемпературные материалы(>1000°C)
Страна |
Представленные материалы |
США |
•Соединения Si и Ge с добавлением YSZ(цирконий, стабилизированный иттрием)
• Eu9Cd4Sb9 в соединении с Ag Au Cu
• Керамика на основе ZnO cдобавлением С
• Соединения Yb14MnSb11 с добавлением Se
• тонкие пленки оксида цинка
• Материалы,составленнве из чередующихся керамических и ТЕ пластин, соединенные золотом
• соединения PbSe
|
Китай |
• Соединения GeSi с добавлением Si3N4
|
Корея |
• Соединения Na Co O2
|
Япония |
• соединения Ti10Ru19B8 с добавлением Cu
• Сульфиды (LaS)1+mTS2 (T= Cr, Nb)
|
Англия |
Керамика на основе SrTiO3 – La1/3NbO3 |
Индия |
Эффект частичной замены Nb титаном в соединении SrTiO3 |
Италия |
• Композитные материалы на основе Ca3Co4O9-Co3O4, полученные методом SPS |
Австралия |
Соединения Sr2Fe2O5 и Ca2Fe2O5 Материал, составленный из FeO4 и FeO6 слоев, имеющих разную поверхность, что увеличивает рассеяние фононов |
Список литературы:
[1] Булат Л.П., Ведерников М.В., Вялов А.П., Термоэлектрическое охлаждение, под редакцией Л.П.Булата, Спб.:СПбГУНиПТ, 2002г.
[2] Коганов Привин “Термоэлектрические тепловые насосы”
[3] КОДЕКАСА Маттео (IT), ПАСТОРИНО Джорджо (IT), патент от 27.06.2009 г.
[4] Исмаилов Тагир Абдурашидович, Аминов Гарун Ильясович, Исмаилов Рустам Тагирович "Дагестанский Государственный Технический Университет" (ДГТУ) патент от 23.07.07.
[5] 61. Rol linger С N.. Sunderland J. E. Performance of thermoelectric heat pump with surface heat transfer. Solid-State Electronics, 1963
[6] Материалы ежегодной конференции ICT-2014