2.2.6. Побудова пам’яті необхідної розмірності
Обрати тип інтегральних схем пам’яті, на яких будемо будувати пам’ять.
Визначити необхідну кількість корпусів К: N=p*n, де р - кількість слів, n - розрядність.
;
.
Приклад:
Маємо ІС 16х4. Необхідна ІС 32х8.
3. Знайти структуру (принцип) дешифрації адреси, встановити правило з'єднання проводів, шин адреси, вхідних та вихідних проводів, проводів управління. Можливі 3 варіанти:
Пов'язаний зі збільшенням розрядності слів, що зберігаються.
Пов'язаний зі збільшенням кількості слів, що зберігаються.
Пов'язаний зі збільшенням розрядності та кількості.
У першому випадку – адресні шини запаралелюються, інформаційні шини не об'єднуються. У другому та третьому – обєднуються інформаційні шини, молодші розряди шини адреси, а старші розряди доводиться дешифрувати, використовуючи додатковий дешифратор.
Приклад. Побудувати пам'ять місткістю 32х8, використовуючи ІС-16х4 (рис. 2.19).
Рис. 2.19 Пам'ять місткістю 32х8 на ІС 16х4
2.3. Постійна пам'ять (пп)
2.3.1. Типи пп
ПП – пам'ять, у якої основним режимом є читання. Запис інформації в таку пам'ять – більш складний процесс, який потребує більших витрат, ніж процесс читання. В порівнянні з ОП, така пам'ять, як правило, простіша, надійніша. Основна перевага: інформація, яка в ній зберігається, не губиться при відключенні живлення, тому часто останнім часом її називають енергонезалежною.
Така пам'ять знаходить широке застосування в ЕОМ. В першу чергу – для зберігання BIOS. Постійна пам'ять застосовується у зовнішніх пристроях: знакогенераторах, перетворювачах кодів; в ЕОМ з мікропрограмним управлінням, для зберігання констант, таблиць функцій в якості табличних блоків реалізації математичних операцій. Нині відомі такі види пам'яті
ПП, запис в який здійснюється на одній із стадій процессу виготовлення. Ця память, програмування якої здійснюється виробником, називається масочними ПП. Змінювати інформацію в цій пам'яті вже не можна осуществляется на одной из стадий процесса изготовления. Эта память, программирование которой осуществляется изготовителем, называется масочными ПЗУ. Изменять информацию в этой памяти уже нельзя.
Однократнопрограмовувана пам'ять. Програмування відбувається заздалегідь перед використанням, програмується користувачем. Як правило, програмування таких пристроїв здійснюється програматорами.
Репрограмовувана пам'ять. Можна програмувати декілька разів.
1-й тип –ПП з ультрафіолетовим стиранням (EPROM)
2-й тип – ПП з електронним стиранням (ЕЕPROM).
Особый вид 2-го типа – FLASH-память. EEPROM можно использовать параллельно, уровни сигналов при чтении и при записи почти не отличаются. Программирование выполняется поблочно. Время записи (программирования) мало отличается от времени чтения .
Особливий вид 2-го типу - FLASH-пам'ять. EEPROM можна використовувати паралельно, рівні сигналів при читанні і при запису майже не відрізняються. Програмування виконується поблочно. Час запису (програмування) мало відрізняється від часу читання.
Загальний вигляд структури ПП показаний на рис. 2.20.
Рис. 2.20 Структура ПП
Шини зв’язані за допомогою елементів зв’язку (ЕЗ). Наявність ЕЗ означає зберігання одиниці в даному розряді.
Принцип роботи: в наслідок появи сигналу вибірки на одній із адресних шин з'являються сигнали на тих розрядних шинах, в яких установлені ЕЗ з обраною АШ.
ПП – перетворювач k-розрядного адресного коду в n-розрядний код слова, де k=log2P. В залежності від того, які ЕЗ застосовуються, розрізняють лінійні та нелінійні ПП. В лінійних ПП в якості ЕЗ використовуються резистори, конденсатори, в нелінійних – діоди, транзистори, імпульсні трансформатори. Трансформаторні ПП були двох типів: сердечник-розряд, сердечник-слово.