
- •Курс общей физики,
- •Глава 1. Кинематика материальной точки
- •Глава 14. Диэлектрики. Электроемкость
- •Глава 30. Тепловое излучение
- •Глава 36. Строение и свойства атомного ядра
- •1.2. Скорость
- •1.3. Ускорение и его составляющие
- •1.4. Угловая скорость и угловое ускорение
- •Глава 2. Динамика материальной точки
- •2.1. Первый закон Ньютона. Масса. Сила
- •2.2. Основной закон динамики поступательного движения.
- •2.3. Третий закон Ньютона
- •2.4. Силы в механике
- •2.5. Закон сохранения импульса. Центр масс
- •Глава 3. Энергия, как универсальная мера различных форм движения и взаимодействия тел. Закон сохранения энергии
- •3.1. Энергия, работа, мощность
- •3.2. Кинетическая и потенциальная энергии
- •3.3. Закон сохранения энергии
- •Глава4. Динамика вращательного движения твердого тела
- •4.1. Модель абсолютно твердого тела
- •4.2. Момент силы
- •4.3. Пара сил
- •4.4. Простые машины
- •4.5. Момент инерции
- •4.6. Кинетическая энергия вращения
- •4.7. Уравнение динамики вращательного движения твердого тела
- •4.8. Момент импульса и закон его сохранения
- •Глава 5. Элементы теории относительности эйнштейна
- •5.1. Преобразования Галилея.
- •5.2. Постулаты специальной (частной) теории относительности
- •5.3. Преобразования Лоренца
- •5.4. Следствия из преобразований Лоренца
- •5.5. Основной закон релятивистской динамики материальной точки
- •5.6. Закон взаимосвязи массы и энергии
- •Глава 6. Элементы механики жидкостей и газов
- •6.1. Давление в жидкости и газе
- •6.2. Уравнение неразрывности
- •6.3. Уравнение Бернулли и следствия из него
- •6.4. Ламинарный и турбулентный режимы течения жидкостей
- •6.5. Движение тел в жидкостях и газах
- •Основы молекулярной физики и термодинамики
- •Глава 7.Основные положения молекулярно- кинетической теории
- •7.1. Введение
- •7.2. Законы идеального газа
- •2) Давление данной массы газа при постоянном объеме изменяется линейно с температурой:
- •7.3.Уравнение Клапейрона – Менделеева
- •7.4. Основное уравнение молекулярно-кинетической теории идеальных газов
- •Глава 8. Закон максвелла о распределении молекул идеального газа по скоростям и энергиям
- •8.1. Введение
- •8.2. Закон Максвелла о распределении молекул идеального газа
- •8.3. Барометрическая формула. Распределение Больцмана
- •8.4. Среднее· число столкновений и средняя длина свободного пробега молекул
- •Глава 9. Реальные газы
- •9.1. Силы и потенциальная энергия межмолекулярного взаимодействия
- •9.2. Уравнение Ван-дер-Ваальса
- •9.3. Изотермы Ван-дер-Ваальса и их анализ
- •9.4. Внутренняя энергия реального газа
- •Глава 10. Свойства реальных жидкостей
- •10.1. Поверхностное натяжение
- •10.2. Явление смачивания
- •10.3. Давление под искривленной поверхностью жидкости
- •10.4. Капиллярные явления
- •Глава 11. Основы термодинамики
- •11.1. Введение
- •11.2. Число степеней свободы молекулы. Закон равномерного распределения энергии по степеням свободы молекул
- •В классической статистической физике выводится
- •11.3. Первое начало термодинамики
- •11.4. Работа газа при изменении его объема
- •11.5. Теплоемкость
- •11.6. Применение первого начала термодинамики к изопроцессам
- •Глава 12. Второе начало термодинамики
- •12.1. Круговой процесс (цикл). Обратимые и необратимые процессы
- •12.2. Энтропия, ее статистическое толкование
- •12.3.Второе начало термодинамики
- •12.4. Тепловые двигатели и холодильные машины.
- •Электричество и магнетизм
- •Глава 13. Основы электростатики
- •13.1. Атомистичность заряда. Закон сохранения заряда
- •13.2. Закон Кулона
- •13.3. Поток вектора напряженности
- •13.4. Теорема Гаусса
- •13.5. Поле бесконечной однородно заряженной плоскости
- •13.6. Поле двух разноименно заряженных плоскостей
- •13.7. Поле бесконечно заряженного цилиндра
- •13.8. Работа сил электростатического поля
- •13.9. Потенциал
- •13.10. Связь между напряженностью электрического поля
- •13.11. Эквипотенциальные поверхности
- •13.12. Применение электростатики в строительстве
- •13.12.1.Покрытия, основанные на электростатических принципах
- •13.12.2.Строительные технологические процессы, которые сопровождаются образованием электростатических полей
- •Глава14. Диэлектрики. Электроемкость
- •14.1. Полярные и неполярные молекулы
- •14.2. Диполь в однородном и неоднородном электрических полях
- •14.3. Поляризация диэлектриков
- •14.4. Поле внутри плоской пластины
- •14.5. Электроемкость
- •14.6. Конденсаторы
- •14.7. Энергия системы зарядов
- •14.8. Энергия заряженного конденсатора
- •14.9. Энергия электрического поля
- •Глава 15. Постоянный электрический ток
- •15.1. Сила и плотность тока
- •15.2. Сторонние силы. Эдс.
- •15.3. Закон Ома
- •15.4. Разветвленные цепи. Правила Кирхгофа
- •Глава 16. Магнитное поле токов
- •16.1.Закон Ампера
- •16.2. Магнитное поле. Закон Био – Савара - Лапласа
- •16.3. Работа перемещения контура с током в магнитном поле
- •16.4. Сила Лоренца
- •16.5. Влияние магнитных полей на живые организмы
- •Глава 17. Поток вектора магнитной индукции. Теорема гаусса
- •17.2. Токи при замыкании и размыкании цепи
- •Глава18. Магнитное поле в веществе
- •18.1. Магнитные моменты электронов и атомов
- •18.2. Магнитные свойства вещества. Ферромагнетизм
- •18.3. Диамагнетизм
- •18.4. Парамагнетизм
- •Глава 19. Механические колебания
- •19.1.Гармонические колебания и их характеристики
- •19.2. Дифференциальное уравнение свободных колебаний
- •18.3.Скорость и ускорение гармонических колебаний
- •19.4. Энергия колебаний Кинетическая энергия материальной точки, совершающей гармонические колебания равна
- •19.5.Сложение гармонических колебаний
- •19.6. Сложение взаимно-перпендикулярных колебаний
- •Глава 20. Затухающие и вынужденные колебания
- •20.1. Дифференциальное уравнение затухающих колебаний
- •20.2. Вынужденные колебания
- •20.3.Резонанс вынужденных колебаний
- •Глава 21. Электромагнитные колебания
- •21.1 Свободные электромагнитные колебания
- •21.2.Затухающие колебания в электрическом колебательном контуре
- •21.3.Вынужденные электромагнитные колебания
- •21.4.Переменный электрический ток
- •21.5.Резонанс токов и напряжение в цепи переменного тока
- •21.6. Мощность, выделяемая в цепи переменного тока
- •Глава 22. Упругие волны
- •22.1.Волновые процессы. Продольные и поперечные волны
- •22.2.Уравнение бегущей волны
- •22.3. Фазовая скорость бегущей волны
- •22.4.Принцип суперпозиции волн. Групповая скорость
- •22.5.Интерференция волн
- •22.6.Стоячие волны
- •Глава 23. Акустика
- •23.1. Основные характеристики звуковых волн
- •23.2. Эффект Доплера
- •23.3.Применение ультразвука
- •Глава 24. Электромагнитные волны
- •24.1.Экспериментальное получение электромагнитных волн
- •24.2.Дифференциальное уравнение электромагнитной волны
- •24.3. Энергия электромагнитных волн. Импульс электромагнитного поля
- •Глава 25. Взаимодействие света с веществом
- •25.1. Основные законы оптики. Полное отражение
- •25.2. Поглощение и рассеяние света
- •25.3. Тонкие линзы. Изображение предметов с помощью линз
- •25. 4. Оптические приборы, используемые в строительной технике
- •25.4.1. Теодолиты
- •25.4.2. Микроскоп
- •25.4.3. Элементы электронной оптики
- •Глава 26. Природа света и его свойства. Интерференция света
- •26.1. Развитие представлений о природе света
- •26.2. Интерференция света
- •26.4. Применение интерференции света.
- •Глава 27. Дифракция света
- •27.1. Принцип Гюйгенса — Френеля
- •27.2. Метод зон Френеля. Прямолинейное распространение света
- •27.3. Дифракция Френеля на круглом отверстии и диске
- •27.4. Дифракция Фраунгофера на одной щели
- •27.5. Дифракция Фраунгофера на дифракционной решетке
- •27.6. Понятие о голографии
- •Глава 28. Рентгеновский анализ
- •28.1. Рентгеновские лучи
- •28.2. Источники рентгеновских лучей
- •28.3. Основные методы рентгеноструктурного анализа
- •Глава 29. Дисперсия и поляризация света
- •29.1. Видимый свет
- •29.2. Дисперсия света
- •29.3. Естественный и поляризованный свет
- •Если свет падает на границу раздела под углом Брюстера, то отраженный и преломленный лучи взаимно перпендикулярны.
- •29.4. Вращение плоскости поляризации
- •29.5. Применение поляризационных микроскопов
- •Глава 30. Основные характеристики светотехники
- •30.1. Энергия излучения. Поток излучения.
- •30.2. Кривая относительной спектральной чувствительности глаза
- •30.3. Телесный угол. Сила излучения
- •30.4. Сила света
- •30.5. Световой поток. Связь между энергетическими и световыми величинами
- •30.6. Освещенность
- •30.7. Яркость
- •30.8. Светимость
- •30.9. Законы освещенности
- •30.10. Фотометры
- •Глава 31. Тепловое излучение
- •31.1. Характеристики теплового излучения
- •31.2. Закон Кирхгофа
- •31.3. Законы Стефана — Больцмана и смещения Вина
- •31.4. Формулы Рэлея-Джинса и Планка
- •31.5. Оптическая пирометрия
- •31.6. Тепловые источники света
- •31.7. Теплообмен излучением между поверхностями в помещении
- •Глава 32. Фотоэффект. Двойственная природа света
- •32.1. Виды фотоэлектрического эффекта. Законы внешнего фотоэффекта
- •32.2. Уравнение Эйнштейна для внешнего фотоэффекта
- •32.3. Масса и импульс фотона. Давление света
- •32.4. Эффект Комптона и его элементарная теория
- •32.5. Применение фотоэффекта
- •Глава 33. Основы квантовой механики
- •33.1. Корлускулярно-волновой дуализм свойств вещества
- •32.2. Соотношение неопределенностей Гейзенберга
- •33.3. Волновая функция и ее статистический смысл
- •33.4 Уравнение Шредингера
- •33.5. Частица в одномерной прямоугольной «потенциальной яме с бесконечно высокими «стенками»
- •33.6. Туннельный эффект
- •Глава 34. Теория атома водорода по бору. Квантовая теория атома водорода
- •34.1. Модель атома Резерфорда-Бора
- •34.2. Постулаты Бора
- •34.3. Спектр атома водорода по Бору
- •Полная энергия электрона в водородоподобной системе складывается из его кинетической энергии (mеυ2/2) и потенциальной энергии в электростатическом поле ядра (-Ze2/4πε0r):
- •34.4. Атом водорода в квантовой механике
- •Решение уравнения Шредингера, т.Е. Математическое описание орбитали, возможно лишь при определенных, дискретных значениях характеристик, получивших название квантовых чисел.
- •Формы орбиталей, соответствующие различным значениям l
- •34.5. Спин электрона
- •34.6. Спектры. Спектральный анализ
- •Глава 35. Элементы зонной теории твердых тел
- •35.1. Кристаллы. Связи между атомами и молекулами в твердых телах
- •35.2. Зоны энергетических уровней электронов в кристалле
- •35.3. Проводники, полупроводники и диэлектрики по зонной теории
- •35.4. Собственная проводимость полупроводников
- •35.5. Уровень Фéрми
- •35.6. Температурная зависимость электропроводности полупроводников
- •35.7. Примесная проводимость
- •35.8. Электронно-дырочный переход
- •35.9. Полупроводниковый диод
- •35.10. Транзистор
- •35.11. Микроэлектроника
- •35.12. Фоторезистор
- •35.13. Терморезистор
- •35.14. Фотодиод
- •35.15. Светодиод
- •35.16. Полупроводниковый лазер
- •35.17. Тензорезистивный эффект
- •35.18. Эффект Зеебека
- •35.19. Эффект Пельтье
- •35.20. Эффект Томсона
- •Глава 36. Строение и свойства атомного ядра
- •36.1. Размер, состав и заряд атомного ядра
- •36.2. Дефект массы и энергия связи ядра
- •36.3. Ядерные силы. Модели ядра
- •36.4. Радиоактивное излучение и его виды
- •36.5. Закон радиоактивного распада. Правила смещения
- •36.6. Законы сохранения при ядерных реакциях
- •36.7. Цепная реакция деления
- •36.8. Ядерная энергетика
- •36.9. Термоядерный синтез
- •36.10. Бытовые источники ионизирующего излучения
- •Литература
28.3. Основные методы рентгеноструктурного анализа
Использование рентгеновского анализа для изучения строительных материалов, металлов и сплавов.
Среди методов, изучающих структуру различных материалов, одно из ведущих мест занимает рентгеноструктурный анализ - совокупность методов исследования атомной структуры вещества по дифракционной картине по дифракционной картине, полученной при взаимодействии его с рентгеновскими лучами.
Установление вещества по данным о межплоскостных расстояниях. Каждая фаза исследуемого вещества имеет свою кристаллическую решетку. Семейства атомных плоскостей, образующих эту решетку, обладают своим, характерным только для данной решетки набором значений межплоскостных расстояний d(hkl). Данные о межплоскостных расстояниях для различных фаз можно найти в специальных таблицах, справочной литературе. Значения d(hkl)/n (n-целые числа (1,2,3...), или так называемый порядок отражения) можно рассматривать как межплоскостные расстояния d(hkl) для фиктивных плоскостей с индексами (HKL), где HKL-индексы интерференции, равные произведению соответствующих индексов плоскости (hkl) на порядок отражения n (H=nh, K=nk, L=nl).
Из формулы Вульфа - Брэггов nλ = 2 d sinθ следует, что d/n = d(hkl) = λ/2sin θ(hkl). Поскольку λ (длина волны характеристического излучения, в котором получена рентгенограмма) величина известная, то задача определения межплоскостных расстояний d/n сводится к нахождению углов θ для всех линий рентгенограммы.
Качественный фазовый рентгеноструктурный анализ. Рентгенограмма многофазной системы представляет собой результат наложения рентгенограмм отдельных фаз, интенсивности которых пропорциональны количеству фазы в системе. Поэтому фаза, содержание которой в системе невелико, будет представлена на рентгенограмме лишь небольшим числом наиболее интенсивных линий.
Необходимо определить межплоскостные расстояния по формуле Вульфа-Брэгга. Для установления природы фаз, присутствующих в системе, следует из общего ряда полученных значений dНКL выделить ряды, свойственные каждой из фаз в отдельности. Затем сопоставить их с табличными значениями для каждой из фаз и, проиндицировав соответствующие интерференционные максимумы, рассчитать значения периодов решеток соответствующих фаз.
Для кубической фазы период решетки рассчитывают по формуле
a
= d
.
(28.4)
Если о природе фазы нельзя сделать достаточно надежных предположений, то сначала следует выяснить сингонию фазы, затем определить ее периоды и дифракционную группу и по периодам установить природу фазы, пользуясь таблицами (кубическая сингония) номограммами (графическое индицирование вещества по номограммам Бьернстрема, Липсона, Ито) для тетрагональной гексагональной, моноклинной и триклинной сингонии.
Количественный фазовый рентгеноструктурный анализ. Рентгеновский количественный фазовый анализ поликристаллических веществ основан на том, что интегральная интенсивность дифракционных линий, принадлежащих разным фазам, зависит от концентрации этих фаз в веществе (сплаве). С другой стороны, при одном и том же содержании определяемой фазы интенсивность ее линий зависит от отражательной способности соответствующего семейства кристаллографических плоскостей и от соотношения коэффициентов ослабления рентгеновских лучей для исследуемой фазы и всего сплава (вещества).
На сопоставлении интенсивностей линий определяемых фаз, выбранных в качестве линий сравнения, основаны различные способы количественного фазового анализа без применения и с применением эталонов.
Метод гомологических пар. Применяется для анализа двухфазных систем при условии, что μ1 = μ2. Известно, что каждая фаза дает на рентгенограмме линии разной интенсивности. Если рентгенографируется двухфазная смесь, то интенсивность линий каждой из фаз тем больше, чем больше количество данной фазы в смеси. Интенсивность двух линий, принадлежащих разным фазам, могут быть одинаковы лишь при определенном количественном соотношении каждой из фаз в смеси. Такие пары называются гомологическими парами. Если заранее составить таблицу таких пар по эталонным смесям или использовать уже готовую из справочной литературы, то, находя на рентгенограмме две близлежащие дифракционные линии от разных фаз с одинаковой интенсивностью, можно определить количество каждой фазы в смеси. Визуальный подбор таких двух линий и составляет сущность метода.
Метод градуировочной кривой. Этот метод позволяет проводить количественный фазовый анализ двухфазной смеси, состоящей из – и β- фаз. На полученной дифрактограмме выбирают аналитические линии – и β- фазы, измеряют их интегральную интенсивность, отношение этих интенсивностей и откладывают его на ординате градуировочного графика, а затем находят содержание – фазы в образце.
Метод внутреннего эталона. В случае порошкового образца, содержащего более двух фаз, если коэффициент ослабления анализируемой фазы отличается от коэффициента ослабления смеси μi ≠ μсм. Этот метод основан на сравнении линий анализируемой фазы с интенсивностью линий эталонного вещества известного количества. Добавив к анализируемому порошку определенное количество эталона тоже в виде порошка и тщательно перемешав их, снимают рентгенограмму и находят отношение интенсивностей линий анализируемой фазы и эталона, или через массы.
Также для определения количественного фазового анализа используют метод добавок, метод независимого эталона, метод измерения коэффициента поглощения в образце, метод определения состава фаз.
С помощью рентгеноструктурного анализа можно проводить анализ остаточного аустенита в стали, мартенсита и феррита; определение концентрации углерода в мартенсите; определение границ растворимости двойных сплавов; анализ текстурированных материалов; определение ориентировки плоскости скольжения и плоскости двойникования.
Анализ нарушений кристаллической структуры. Определение зональных напряжений. Пластическая деформация и фазовые превращения, термическая обработка и облучение частицами высоких энергий, неравномерный нагрев и охлаждение, и ряд других процессов приводят к возникновению в кристалле дефектной структуры. Под зональными напряжениями (макронапряжениями или напряжениями 1рода) понимают упругие искажения, уравновешивающиеся в объеме всего изделия или его значительной части. Напряжения определяют по смещению интерференционной линии по углу θ.
Анализ
нарушений кристаллической структуры.
Определение блоков мозаики и величины
микродеформации.
Конечную структуру кристалла после
внешних воздействий можно описать с
помощью следующей модели (рис. 28.2).
Исходный монокристалл разбивается на
крупные осколки - кристаллиты, повернутые
друг относительно друга практически
на любые углы. Каждый же кристаллит
состоит из мелких, отдельных областей
(блоков мозаики <D>) или областей
когерентного рассеяния рентгеновских
лучей (ОКР), повернутых друг относительно
друга на относительно малые углы (от
20` до 1-5 градуса). Причем блоки (размеры
которых могут при больших степенях
пластической деформации становиться
порядка 0,01 мкм) будут упруго напряжены
и при этом Рис.28.2.
возникнут
микродеформации
в кристалле. Кристалл будет состоять
из участков сжатых, растянутых, изогнутых
и т.п. Эти участки кристалла как бы
скрепляет клей аморфные или полуаморфные,
насыщенные дислокациями участки решетки.
Физические свойства такой системы
существенно зависят от средних величин
размера блоков, угла разориентировки
между ними и величины микродеформаций.
Эта модель удобна при рассмотрении
причин уширения дифракционных линий.
Если размер блоков достаточно мал (меньше 0,1 мкм), это приводит к заметному расширению дебаевских линий на рентгенограмме. Наличие в поликристаллическом образце микродеформаций (т.е. присутствие кристаллов с вариацией периода решетки) также приводит к расширению линий на рентгенограмме.
Если из условий эксперимента можно заведомо вывести заключение о том, что истинное физическое уширение линии (HKL) вызвано или исключительно микродеформациями, или только измельчением блоков мозаики до величины меньшей, чем 0,1 мкм. Тогда величина искажений решетки в направлении, перпендикулярном плоскости отражения (HKL), также и размер блока мозаики в направлении, нормальном к (HKL), могут быть вычислены по простым формулам. Если образец деформирован пластически, то в нем всегда имеются блоки, как сжатия, так и растяжения (в целом кристалл деформирован неоднородно), и исследуемый образец можно характеризовать целым набором межплоскостных расстояний, лежащих в пределах d0 + Δd. Каждый из блоков дает свой интерференционный максимум. Суммарный максимум от всего образца образуется за счёт наложения максимумов от отдельных блоков. В итоге возникает размытие результирующего интерференционного максимума. Ясно, что распределение интенсивности вдоль максимума зависит от характера распределения микродеформации в образце.
Зная истинное физическое уширение двух линий, проводят качественную оценку доли влияния факторов блочности и микродеформаций. Если блоки мозаики недисперсны (крупнее 0,1 мкм), то уширение вызвано только микродеформациями. Если же в образце нет искажений, но блоки малы (меньше 0,1 мкм), то все уширение вызвано только дисперсностью блоков.
Если же, как это бывает в большинстве случаев в реальном кристалле, уширение вызвано, как наличием микродеформаций так и измельчением блоков. Линии на рентгенограмме будут размыты как за счет мелкодисперсности образца, так и за счет наличия в нем микродеформаций и, поэтому, необходимо разделение этих эффектов.
При анализе деформированных поликристаллов для разделения эффектов блочности и микродеформаций наиболее широкое использование получил метод аппроксимации профилей рентгеновских интерференционных линий.