лекции ВТиИТ / 02_Память
.pdf
транзистор всегда открывается. Т.е. при выборке адресной линии Аi (подача лог.1) все транзисторы этой линии будут открыты.
При подаче на затвор 0 (выборка адресной линии не-Аi):
-при наличии заряда на плавающем затворе канал не создается (заряд электронов на плавающем затворе мешает возникновению канала) – на выходе линии данных 1,
-при отсутствии заряда на плавающем затворе создается канал между истоком и стоком и транзистор открывается – на выходе линии данных 0.
|
|
|
|
|
|
|
. |
. |
|
|
|
|
|
|
|
0 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
N |
N |
N |
N |
N |
N |
N |
N |
N |
N |
N |
|
|
|
|
|
P |
|
|
|
|
|
Реализация ячеек flash-памяти на кристалле: |
|
|
|
|
|
|||||
|
NOR TYPE |
|
|
|
NAND TYPE |
|
|
|||
Bit Line |
|
|
|
Unit |
|
|
|
Bit Line |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Cell |
|
|
Contact |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
16 or 32 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
transistors |
|
|
|
|
|
|
Contact |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Common Source |
|
• Contact is the limiting factor for scale-down. • Easy to Scale Down.
ВNOR-архитектуре к каждому транзистору необходимо подвести индивидуальный контакт, что увеличивает размеры схемы и плохо масштабируется (сложно увеличивать емкость). Преимущества: быстрый произвольный доступ, возможность побайтной записи. Недостатки: относительно медленная запись и стирание.
ВNAND архитектуре обеспечивается большая плотность ячеек.
Запись и стирание происходит быстрее. Однако эта архитектура не позволяет обращаться к произвольной ячейке.
Преимущества: быстрая запись и стирание, небольшой размер блока.
Недостатки: относительно медленный произвольный доступ, невозможность побайтной записи.
Развитие flash-памяти
•SLC – Single-Level Cell
•MLC – Multi-Level Cell
Возможность хранить в одной ячейке больше одного бита информации. 4 уровня заряда на плавающем затворе позволяют кодировать – 00, 01, 10, 11