2014_4434
.pdf42.Дайте физическое определение напряжения плоских зон и запишите его математическую формулу.
43.Поясните графически, какой вид имеет ОПЗ в n-МОПТ вблизи области стока и какое направление при этом имеет электрическое поле, управляемое со стороны затвора.
44.Нарисуйте расположение электродов в корпусе транзистора
IRFD420.
45.Поясните графически форму области канала n-МОПТ и ОПЗ для режима работы в крутой области ВАХ.
46.Объясните особенности выходных характеристик n-канального МОПТ со встроенным каналом.
47.Поясните графически какой вид имеет ОПЗ в р-МОПТ вблизи области стока и какое направление при этом имеет электрическое поле, управляемое со стороны стока?
48.Поясните физическую роль напряжения подложки в процессе формирования канала n-МОПТ.
49.Сколько p–n-переходов содержится в конструкции транзистора IRFD420 и какой у него тип канала?
50.Поясните графически, форму области канала n-МОПТ и ОПЗ для режима работы в пологой области ВАХ.
91
ОГЛАВЛЕНИЕ |
|
Список сокращений и условных обозначений...................................................... |
3 |
Предисловие............................................................................................................. |
4 |
Лабораторная работа № 1. Температурная зависимость параметров |
|
полупроводниковых диодов..................................... |
5 |
Лабораторная работа № 2. Определение статических параметров модели |
|
Эберса–Молла по вольт-амперным |
|
характеристикам биполярного транзистора ......... |
16 |
Лабораторная работа № 3. Исследование статических характеристик |
|
и дифференциальных параметров ПТУП............... |
29 |
Лабораторная работа № 4. Исследование статических характеристик |
|
и дифференциальных параметров |
|
МОП-транзистора .................................................... |
42 |
Библиографический список.................................................................................. |
57 |
Приложения............................................................................................................ |
58 |
Приложения 1. Модульный учебный комплекс МУК-ФОЭ.............................. |
58 |
Приложение 2. Электрические параметры исследуемых полупроводниковых |
|
элементов...................................................................................... |
62 |
Приложение 3. Ключевые вопросы и задачи для входного контроля |
|
остаточных знаний...................................................................... |
67 |
Приложение 4. Список контролирующих вопросов к лабораторным |
|
работам......................................................................................... |
80 |
92