- •Федеральное государственное бюджетное образовательное
- •Содержание
- •50 Гц 39
- •Общие организационно-методические указания
- •Методические указания по выполнению курсовой работы
- •Содержание курсовой работы и таблица вариантов заданий
- •Расчет усилителя мощности
- •Пример 1. Расчет бестрансформаторного усилителя мощности с однополярным питанием
- •Исходные данные для расчета:
- •Пример 2. Расчет бестрансформаторного усилителя мощности с двухполярным питанием
- •Исходные данные для расчета:
- •Пример 3. Расчет компенсационного стабилизатора напряжения на оу с ограничением выходного тока и защитой от короткого замыкания
- •Исходные данные для расчета:
- •Пример 4. Расчет импульсного стабилизатора напряжения с ограничением тока и широтно-импульсной модуляцией (шим) с использованием микросхемы а74s40 фирмы Fairchild
- •Исходные данные для расчета:
- •Пример 5. Расчет мостового выпрямителя с емкостным фильтром
- •Исходные данные для расчета:
- •Пример 6. Расчет мостового выпрямителя с индуктивно-емкостным фильтром
- •Исходные данные для расчета:
- •Пример 7. Расчет силового трансформатора, работающего на частоте 50 Гц
- •Исходные данные для расчета:
- •Оформление расчетно-пояснительной записки
- •Список литературы
- •Приложения
- •Электроника
- •236022, Калининград, Советский проспект,1
Приложения
Приложение 1
Паспортные данные транзисторов КТ3102n-p-nпроводимости Таблица 2
Тип |
Uкбо и,В |
Uкэо и, В |
Iкmax(и), мА |
Pкmax, Вт |
h21э |
Iкбо, мкА |
fгр., МГц |
Кш, дБ |
КТ3102АМ |
50 |
50 |
100(200) |
0,25 |
100-200 |
≤0,05 |
≥150 |
≤10 |
КТ3102БМ |
50 |
50 |
100(200) |
0,25 |
200-500 |
≤0,05 |
≥150 |
≤10 |
КТ3102ВМ |
30 |
30 |
100(200) |
0,25 |
200-500 |
≤0,015 |
≥150 |
≤10 |
КТ3102ГМ |
20 |
20 |
100(200) |
0,25 |
400-1000 |
≤0,015 |
≥150 |
≤10 |
КТ3102ДМ |
30 |
30 |
100(200) |
0,25 |
200-500 |
≤0,015 |
≥150 |
≤4 |
КТ3102ЕМ |
20 |
20 |
100(200) |
0,25 |
400-1000 |
≤0,015 |
≥150 |
≤4 |
КТ3102ЖМ |
20 |
20 |
100(200) |
0,25 |
100-250 |
≤0,015 |
≥150 |
- |
КТ3102ИМ |
20 |
20 |
100(200) |
0,25 |
200-500 |
≤0,05 |
≥150 |
- |
КТ3102КМ |
20 |
20 |
100(200) |
0,25 |
200-500 |
≤0,015 |
≥150 |
- |
где:
Uкбо |
- максимально допустимое напряжение коллектор-база; |
Uкбо и |
- максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база; |
Uкэо |
- максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер; |
Uкэо и |
- максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер; |
Iкmax (и) |
- максимально допустимый постоянный и (импульсный) ток коллектора; |
Pкmax |
- максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода; |
h21э |
- статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером; |
Iкбо |
- обратный ток коллектора; |
fгр |
- граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером; |
Кш |
- коэффициент шума биполярного транзистора. |
Паспортные данные транзисторов КТ502 p-n-p проводимости Таблица 3
Тип |
Предельные параметры |
RТ п-с, °C/Вт | |||||||||||||||||
Параметры при T = 25°C | |||||||||||||||||||
Iкmax, мА |
Iк и max, мА |
Uкэ0гр, В |
Uкб0max, В |
Uэб0 max, В |
Pкmax, мВт |
T, °C |
Tпmax, °C |
Tmax, °C |
h21э |
Uкэ, В |
Iэ, мА |
Uкэ нас, В |
Iкб0, мкА |
fгр, МГц |
Cк, пФ |
Cэ, пФ |
| ||
КТ502А |
150 |
350 |
25 |
40 |
5 |
350 |
25 |
125 |
85 |
40...120 |
5 |
10 |
0,6 |
1 |
5 |
20 |
15 |
214 | |
КТ502Б |
150 |
350 |
25 |
40 |
5 |
350 |
25 |
125 |
85 |
80...240 |
5 |
10 |
0,6 |
1 |
5 |
20 |
15 |
214 | |
КТ502В |
150 |
350 |
40 |
60 |
5 |
350 |
25 |
125 |
85 |
40...120 |
5 |
10 |
0,6 |
1 |
5 |
20 |
15 |
214 | |
КТ502Г |
150 |
350 |
40 |
60 |
5 |
350 |
25 |
125 |
85 |
80...240 |
5 |
10 |
0,6 |
1 |
5 |
20 |
15 |
214 | |
КТ502Д |
150 |
350 |
60 |
80 |
5 |
350 |
25 |
125 |
85 |
40...120 |
5 |
10 |
0,6 |
1 |
5 |
20 |
15 |
214 | |
КТ502Е |
150 |
350 |
80 |
90 |
5 |
350 |
25 |
125 |
85 |
40...120 |
5 |
10 |
0,6 |
1 |
5 |
20 |
15 |
214 |
Паспортные данные транзисторов КТ503 n-p-nпроводимости Таблица 4
Тип |
Предельные параметры |
RТ п-с, °C/Вт | |||||||||||||||||
Параметры при T = 25°C | |||||||||||||||||||
Iкmax, мА |
Iк и max, мА |
Uкэ0гр, В |
Uкб0max, В |
Uэб0 max, В |
Pкmax, мВт |
T, °C |
Tпmax, °C |
Tmax, °C |
h21э |
Uкэ, В |
Iэ, мА |
Uкэ нас, В |
Iкб0, мкА |
fгр, МГц |
Cк, пФ |
Cэ, пФ |
| ||
КТ503А |
150 |
350 |
25 |
40 |
5 |
350 |
25 |
125 |
85 |
40...120 |
5 |
10 |
0,6 |
1 |
5 |
20 |
30 |
214 | |
КТ503Б |
150 |
350 |
25 |
40 |
5 |
350 |
25 |
125 |
85 |
80...240 |
5 |
10 |
0,6 |
1 |
5 |
20 |
30 |
214 | |
КТ503В |
150 |
350 |
40 |
60 |
5 |
350 |
25 |
125 |
85 |
40...120 |
5 |
10 |
0,6 |
1 |
5 |
20 |
30 |
214 | |
КТ503Г |
150 |
350 |
40 |
60 |
5 |
350 |
25 |
125 |
85 |
80...240 |
5 |
10 |
0,6 |
1 |
5 |
20 |
30 |
214 | |
КТ503Д |
150 |
350 |
60 |
80 |
5 |
350 |
25 |
125 |
85 |
40...120 |
5 |
10 |
0,6 |
1 |
5 |
20 |
30 |
214 | |
КТ503Е |
150 |
350 |
80 |
100 |
5 |
350 |
25 |
125 |
85 |
40...120 |
5 |
10 |
0,6 |
1 |
5 |
20 |
30 |
214 |
Паспортные данные транзисторов КТ814 p-n-p проводимости Таблица 5
Тип |
Предельные параметры |
RТ п-к, °C/Вт | ||||||||||||||||
Параметры при T = 25°C | ||||||||||||||||||
Iк, max, А |
Iк и, max, А |
Uкэ0гр, В |
Uэб0max, В |
Pкmax, Вт |
Tк, °C |
Tпmax, °C |
Tкmax, °C |
h21э |
Uкб, В |
Iэ, А |
Uкэ нас, В |
Iкб0, мА |
fгр, МГц |
Cк, пФ |
Cэ, пФ |
| ||
КТ814А |
1,5 |
3 |
25 |
5 |
10 |
25 |
125 |
100 |
40 |
2 |
0,15 |
0,6 |
0,05 |
3 |
60 |
75 |
10 | |
КТ814Б |
1,5 |
3 |
40 |
5 |
10 |
25 |
125 |
100 |
40 |
2 |
0,15 |
0,6 |
0,05 |
3 |
60 |
75 |
10 | |
КТ814В |
1,5 |
3 |
60 |
5 |
10 |
25 |
125 |
100 |
40 |
2 |
0,15 |
0,6 |
0,05 |
3 |
60 |
75 |
10 | |
КТ814Г |
1,5 |
3 |
80 |
5 |
10 |
25 |
125 |
100 |
30 |
2 |
0,15 |
0,6 |
0,05 |
3 |
60 |
75 |
10 |
Паспортные данные транзисторов КТ815 n-p-nпроводимости Таблица 6
Тип |
Предельные параметры |
RТ п-к, °C/Вт | ||||||||||||||||
Параметры при T = 25°C | ||||||||||||||||||
IК, max, А |
IК и, max, А |
UКЭ0 гр, В |
UЭБ0 max, В |
PК max, Вт |
TК, °C |
Tпmax, °C |
TК max, °C |
h21Э |
UКЭ, В |
IК, А |
UКЭ нас, В |
IКБ0, мА |
fгр, МГц |
CК, пФ |
CЭ, пФ |
| ||
КТ815А |
1,5 |
3 |
25 |
5 |
10 |
25 |
125 |
100 |
40 |
2 |
0,15 |
0,6 |
0,05 |
3 |
60 |
75 |
10 | |
КТ815Б |
1,5 |
3 |
40 |
5 |
10 |
25 |
125 |
100 |
40 |
2 |
0,15 |
0,6 |
0,05 |
3 |
60 |
75 |
10 | |
КТ815В |
1,5 |
3 |
60 |
5 |
10 |
25 |
125 |
100 |
40 |
2 |
0,15 |
0,6 |
0,05 |
3 |
60 |
75 |
10 | |
КТ815Г |
1,5 |
3 |
80 |
5 |
10 |
25 |
125 |
100 |
30 |
2 |
0,15 |
0,6 |
0,05 |
3 |
60 |
75 |
10 |
Паспортные данные транзисторов КТ816 p-n-р проводимости Таблица 7
Тип |
Предельные параметры |
RТ п-к, °C/Вт | ||||||||||||||||
Параметры при T = 25°C | ||||||||||||||||||
Iк, max, А |
Iк и, max, А |
Uкэ0 гр, В |
Uэб0 max, В |
Pкmax, Вт |
Tк, °C |
Tпmax, °C |
Tкmax, °C |
h21Э |
Uкб, В |
Iк, А |
Uкэ нас, В |
Iкбо, мА |
fгр, МГц |
Cк, пФ |
Cэ, пФ |
| ||
КТ816А |
3 |
6 |
25 |
5 |
25 |
25 |
125 |
100 |
25 |
2 |
2 |
0,6 |
0,1 |
3 |
60 |
115 |
5 | |
КТ816Б |
3 |
6 |
45 |
5 |
25 |
25 |
125 |
100 |
25 |
2 |
2 |
0,6 |
0,1 |
3 |
60 |
115 |
5 | |
КТ816В |
3 |
6 |
60 |
5 |
25 |
25 |
125 |
100 |
25 |
2 |
2 |
0,6 |
0,1 |
3 |
60 |
115 |
5 | |
КТ816Г |
3 |
6 |
80 |
5 |
25 |
25 |
125 |
100 |
25 |
2 |
2 |
0,6 |
0,1 |
3 |
60 |
115 |
5 |
Паспортные данные транзисторов КТ817 n-p-nпроводимости Таблица 8
Тип |
Предельные параметры |
RТ п-к, °C/Вт | ||||||||||||||||
Параметры при T = 25°C | ||||||||||||||||||
Iк, max, А |
Iк и, max, А |
Uкэ0 гр, В |
Uэб0 max, В |
Pкmax, Вт |
Tк, °C |
Tпmax, °C |
Tкmax, °C |
h21Э |
Uкб, В |
Iк, А |
Uкэ нас, В |
Iкбо, мА |
fгр, МГц |
Cк, пФ |
Cэ, пФ |
| ||
КТ817А |
3 |
5 |
25 |
5 |
25 |
25 |
150 |
100 |
25 |
2 |
1 |
0,6 |
0,1 |
3 |
60 |
115 |
5 | |
КТ817Б |
3 |
5 |
45 |
5 |
25 |
25 |
150 |
100 |
25 |
2 |
1 |
0,6 |
0,1 |
3 |
60 |
115 |
5 | |
КТ817В |
3 |
5 |
60 |
5 |
25 |
25 |
150 |
100 |
25 |
2 |
1 |
0,6 |
0,1 |
3 |
60 |
115 |
5 | |
КТ817Г |
3 |
5 |
80 |
5 |
25 |
25 |
150 |
100 |
25 |
2 |
1 |
0,6 |
0,1 |
3 |
60 |
115 |
5 |
Паспортные данные транзисторов КТ818, 2Т818 p-n-p проводимости Таблица 9
Тип |
Предельные параметры |
RТ п-к, °C/Вт | ||||||||||||||||||
Параметры при T = 25°C | ||||||||||||||||||||
Iк, max, А |
Iк и, max, А |
Uкэ0гр, В |
Uкб0max, В |
Uэб0max, В |
Pкmax, Вт |
Tк, °C |
Tпmax, °C |
Tкmax, °C |
h21э |
Uкэ(Uкб),В |
Iк(Iэ), А |
Uкэ нас, В |
Iкб0, мА |
fгр, МГц |
Cк, пФ |
Cэ, пФ |
tвыкл, мкс |
| ||
КТ818А |
10 |
15 |
25 |
|
5 |
60 |
25 |
125 |
100 |
15 |
(5) |
5 |
2 |
1 |
3 |
1000 |
|
2,5 |
1,67 | |
КТ818Б |
10 |
15 |
40 |
|
5 |
60 |
25 |
125 |
100 |
20 |
(5) |
5 |
2 |
1 |
3 |
1000 |
|
2,5 |
1,67 | |
КТ818В |
10 |
15 |
60 |
|
5 |
60 |
25 |
125 |
100 |
15 |
(5) |
5 |
2 |
1 |
3 |
1000 |
|
2,5 |
1,67 | |
КТ818Г |
10 |
15 |
80 |
|
5 |
60 |
25 |
125 |
100 |
12 |
(5) |
5 |
2 |
1 |
3 |
1000 |
|
2,5 |
1,67 | |
КТ818АМ |
15 |
20 |
25 |
|
5 |
100 |
25 |
125 |
100 |
20 |
5 |
5 |
1 |
|
3 |
1000 |
|
2,5 |
1 | |
КТ818БМ |
15 |
20 |
40 |
|
5 |
100 |
25 |
125 |
100 |
20 |
5 |
5 |
1 |
|
3 |
1000 |
|
2,5 |
1 | |
КТ818ВМ |
15 |
20 |
60 |
|
5 |
100 |
25 |
125 |
100 |
20 |
5 |
5 |
1 |
|
3 |
1000 |
|
2,5 |
1 | |
КТ818ГМ |
15 |
20 |
80 |
|
5 |
100 |
25 |
125 |
100 |
20 |
5 |
5 |
1 |
|
3 |
1000 |
|
2,5 |
1 | |
2Т818А |
15 |
20 |
80 |
100 |
5 |
100 |
25 |
150 |
125 |
20 |
(5) |
(5) |
1 |
|
3 |
1000 |
|
2,5 |
1,25 | |
2Т818Б |
15 |
20 |
60 |
80 |
5 |
100 |
25 |
150 |
125 |
20 |
(5) |
(5) |
1 |
|
3 |
1000 |
|
2,5 |
1,25 | |
2Т818В |
15 |
20 |
40 |
60 |
5 |
100 |
25 |
150 |
125 |
20 |
(5) |
(5) |
1 |
|
3 |
1000 |
|
2,5 |
1,25 | |
2Т818А2 |
15 |
20 |
80 |
100 |
5 |
40 |
25 |
150 |
100 |
20 |
(5) |
(5) |
1 |
|
3 |
1000 |
2000 |
1,2 |
3,13 | |
2Т818Б2 |
15 |
20 |
60 |
80 |
5 |
40 |
25 |
150 |
100 |
20 |
(5) |
(5) |
1 |
|
3 |
1000 |
2000 |
1,2 |
3,13 | |
2Т818В2 |
15 |
20 |
40 |
60 |
5 |
40 |
25 |
150 |
100 |
20 |
(5) |
(5) |
1 |
|
3 |
1000 |
2000 |
1,2 |
3,13 |
Паспортные данные транзисторов КТ819, 2Т819 n-p-nпроводимости Таблица 10
Тип |
Предельные параметры |
RТ п-к, °C/Вт | ||||||||||||||||||
Параметры при T = 25°C | ||||||||||||||||||||
Iк, max, А |
Iк и, max, А |
Uкэ0гр, В |
Uкб0max, В |
Uэб0max, В |
Pкmax, Вт |
Tк, °C |
Tпmax, °C |
Tкmax, °C |
h21э |
Uкэ(Uкб),В |
Iк(Iэ), А |
Uкэ нас, В |
Iкб0, мА |
fгр, МГц |
Cк, пФ |
Cэ, пФ |
tвыкл, мкс |
| ||
КТ819А |
10 |
15 |
25 |
|
5 |
60 |
25 |
125 |
100 |
15 |
(5) |
5 |
2 |
1 |
3 |
1000 |
|
2,5 |
1,67 | |
КТ819Б |
10 |
15 |
40 |
|
5 |
60 |
25 |
125 |
100 |
20 |
(5) |
5 |
2 |
1 |
3 |
1000 |
|
2,5 |
1,67 | |
КТ819В |
10 |
15 |
60 |
|
5 |
60 |
25 |
125 |
100 |
15 |
(5) |
5 |
2 |
1 |
3 |
1000 |
|
2,5 |
1,67 | |
КТ819Г |
10 |
15 |
80 |
|
5 |
60 |
25 |
125 |
100 |
12 |
(5) |
5 |
2 |
1 |
3 |
1000 |
|
2,5 |
1,67 | |
КТ819АМ |
15 |
20 |
25 |
|
5 |
100 |
25 |
125 |
100 |
15 |
5 |
5 |
2 |
1 |
3 |
1000 |
|
2,5 |
1 | |
КТ819БМ |
15 |
20 |
40 |
|
5 |
100 |
25 |
125 |
100 |
20 |
5 |
5 |
2 |
1 |
3 |
1000 |
|
2,5 |
1 | |
КТ819ВМ |
15 |
20 |
60 |
|
5 |
100 |
25 |
125 |
100 |
15 |
5 |
5 |
2 |
1 |
3 |
1000 |
|
2,5 |
1 | |
КТ819ГМ |
15 |
20 |
80 |
|
5 |
100 |
25 |
125 |
100 |
12 |
5 |
5 |
2 |
1 |
3 |
1000 |
|
2,5 |
1 | |
2Т819А |
15 |
20 |
80 |
100 |
5 |
100 |
25 |
150 |
125 |
20 |
(5) |
5 |
1 |
|
3 |
1000 |
|
2,5 |
1,25 | |
2Т819Б |
15 |
20 |
60 |
80 |
5 |
100 |
25 |
150 |
125 |
20 |
(5) |
5 |
1 |
|
3 |
1000 |
|
2,5 |
1,25 | |
2Т819В |
15 |
20 |
40 |
60 |
5 |
100 |
25 |
150 |
125 |
20 |
(5) |
5 |
1 |
|
3 |
1000 |
|
2,5 |
1,25 | |
2Т819А2 |
15 |
20 |
80 |
100 |
5 |
40 |
25 |
150 |
100 |
20 |
(5) |
(5) |
1 |
|
3 |
700 |
2000 |
1,2 |
3,13 | |
2Т819Б2 |
15 |
20 |
60 |
80 |
5 |
40 |
25 |
150 |
100 |
20 |
(5) |
(5) |
1 |
|
3 |
700 |
2000 |
1,2 |
3,13 | |
2Т819В2 |
15 |
20 |
40 |
60 |
5 |
40 |
25 |
150 |
100 |
20 |
(5) |
(5) |
1 |
|
3 |
700 |
2000 |
1,2 |
3,13 |
Рис. 11. Семейство статических входных и выходных ВАХ транзисторов КТ814, КТ815
Рис. 12. Семейство статических входных и выходных ВАХ транзисторов КТ816
Рис. 13. Семейство статических входных и выходных ВАХ транзисторов КТ817
Рис. 14. Семейство статических входных и выходных ВАХ транзисторов КТ818
Рис. 15. Семейство статических входных и выходных ВАХ транзисторов КТ819
Паспортные данные других типов транзисторов Таблица 11
Тип |
Ikmax, A |
Iк и max, A |
Uкэо, В |
Uкбоmax, В |
Uэбоmax, В |
Ркmax, Вт |
при Тк(Т),С |
Тпmax, С |
Ткmax, С |
h21 |
Проводимость |
при Uкэ(Uкб),В |
при Iк(Iэ), мА |
Uкэ нас, В |
Iкбо, мА |
fгр,МГц |
Ск, пф |
tвыкл, мкс |
Rп-к, С\Вт |
2T825В |
20 |
40 |
45 |
|
5 |
160 |
25 |
175 |
125 |
750 |
p-n-p |
10 |
10 |
2 |
|
4 |
600 |
4,5 |
1,2 |
2Т825А |
20 |
40 |
80 |
|
5 |
160 |
25 |
175 |
125 |
500...18000 |
p-n-p |
10 |
10 |
2 |
|
4 |
600 |
4,5 |
1,2 |
2Т825А2 |
15 |
40 |
80 |
100 |
5 |
30 |
25 |
150 |
100 |
500...18000 |
p-n-p |
10 |
10 |
2 |
|
4 |
250 |
|
4,17 |
КТ3108В |
200 |
|
45 |
45 |
5 |
300 |
25 |
150 |
125 |
100...300 |
p-n-p |
1 |
10 |
0,25 |
0,2 |
300 |
5 |
0,18 |
500 |
2Т827Б |
20 |
40 |
80 |
80 |
5 |
125 |
25 |
200 |
125 |
750...18000 |
n-p-n |
3 |
10 |
2 |
3 |
4 |
400 |
6 |
1,4...10,9 |
КТ973А |
4 |
|
60 |
60 |
5 |
8 |
|
150 |
85 |
750 |
p-n-p |
3 |
|
1,5 |
1 |
200 |
|
0,2 |
15,6 |
КТ973Б |
4 |
|
45 |
45 |
5 |
8 |
|
150 |
85 |
750 |
p-n-p |
3 |
|
1,5 |
1 |
200 |
|
0,2 |
15,6 |
КТ3102Г |
10 |
|
15 |
15 |
4 |
|
100 |
35 |
85 |
200...800 |
n-p-n |
3,5 |
5 |
1 |
|
|
|
|
|
КТ342В |
50 |
300 |
10 |
|
5 |
250 |
25 |
150 |
125 |
100...1000 |
n-p-n |
5 |
1 |
0,1 |
0,05 |
300 |
8 |
|
500 |
КТ3102 Е |
100 |
200 |
50 |
50 |
5 |
250 |
25 |
125 |
85 |
400...1000 |
n-p-n |
5 |
2 |
|
0,015 |
6 |
|
|
400 |
КТ3107К |
100 |
200 |
25 |
30 |
5 |
300 |
25 |
150 |
125 |
380...800 |
p-n-p |
5 |
2 |
0,5 |
0,1 |
200 |
7 |
|
420 |
KT812B |
8 |
12 |
350 |
|
7 |
50 |
50 |
|
85 |
10...125 |
n-p-n |
5 |
|
2,5 |
2^ |
5 |
3,5 |
(1,3) |
<14 |
KT814A |
15 |
3 |
25 |
|
5 |
10 |
25 |
125 |
100 |
40 |
p-n-p |
(2) |
0,15 |
0,6 |
0,05 |
3 |
60 |
|
10 |
КТ814Б |
15 |
3 |
40 |
|
5 |
10 |
25 |
125 |
100 |
40 |
p-n-p |
(2) |
0,15 |
0,6 |
0,05 |
3 |
60 |
|
10 |
KT814B |
15 |
3 |
60 |
|
5 |
10 |
25 |
125 |
100 |
40 |
p-n-p |
(2) |
0,15 |
0/5 |
0,05 |
3 |
60 |
|
10 |
КТ814Г |
15 |
3 |
80 |
|
5 |
10 |
25 |
125 |
100 |
30 |
p-n-p |
(2) |
0,15 |
0/5 |
0,05 |
3 |
60 |
|
10 |
KT815A |
1,5 |
3 |
25 |
|
5 |
10 |
25 |
|
100 |
40 |
n-p-n |
2 |
|
1 |
0/5 |
0,05 |
3 |
|
10 |
КТ815Б |
1,5 |
3 |
40 |
|
5 |
10 |
25 |
|
100 |
40 |
n-p-n |
2 |
|
1 |
0/5 |
0,05 |
3 |
|
10 |
KT815B |
1,5 |
3 |
60 |
|
5 |
10 |
25 |
|
100 |
40 |
n-p-n |
2 |
|
1 |
0/5 |
0,05 |
3 |
|
10 |
KT816A2 |
3 |
6 |
(25) |
40 |
5 |
25 |
|
150 |
|
200 |
p-n-p |
1 |
0,03 |
0/5 |
|
3 |
60 |
|
|
КТ817Б2 |
3 |
6 |
15 |
15 |
5 |
25 |
|
|
|
100 |
n-p-n |
15 |
|
3 |
0,12 |
|
3 |
|
|
КТ817Г2 |
3 |
6 |
90 |
100 |
5 |
25 |
|
|
|
100 |
n-p-n |
100 |
|
3 |
12 |
|
3 |
|
|
Паспортные данные стабилитронов Таблица 12
Тип |
Uст ном, В приIст |
Pmax, мВт |
Значения параметров при Т=25°С, Iпрном |
Предельные значения параметров при Т=25°С |
Тk max,°С | ||||||
Uстmin,В |
Uстmax,В |
rст,Ом |
αст,·10 -2, %/°С | ||||||||
Iст min, мА |
Iст max, мА | ||||||||||
КС107А |
0,7(10) |
125 |
0,63 |
0,77 |
7 |
-34 |
1 |
100 |
125 | ||
КС106А |
3,2(0,25) |
2 |
2,9 |
3,5 |
500 |
-13 |
0,01 |
0,5 |
70 | ||
КС133А |
3,3(10) |
300 |
2,97 |
3,68 |
65 |
-11 |
3 |
81 |
125 | ||
КС147А |
4,7(10) |
300 |
4,23 |
5,17 |
56 |
-9 |
3 |
58 |
125 | ||
КС156А |
5,6(10) |
300 |
5,04 |
6,16 |
46 |
±5 |
3 |
55 |
125 | ||
КС168А |
6,8(10) |
300 |
6,12 |
7,48 |
7 |
±6 |
3 |
45 |
125 | ||
КС175Ж |
7,5(4) |
125 |
7,1 |
7,9 |
40 |
7 |
0,5 |
17 |
125 | ||
2С112А |
7,5(5) |
150 |
6,82 |
8,21 |
16 |
±4 |
3 |
18 |
125 | ||
КС182А |
8,2(5) |
150 |
7,6 |
8,8 |
14 |
4 |
3 |
17 |
100 | ||
КС191Ж |
9,1(4) |
125 |
8,6 |
9,6 |
40 |
9 |
0,5 |
14 |
125 | ||
2С210А |
10,0(0,5) |
125 |
9,0 |
10,5 |
15 |
9 |
3 |
11 |
125 | ||
2С212В |
12,0(5) |
150 |
10,94 |
13,1 |
24 |
7,5 |
3 |
12 |
125 | ||
КС515А |
15,0(5) |
1000 |
13,5 |
16,5 |
25 |
10 |
1 |
53 |
125 | ||
КС216Ж |
15,0(2) |
125 |
15,2 |
16,8 |
70 |
10 |
0,5 |
7,8 |
125 | ||
КС518А |
18,0(5) |
1000 |
16,2 |
19,8 |
25 |
10 |
1 |
45 |
125 | ||
Д815Ж |
18,0(500) |
8000 |
16,2 |
19,8 |
3 |
11 |
25 |
550 |
130 | ||
Д816А |
22,0(150) |
5000 |
19,6 |
24,2 |
7 |
12 |
10 |
230 |
130 | ||
КС224Ж |
24,0(2) |
150 |
22,8 |
25,2 |
70 |
10 |
0,5 |
5,2 |
125 | ||
КС527А |
27,0(5) |
1000 |
24,3 |
29,7 |
40 |
10 |
1 |
30 |
125 | ||
Д816Б |
27,0(150) |
5000 |
24,2 |
29,5 |
8 |
12 |
10 |
180 |
130 | ||
КС533А |
33,0(10) |
640 |
30 |
36 |
40 |
10 |
3 |
17 |
125 | ||
Д816В |
33,0(150) |
5000 |
29,5 |
36,0 |
10 |
12 |
10 |
150 |
130 | ||
КС551А |
51,0(1,5) |
1000 |
48,0 |
54,0 |
200 |
12 |
1 |
14,6 |
125 | ||
Д817Б |
68,0(50) |
5000 |
61,0 |
75,0 |
40 |
14 |
5 |
75 |
130 |
Паспортные данные транзисторов КТ827, КТ825 Таблица 13
Тип |
Iк max, мА |
Uкэо,В |
Uкбоmax,В |
Pmax, Вт |
Тп max,°С |
h21 |
Uкбо,В |
Iэ,А |
Uкбэ нас,В |
Iкбо, мкА |
fгр,МГц |
tвкл, мкс |
tвыкл, мкс |
RTп-с, 0С/Вт |
КТ827А |
20 |
100 |
100 |
125 |
200 |
750...18000 |
3 |
10 |
2 |
3000 |
4 |
1 |
6 |
1,4..10,9 |
КТ827Б |
20 |
80 |
80 |
125 |
200 |
750…18000 |
3 |
10 |
2 |
3000 |
4 |
1 |
6 |
1,4..10,9 |
КТ827В |
20 |
60 |
60 |
125 |
200 |
750...18000 |
3 |
10 |
2 |
3000 |
4 |
1 |
6 |
1,4..10,9 |
КТ825Г |
20 |
70 |
|
125 |
150 |
750 |
10 |
10 |
2 |
|
4 |
1 |
15 |
1 |
КТ825Д |
20 |
15 |
|
125 |
150 |
750 |
10 |
10 |
2 |
|
4 |
1 |
15 |
1 |
КТ825Е |
20 |
25 |
|
125 |
150 |
750 |
10 |
10 |
2 |
|
4 |
1 |
15 |
1 |
Рис. 16. Схемы составных транзисторов КТ827, КТ825
Рис.17.Вольт-амперные характеристики транзисторов КТ827, КТ825
Приложение 2
Числовые значения рядов резисторов и конденсаторов Таблица 14
ЕЗ |
Е6 |
Е12 |
Е24 |
ЕЗ |
Е6 |
E12 |
Е24 |
ЕЗ |
Е6 |
Е12 |
Е24 |
ЕЗ |
Е6 |
Е12 |
Е24 |
1 |
1 |
1 |
1 |
|
|
1,8 |
1,8 |
|
3,3 |
3,3 |
3,3 |
|
|
5,6 |
5,6 |
|
|
|
1,1 |
|
|
|
2 |
|
|
|
3,6 |
|
|
|
6,2 |
|
|
1,2 |
1,2 |
2,2 |
2,2 |
2,2 |
2,2 |
|
|
3,9 |
3,9 |
|
6,8 |
6,8 |
6,8 |
|
|
|
1,3 |
|
|
|
2,4 |
|
|
|
4,3 |
|
|
|
7,5 |
|
1,5 |
1,5 |
1,5 |
4.7 |
|
2,7 |
2,7 |
4,7 |
4,7 |
4,7 |
4,7 |
|
|
8,2 |
8,2 |
|
|
|
1,6 |
|
|
|
3 |
|
|
|
5,1 |
|
|
|
9,1 |
Типы и характеристики постоянных резисторов Таблица 15
Тип |
Мощность, Вт |
Сопротивление, Ом – МОм(М) |
Тип |
Мощность, Вт |
Сопротивление, Ом- кОм (к)-МОм (М) |
МЛТ, ОМЛТ |
0,125 |
8,2 - 3М |
СП2-5 переменные |
0,5 |
10 - 100к |
0,25 |
8,2 - 5,1М |
1 |
10 - 100к | ||
0,5 |
1 - 5,1М |
2 |
10 - 100к | ||
1 |
1 - 10М |
СП2-6 переменные |
0,25 |
100 - 1М | |
2 |
1 - 10М |
0,5 |
100 - 2,2М | ||
С2-23 |
0,062 |
10 - 100к |
С2-33 |
0,125 |
1 - 3М |
0,125 |
24 - 2М |
0,25 |
1 - 5,1М | ||
0,25 |
2 - 3М |
0,5 |
1 - 5,1М | ||
0,5 |
24 - 5,1М |
1 |
1 - 10М | ||
1 |
1 - 10М |
2 |
1 - 10М | ||
2 |
1 - 10М |
Приложение 3
Типы и характеристикипостоянных конденсаторов Таблица 16
Тип |
Напряжение, В |
Емкость, пФ, нФ(н), мкФ (мк) |
Тип |
Напряжение, В |
Емкость, мкФ (мк) |
К10-9 |
15 |
2 - 2н 11 - 3н 27 - 3н |
К50-36 |
6 |
20мк - 5000мк |
12 |
10мк - 2000мк | ||||
25 |
5мк - 2000мк | ||||
25 |
0,82н - 15н 0,15н - 0,15мк 1н - 0,47мк |
50 |
2мк - 2000мк | ||
100 |
1мк - 200мк | ||||
К50-6 |
6 |
50мк - 5000мк | |||
КМ-6 |
50 |
0,12н - 5н 0,12н - 6н 0,18н - 6н 0,47н - 10н |
10 |
10мк - 4000мк | |
15 |
1мк - 4000мк | ||||
25 |
1мк - 4000мк | ||||
50 |
1мк - 2000мк | ||||
25 |
0,82н - 15н 15н - 0,15мк 22н - 2,2мк |
100 |
1мк - 200мк | ||
К50-20 |
6,3 |
10мк - 5000мк | |||
16 |
2мк - 2000мк | ||||
К10-52 |
25; 50 |
10 - 1н |
25 |
2мк - 1000мк | |
25; 50; 100 |
10 - 7,5н |
50 |
1мк - 2000мк | ||
К50-22
|
6,3 |
2200мк - 22000мк |
100 |
1мк - 200мк | |
10 |
1500мк - 15000мк |
К50-3А |
12 |
2мк - 5000мк | |
16 |
1000мк - 10000мк |
25 |
2мк - 1000мк | ||
25 |
680мк - 6800мк |
50 |
1мк - 200мк | ||
50 |
220мк - 2200мк |
100 |
1мк - 100мк | ||
100 |
100мк - 680мк |
Приложение 4
Рекомендуемые значения индукции, плотности тока, КПД и коэффициента заполнения окна медью
силового трансформатора
Таблица 17
Габаритная мощность |
Максимальная индукция в сердечнике, Тл |
Плотность тока, |
КПД |
К-т заполнения сердечника сталью, |
К-т заполнения окна медью, |
10 |
1,10 |
4,8 |
0,82 |
0,85-0,95* |
0,23 |
20 |
1,25 |
3,9 |
0,85 |
0,26 | |
40 |
1,35 |
3,2 |
0,87 |
0,28 | |
70 |
1,40 |
2,8 |
0,89 |
0,3 | |
100 |
1,35 |
2,5 |
0,91 |
0,31 | |
200 |
1,25 |
2,0 |
0,93 |
0,32 | |
400 |
1,15 |
1,6 |
0,95 |
0,33 | |
700 |
1,10 |
1,3 |
0,96 |
0,33 | |
1000 |
1,05 |
1,2 |
0,96 |
0,34 |
* - для трансформаторов из материала пластин толщиной не менее 0,08 мм.
Рис. 18. Вид магнитопровода трансформатора броневого типа
Магнитопроводы броневого типа
Таблица 18
Тип магнитопровода |
А, см |
В, см |
С, см |
H, см |
Qcт∙Qо |
Ш6×6,5 |
0,6 |
0,6 |
0,65 |
1,5 |
0,35 |
Ш6×8 |
0,6 |
0,6 |
0,8 |
1,5 |
0,43 |
Ш6×10 |
0,6 |
0,6 |
1 |
1,5 |
0,54 |
Ш6×12,5 |
0,6 |
0,6 |
1,25 |
1,5 |
0,68 |
Ш8×8 |
0,8 |
0,8 |
0,8 |
2 |
1,02 |
Ш8×10 |
0,8 |
0,8 |
1 |
2 |
1,28 |
Ш8×12 |
0,8 |
0,8 |
1,25 |
2 |
1,6 |
Ш8×16 |
0,8 |
0,8 |
1,6 |
2 |
2,04 |
Ш10×10 |
1 |
1 |
1 |
2,5 |
2,5 |
Ш10×12,5 |
1 |
1 |
1,25 |
2,5 |
3,12 |
Ш10×16 |
1 |
1 |
1,6 |
2,5 |
4 |
Ш10×20 |
1 |
1 |
2 |
2,5 |
5 |
Ш12×12,5 |
1,2 |
1,2 |
1,2 |
3 |
5,4 |
Ш12×16 |
1,2 |
1,2 |
1,6 |
3 |
6,9 |
Ш12×20 |
1,2 |
1,2 |
2 |
3 |
8,6 |
Ш12×25 |
1,2 |
1,2 |
2,5 |
3 |
10,8 |
Ш16×16 |
1,6 |
1,6 |
1,6 |
4 |
16,4 |
Ш16×20 |
1,6 |
1,6 |
2 |
4 |
20,6 |
Ш16×25 |
1,6 |
1,6 |
2,5 |
4 |
25,6 |
Ш16×32 |
1,6 |
1,6 |
3,2 |
4 |
32,8 |
Ш20×20 |
2 |
2 |
2 |
5 |
40 |
Ш20×25 |
2 |
2 |
2,5 |
5 |
50 |
Ш20×32 |
2 |
2 |
3,2 |
5 |
64 |
Ш20×40 |
2 |
2 |
4 |
5 |
80 |
Ш25×25 |
2,5 |
2,5 |
2,5 |
6,25 |
97 |
Ш25×32 |
2,5 |
2,5 |
3,2 |
6,25 |
125 |
Ш25×40 |
2,5 |
2,5 |
4 |
6,25 |
156 |
Ш25×50 |
2,5 |
2,5 |
5 |
6,25 |
195 |
Ш32×32 |
3,2 |
3,2 |
3,2 |
8 |
261 |
Ш32×40 |
3,2 |
3,2 |
4 |
8 |
328 |
Ш32×50 |
3,2 |
3,2 |
5 |
8 |
410 |
Ш32×64 |
3,2 |
3,2 |
6,4 |
8 |
525 |
Ш40×40 |
4 |
4 |
4 |
10 |
640 |
Ш40×50 |
4 |
4 |
5 |
10 |
800 |
Ш40×64 |
4 |
4 |
6,4 |
10 |
1020 |
Ш40×80 |
4 |
4 |
8 |
10 |
1280 |
П
Приложение 5
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ
УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ
КАЛИНИНГРАДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ
УНИВЕРСИТЕТ
КАФЕДРА АВТОМАТИЗАЦИИ ПРОИЗВОДСТВЕННЫХ ПРОЦЕССОВ
Курсовая работа Курсовая работа защищена
Допущена к защите с оценкой ______________
________________________ _______________________
Руководитель Руководитель
«___» _____________ 20____г. «___» ____________ 20____г.
КУРСОВАЯ РАБОТА
по дисциплине ЭЛЕКТРОНИКА
КР. 51. 15.03.04 4.Д. 19
Курсовая работа
Шифр кафедры
Последняя цифра года выполнения работы
Номер специальности
Форма обучения
Вариант задания
Пример записи: КР.51.15.03.04.5.Д.19
Работу выполнила
студентка гр. 12-АП
Редченко В.С.
Калининград
2014
Приложение 6
Перечень электро-радиоэлементов Таблица 19
Начало
Поз. обозн. |
Наименование |
Кол. |
Примечание |
≠ A1 |
Усилитель мощности |
|
|
|
Транзисторы |
|
|
VT1 |
КТ819В |
1 |
Устанавливается на радиаторе Sохл=400 см2 |
VT2 |
КТ814А |
1 |
|
|
|
|
|
|
Диоды |
|
|
VD1… VD3 |
КД208А |
3 |
|
|
|
|
|
|
Стабилитроны |
|
|
VD4 |
2С522А |
1 |
|
|
|
|
|
|
Конденсаторы |
|
|
C1 |
К50-15-100В-33,0 ± 20% |
1 |
|
C2, C3 |
К10-17-М47-0,01мкФ ± 10% |
2 |
|
|
Резисторы |
|
|
R1 |
С5-14В-1 0,1 Ом ± 1% |
1 |
|
R2 |
МЛТ-0,125 -1 к ± 5% |
1 |
|
|
|
|
|
≠ A2 |
Стабилизатор напряжения |
|
|
|
Микросхемы |
|
|
DA1 |
КР1408УД1 |
1 |
|
|
|
|
|
|
Транзисторы |
|
|
VT1 |
КТ3102Г |
1 |
|
|
|
|
|
|
Диоды |
|
|
VD1 |
КД208Б |
1 |
|
|
|
|
|
|
КР.51.15.03.04.4.Д.19.ПЗ |
Лист |
|
|
|
|
|
1 | |
Изм. |
Лист |
№ докум. |
Подпись |
Дата |
Таблица 19
Продолжение 1
Поз. обозн. |
Наименование |
Кол. |
Примечание |
|
Стабилитроны |
|
|
VD2 |
КС530А |
1 |
|
VD3 |
КС515А |
1 |
|
|
|
|
|
|
Конденсаторы |
|
|
C1 |
К50-15-100В-50,0 ± 20% |
1 |
|
C2, C3 |
К10-17-М47-0,01 ± 10% |
2 |
|
|
|
|
|
|
Резисторы |
|
|
R1 |
С5-14В-1-0,1 Ом ± 1% |
1 |
|
R2 |
МЛТ-0,125-1,5к ± 5% |
1 |
|
R3… R8 |
МЛТ-0,25-3к ± 5% |
6 |
|
|
|
|
|
≠ A3 |
Сглаживающий фильтр |
|
|
|
Конденсаторы |
|
|
C1 |
К50-15-100В-1000,0 ± 20% |
1 |
|
|
|
|
|
|
Дроссели |
|
|
L1 |
Д1-0,08 |
1 |
|
|
|
|
|
≠ A4 |
Выпрямитель |
|
|
|
Диоды |
|
|
VD1… VD4 |
КД208Б |
4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
КР.51.15.03.04.4.Д.19.ПЗ |
Лист |
|
|
|
|
|
2 | |
Изм. |
Лист |
№ докум. |
Подпись |
Дата |
Таблица 19
Окончание
≠ A5 |
Силовой трансформатор |
|
|
Т1 |
Ш16×25; А=1,6 см; В=1,6 см; С=2,5 см; Н=4 см |
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
КР.51.15.03.04.4.Д.19.ПЗ |
Лист |
|
|
|
|
|
3 | |
Изм. |
Лист |
№ докум. |
Подпись |
Дата |
Учебное издание
Румянцев Александр Николаевич
Шамаев Евгений Петрович