Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
El-ka_MU_KR_Rumyantsev_Shamaev_2015_11_23_Ok.docx
Скачиваний:
236
Добавлен:
11.03.2016
Размер:
1.1 Mб
Скачать

Приложения

Приложение 1

Паспортные данные транзисторов КТ3102n-p-nпроводимости Таблица 2

Тип

Uкбо и

Uкэо и, В

Iкmax(и), мА

Pкmax, Вт

h21э

Iкбо, мкА

fгр., МГц

Кш, дБ

КТ3102АМ

50

50

100(200)

0,25

100-200

≤0,05

≥150

≤10

КТ3102БМ

50

50

100(200)

0,25

200-500

≤0,05

≥150

≤10

КТ3102ВМ

30

30

100(200)

0,25

200-500

≤0,015

≥150

≤10

КТ3102ГМ

20

20

100(200)

0,25

400-1000

≤0,015

≥150

≤10

КТ3102ДМ

30

30

100(200)

0,25

200-500

≤0,015

≥150

≤4

КТ3102ЕМ

20

20

100(200)

0,25

400-1000

≤0,015

≥150

≤4

КТ3102ЖМ

20

20

100(200)

0,25

100-250

≤0,015

≥150

-

КТ3102ИМ

20

20

100(200)

0,25

200-500

≤0,05

≥150

-

КТ3102КМ

20

20

100(200)

0,25

200-500

≤0,015

≥150

-

где:

Uкбо

- максимально допустимое напряжение коллектор-база;

Uкбо и

- максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база;

Uкэо

- максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер;

Uкэо и

- максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер;

Iкmax (и)

- максимально допустимый постоянный и (импульсный) ток коллектора;

Pкmax

- максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода;

h21э

- статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером;

Iкбо

- обратный ток коллектора;

fгр

- граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером;

Кш

- коэффициент шума биполярного транзистора.

Паспортные данные транзисторов КТ502 p-n-p проводимости Таблица 3

Тип

Предельные параметры

RТ п-с, °C/Вт

Параметры при T = 25°C

Iкmax, мА

Iк и max, мА

Uкэ0гр, В

Uкб0max, В

Uэб0 max, В

Pкmax, мВт

T, °C

Tпmax, °C

Tmax, °C

h21э

Uкэ, В

Iэ, мА

Uкэ нас, В

Iкб0, мкА

fгр, МГц

Cк, пФ

Cэ, пФ

КТ502А

150

350

25

40

5

350

25

125

85

40...120

5

10

0,6

1

5

20

15

214

КТ502Б

150

350

25

40

5

350

25

125

85

80...240

5

10

0,6

1

5

20

15

214

КТ502В

150

350

40

60

5

350

25

125

85

40...120

5

10

0,6

1

5

20

15

214

КТ502Г

150

350

40

60

5

350

25

125

85

80...240

5

10

0,6

1

5

20

15

214

КТ502Д

150

350

60

80

5

350

25

125

85

40...120

5

10

0,6

1

5

20

15

214

КТ502Е

150

350

80

90

5

350

25

125

85

40...120

5

10

0,6

1

5

20

15

214

Паспортные данные транзисторов КТ503 n-p-nпроводимости Таблица 4

Тип

Предельные параметры

RТ п-с, °C/Вт

Параметры при T = 25°C

Iкmax, мА

Iк и max, мА

Uкэ0гр, В

Uкб0max, В

Uэб0 max, В

Pкmax, мВт

T, °C

Tпmax, °C

Tmax, °C

h21э

Uкэ, В

Iэ, мА

Uкэ нас, В

Iкб0, мкА

fгр, МГц

Cк, пФ

Cэ, пФ

КТ503А

150

350

25

40

5

350

25

125

85

40...120

5

10

0,6

1

5

20

30

214

КТ503Б

150

350

25

40

5

350

25

125

85

80...240

5

10

0,6

1

5

20

30

214

КТ503В

150

350

40

60

5

350

25

125

85

40...120

5

10

0,6

1

5

20

30

214

КТ503Г

150

350

40

60

5

350

25

125

85

80...240

5

10

0,6

1

5

20

30

214

КТ503Д

150

350

60

80

5

350

25

125

85

40...120

5

10

0,6

1

5

20

30

214

КТ503Е

150

350

80

100

5

350

25

125

85

40...120

5

10

0,6

1

5

20

30

214

Паспортные данные транзисторов КТ814 p-n-p проводимости Таблица 5

Тип

Предельные параметры

RТ п-к, °C/Вт

Параметры при T = 25°C

Iк, max, А

Iк и, max, А

Uкэ0гр, В

Uэб0max, В

Pкmax, Вт

Tк, °C

Tпmax, °C

Tкmax, °C

h21э

Uкб, В

Iэ, А

Uкэ нас, В

Iкб0, мА

fгр, МГц

Cк, пФ

Cэ, пФ

КТ814А

1,5

3

25

5

10

25

125

100

40

2

0,15

0,6

0,05

3

60

75

10

КТ814Б

1,5

3

40

5

10

25

125

100

40

2

0,15

0,6

0,05

3

60

75

10

КТ814В

1,5

3

60

5

10

25

125

100

40

2

0,15

0,6

0,05

3

60

75

10

КТ814Г

1,5

3

80

5

10

25

125

100

30

2

0,15

0,6

0,05

3

60

75

10

Паспортные данные транзисторов КТ815 n-p-nпроводимости Таблица 6

Тип

Предельные параметры

RТ п-к, °C/Вт

Параметры при T = 25°C

IК, max, А

IК и, max, А

UКЭ0 гр, В

UЭБ0 max, В

PК max, Вт

TК, °C

Tпmax, °C

TК max, °C

h21Э

UКЭ, В

IК, А

UКЭ нас, В

IКБ0, мА

fгр, МГц

CК, пФ

CЭ, пФ

КТ815А

1,5

3

25

5

10

25

125

100

40

2

0,15

0,6

0,05

3

60

75

10

КТ815Б

1,5

3

40

5

10

25

125

100

40

2

0,15

0,6

0,05

3

60

75

10

КТ815В

1,5

3

60

5

10

25

125

100

40

2

0,15

0,6

0,05

3

60

75

10

КТ815Г

1,5

3

80

5

10

25

125

100

30

2

0,15

0,6

0,05

3

60

75

10

Паспортные данные транзисторов КТ816 p-n-р проводимости Таблица 7

Тип

Предельные параметры

RТ п-к, °C/Вт

Параметры при T = 25°C

Iк, max, А

Iк и, max, А

Uкэ0 гр, В

Uэб0 max, В

Pкmax, Вт

Tк, °C

Tпmax, °C

Tкmax, °C

h21Э

Uкб, В

Iк, А

Uкэ нас, В

Iкбо, мА

fгр, МГц

Cк, пФ

Cэ, пФ

КТ816А

3

6

25

5

25

25

125

100

25

2

2

0,6

0,1

3

60

115

5

КТ816Б

3

6

45

5

25

25

125

100

25

2

2

0,6

0,1

3

60

115

5

КТ816В

3

6

60

5

25

25

125

100

25

2

2

0,6

0,1

3

60

115

5

КТ816Г

3

6

80

5

25

25

125

100

25

2

2

0,6

0,1

3

60

115

5

Паспортные данные транзисторов КТ817 n-p-nпроводимости Таблица 8

Тип

Предельные параметры

RТ п-к, °C/Вт

Параметры при T = 25°C

Iк, max, А

Iк и, max, А

Uкэ0 гр, В

Uэб0 max, В

Pкmax, Вт

Tк, °C

Tпmax, °C

Tкmax, °C

h21Э

Uкб, В

Iк, А

Uкэ нас, В

Iкбо, мА

fгр, МГц

Cк, пФ

Cэ, пФ

КТ817А

3

5

25

5

25

25

150

100

25

2

1

0,6

0,1

3

60

115

5

КТ817Б

3

5

45

5

25

25

150

100

25

2

1

0,6

0,1

3

60

115

5

КТ817В

3

5

60

5

25

25

150

100

25

2

1

0,6

0,1

3

60

115

5

КТ817Г

3

5

80

5

25

25

150

100

25

2

1

0,6

0,1

3

60

115

5

Паспортные данные транзисторов КТ818, 2Т818 p-n-p проводимости Таблица 9

Тип

Предельные параметры

RТ п-к, °C/Вт

Параметры при T = 25°C

Iк, max, А

Iк и, max, А

Uкэ0гр, В

Uкб0max, В

Uэб0max, В

Pкmax, Вт

Tк, °C

Tпmax, °C

Tкmax, °C

h21э

Uкэ(Uкб),В

Iк(Iэ), А

Uкэ нас, В

Iкб0, мА

fгр, МГц

Cк, пФ

Cэ, пФ

tвыкл, мкс

КТ818А

10

15

25

5

60

25

125

100

15

(5)

5

2

1

3

1000

2,5

1,67

КТ818Б

10

15

40

5

60

25

125

100

20

(5)

5

2

1

3

1000

2,5

1,67

КТ818В

10

15

60

5

60

25

125

100

15

(5)

5

2

1

3

1000

2,5

1,67

КТ818Г

10

15

80

5

60

25

125

100

12

(5)

5

2

1

3

1000

2,5

1,67

КТ818АМ

15

20

25

5

100

25

125

100

20

5

5

1

3

1000

2,5

1

КТ818БМ

15

20

40

5

100

25

125

100

20

5

5

1

3

1000

2,5

1

КТ818ВМ

15

20

60

5

100

25

125

100

20

5

5

1

3

1000

2,5

1

КТ818ГМ

15

20

80

5

100

25

125

100

20

5

5

1

3

1000

2,5

1

2Т818А

15

20

80

100

5

100

25

150

125

20

(5)

(5)

1

3

1000

2,5

1,25

2Т818Б

15

20

60

80

5

100

25

150

125

20

(5)

(5)

1

3

1000

2,5

1,25

2Т818В

15

20

40

60

5

100

25

150

125

20

(5)

(5)

1

3

1000

2,5

1,25

2Т818А2

15

20

80

100

5

40

25

150

100

20

(5)

(5)

1

3

1000

2000

1,2

3,13

2Т818Б2

15

20

60

80

5

40

25

150

100

20

(5)

(5)

1

3

1000

2000

1,2

3,13

2Т818В2

15

20

40

60

5

40

25

150

100

20

(5)

(5)

1

3

1000

2000

1,2

3,13

Паспортные данные транзисторов КТ819, 2Т819 n-p-nпроводимости Таблица 10

Тип

Предельные параметры

RТ п-к, °C/Вт

Параметры при T = 25°C

Iк, max, А

Iк и, max, А

Uкэ0гр, В

Uкб0max, В

Uэб0max, В

Pкmax, Вт

Tк, °C

Tпmax, °C

Tкmax, °C

h21э

Uкэ(Uкб),В

Iк(Iэ), А

Uкэ нас, В

Iкб0, мА

fгр, МГц

Cк, пФ

Cэ, пФ

tвыкл, мкс

КТ819А

10

15

25

5

60

25

125

100

15

(5)

5

2

1

3

1000

2,5

1,67

КТ819Б

10

15

40

5

60

25

125

100

20

(5)

5

2

1

3

1000

2,5

1,67

КТ819В

10

15

60

5

60

25

125

100

15

(5)

5

2

1

3

1000

2,5

1,67

КТ819Г

10

15

80

5

60

25

125

100

12

(5)

5

2

1

3

1000

2,5

1,67

КТ819АМ

15

20

25

5

100

25

125

100

15

5

5

2

1

3

1000

2,5

1

КТ819БМ

15

20

40

5

100

25

125

100

20

5

5

2

1

3

1000

2,5

1

КТ819ВМ

15

20

60

5

100

25

125

100

15

5

5

2

1

3

1000

2,5

1

КТ819ГМ

15

20

80

5

100

25

125

100

12

5

5

2

1

3

1000

2,5

1

2Т819А

15

20

80

100

5

100

25

150

125

20

(5)

5

1

3

1000

2,5

1,25

2Т819Б

15

20

60

80

5

100

25

150

125

20

(5)

5

1

3

1000

2,5

1,25

2Т819В

15

20

40

60

5

100

25

150

125

20

(5)

5

1

3

1000

2,5

1,25

2Т819А2

15

20

80

100

5

40

25

150

100

20

(5)

(5)

1

3

700

2000

1,2

3,13

2Т819Б2

15

20

60

80

5

40

25

150

100

20

(5)

(5)

1

3

700

2000

1,2

3,13

2Т819В2

15

20

40

60

5

40

25

150

100

20

(5)

(5)

1

3

700

2000

1,2

3,13

Рис. 11. Семейство статических входных и выходных ВАХ транзисторов КТ814, КТ815

Рис. 12. Семейство статических входных и выходных ВАХ транзисторов КТ816

Рис. 13. Семейство статических входных и выходных ВАХ транзисторов КТ817

Рис. 14. Семейство статических входных и выходных ВАХ транзисторов КТ818

Рис. 15. Семейство статических входных и выходных ВАХ транзисторов КТ819

Паспортные данные других типов транзисторов Таблица 11

Тип

Ikmax, A

Iк и max, A

Uкэо, В

Uкбоmax, В

Uэбоmax, В

Ркmax, Вт

при Тк(Т),С

Тпmax, С

Ткmax, С

h21

Проводимость

при Uкэ(Uкб),В

при Iк(Iэ), мА

Uкэ нас, В

Iкбо, мА

fгр,МГц

Ск, пф

tвыкл, мкс

Rп-к, С\Вт

2T825В

20

40

45

5

160

25

175

125

750

p-n-p

10

10

2

4

600

4,5

1,2

2Т825А

20

40

80

5

160

25

175

125

500...18000

p-n-p

10

10

2

4

600

4,5

1,2

2Т825А2

15

40

80

100

5

30

25

150

100

500...18000

p-n-p

10

10

2

4

250

4,17

КТ3108В

200

45

45

5

300

25

150

125

100...300

p-n-p

1

10

0,25

0,2

300

5

0,18

500

2Т827Б

20

40

80

80

5

125

25

200

125

750...18000

n-p-n

3

10

2

3

4

400

6

1,4...10,9

КТ973А

4

60

60

5

8

150

85

750

p-n-p

3

1,5

1

200

0,2

15,6

КТ973Б

4

45

45

5

8

150

85

750

p-n-p

3

1,5

1

200

0,2

15,6

КТ3102Г

10

15

15

4

100

35

85

200...800

n-p-n

3,5

5

1

КТ342В

50

300

10

5

250

25

150

125

100...1000

n-p-n

5

1

0,1

0,05

300

8

500

КТ3102 Е

100

200

50

50

5

250

25

125

85

400...1000

n-p-n

5

2

0,015

6

400

КТ3107К

100

200

25

30

5

300

25

150

125

380...800

p-n-p

5

2

0,5

0,1

200

7

420

KT812B

8

12

350

7

50

50

85

10...125

n-p-n

5

2,5

2^

5

3,5

(1,3)

<14

KT814A

15

3

25

5

10

25

125

100

40

p-n-p

(2)

0,15

0,6

0,05

3

60

10

КТ814Б

15

3

40

5

10

25

125

100

40

p-n-p

(2)

0,15

0,6

0,05

3

60

10

KT814B

15

3

60

5

10

25

125

100

40

p-n-p

(2)

0,15

0/5

0,05

3

60

10

КТ814Г

15

3

80

5

10

25

125

100

30

p-n-p

(2)

0,15

0/5

0,05

3

60

10

KT815A

1,5

3

25

5

10

25

100

40

n-p-n

2

1

0/5

0,05

3

10

КТ815Б

1,5

3

40

5

10

25

100

40

n-p-n

2

1

0/5

0,05

3

10

KT815B

1,5

3

60

5

10

25

100

40

n-p-n

2

1

0/5

0,05

3

10

KT816A2

3

6

(25)

40

5

25

150

200

p-n-p

1

0,03

0/5

3

60

КТ817Б2

3

6

15

15

5

25

100

n-p-n

15

3

0,12

3

КТ817Г2

3

6

90

100

5

25

100

n-p-n

100

3

12

3

Паспортные данные стабилитронов Таблица 12

Тип

Uст ном, В приIст

Pmax, мВт

Значения параметров при Т=25°С, Iпрном

Предельные значения параметров при Т=25°С

Тk max,°С

Uстmin,В

Uстmax,В

rст,Ом

αст,·10 -2,

%/°С

Iст min, мА

Iст max, мА

КС107А

0,7(10)

125

0,63

0,77

7

-34

1

100

125

КС106А

3,2(0,25)

2

2,9

3,5

500

-13

0,01

0,5

70

КС133А

3,3(10)

300

2,97

3,68

65

-11

3

81

125

КС147А

4,7(10)

300

4,23

5,17

56

-9

3

58

125

КС156А

5,6(10)

300

5,04

6,16

46

±5

3

55

125

КС168А

6,8(10)

300

6,12

7,48

7

±6

3

45

125

КС175Ж

7,5(4)

125

7,1

7,9

40

7

0,5

17

125

2С112А

7,5(5)

150

6,82

8,21

16

±4

3

18

125

КС182А

8,2(5)

150

7,6

8,8

14

4

3

17

100

КС191Ж

9,1(4)

125

8,6

9,6

40

9

0,5

14

125

2С210А

10,0(0,5)

125

9,0

10,5

15

9

3

11

125

2С212В

12,0(5)

150

10,94

13,1

24

7,5

3

12

125

КС515А

15,0(5)

1000

13,5

16,5

25

10

1

53

125

КС216Ж

15,0(2)

125

15,2

16,8

70

10

0,5

7,8

125

КС518А

18,0(5)

1000

16,2

19,8

25

10

1

45

125

Д815Ж

18,0(500)

8000

16,2

19,8

3

11

25

550

130

Д816А

22,0(150)

5000

19,6

24,2

7

12

10

230

130

КС224Ж

24,0(2)

150

22,8

25,2

70

10

0,5

5,2

125

КС527А

27,0(5)

1000

24,3

29,7

40

10

1

30

125

Д816Б

27,0(150)

5000

24,2

29,5

8

12

10

180

130

КС533А

33,0(10)

640

30

36

40

10

3

17

125

Д816В

33,0(150)

5000

29,5

36,0

10

12

10

150

130

КС551А

51,0(1,5)

1000

48,0

54,0

200

12

1

14,6

125

Д817Б

68,0(50)

5000

61,0

75,0

40

14

5

75

130

Паспортные данные транзисторов КТ827, КТ825 Таблица 13

Тип

Iк max, мА

Uкэо,В

Uкбоmax,В

Pmax, Вт

Тп max,°С

h21

Uкбо,В

Iэ

Uкбэ нас,В

Iкбо, мкА

fгр,МГц

tвкл, мкс

tвыкл, мкс

RTп-с, 0С/Вт

КТ827А

20

100

100

125

200

750...18000

3

10

2

3000

4

1

6

1,4..10,9

КТ827Б

20

80

80

125

200

750…18000

3

10

2

3000

4

1

6

1,4..10,9

КТ827В

20

60

60

125

200

750...18000

3

10

2

3000

4

1

6

1,4..10,9

КТ825Г

20

70

125

150

750

10

10

2

4

1

15

1

КТ825Д

20

15

125

150

750

10

10

2

4

1

15

1

КТ825Е

20

25

125

150

750

10

10

2

4

1

15

1

Рис. 16. Схемы составных транзисторов КТ827, КТ825

Рис.17.Вольт-амперные характеристики транзисторов КТ827, КТ825

Приложение 2

Числовые значения рядов резисторов и конденсаторов Таблица 14

ЕЗ

Е6

Е12

Е24

ЕЗ

Е6

E12

Е24

ЕЗ

Е6

Е12

Е24

ЕЗ

Е6

Е12

Е24

1

1

1

1

 

1,8

1,8

3,3

3,3

3,3

5,6

5,6

 

 

 

1,1

 

2

3,6

6,2

 

 

1,2

1,2

2,2 

2,2

2,2

2,2

3,9

3,9

6,8

6,8

6,8

 

 

 

1,3

 

2,4

4,3

7,5

 

1,5

1,5

1,5

4.7

2,7

2,7

4,7

4,7

4,7

4,7

8,2

8,2

 

 

1,6

 

3

5,1

9,1

Типы и характеристики постоянных резисторов Таблица 15

Тип

Мощность, Вт

Сопротивление,

Ом – МОм(М)

Тип

Мощность, Вт

Сопротивление, Ом- кОм (к)-МОм (М)

МЛТ, ОМЛТ

0,125

8,2 - 3М

СП2-5 переменные

0,5

10 - 100к

0,25

8,2 - 5,1М

1

10 - 100к

0,5

1 - 5,1М

2

10 - 100к

1

1 - 10М

СП2-6 переменные

0,25

100 - 1М

2

1 - 10М

0,5

100 - 2,2М

С2-23

0,062

10 - 100к

С2-33

0,125

1 - 3М

0,125

24 - 2М

0,25

1 - 5,1М

0,25

2 - 3М

0,5

1 - 5,1М

0,5

24 - 5,1М

1

1 - 10М

1

1 - 10М

2

1 - 10М

2

1 - 10М

Приложение 3

Типы и характеристикипостоянных конденсаторов Таблица 16

Тип

Напряжение, В

Емкость, пФ, нФ(н), мкФ (мк)

Тип

Напряжение, В

Емкость, мкФ (мк)

К10-9

15

2 - 2н

11 - 3н

27 - 3н

К50-36

6

20мк - 5000мк

12

10мк - 2000мк

25

5мк - 2000мк

25

0,82н - 15н

0,15н - 0,15мк

1н - 0,47мк

50

2мк - 2000мк

100

1мк - 200мк

К50-6

6

50мк - 5000мк

КМ-6

50

0,12н - 5н

0,12н - 6н

0,18н - 6н

0,47н - 10н

10

10мк - 4000мк

15

1мк - 4000мк

25

1мк - 4000мк

50

1мк - 2000мк

25

0,82н - 15н

15н - 0,15мк

22н - 2,2мк

100

1мк - 200мк

К50-20

6,3

10мк - 5000мк

16

2мк - 2000мк

К10-52

25; 50

10 - 1н

25

2мк - 1000мк

25; 50; 100

10 - 7,5н

50

1мк - 2000мк

К50-22

6,3

2200мк - 22000мк

100

1мк - 200мк

10

1500мк - 15000мк

К50-3А

12

2мк - 5000мк

16

1000мк - 10000мк

25

2мк - 1000мк

25

680мк - 6800мк

50

1мк - 200мк

50

220мк - 2200мк

100

1мк - 100мк

100

100мк - 680мк

Приложение 4

Рекомендуемые значения индукции, плотности тока, КПД и коэффициента заполнения окна медью

силового трансформатора

Таблица 17

Габаритная мощность

Максимальная индукция в сердечнике, Тл

Плотность тока,

КПД

К-т заполнения сердечника сталью,

К-т заполнения окна медью,

10

1,10

4,8

0,82

0,85-0,95*

0,23

20

1,25

3,9

0,85

0,26

40

1,35

3,2

0,87

0,28

70

1,40

2,8

0,89

0,3

100

1,35

2,5

0,91

0,31

200

1,25

2,0

0,93

0,32

400

1,15

1,6

0,95

0,33

700

1,10

1,3

0,96

0,33

1000

1,05

1,2

0,96

0,34

* - для трансформаторов из материала пластин толщиной не менее 0,08 мм.

Рис. 18. Вид магнитопровода трансформатора броневого типа

Магнитопроводы броневого типа

Таблица 18

Тип магнитопровода

А, см

В, см

С, см

H, см

Qcт∙Qо

Ш6×6,5

0,6

0,6

0,65

1,5

0,35

Ш6×8

0,6

0,6

0,8

1,5

0,43

Ш6×10

0,6

0,6

1

1,5

0,54

Ш6×12,5

0,6

0,6

1,25

1,5

0,68

Ш8×8

0,8

0,8

0,8

2

1,02

Ш8×10

0,8

0,8

1

2

1,28

Ш8×12

0,8

0,8

1,25

2

1,6

Ш8×16

0,8

0,8

1,6

2

2,04

Ш10×10

1

1

1

2,5

2,5

Ш10×12,5

1

1

1,25

2,5

3,12

Ш10×16

1

1

1,6

2,5

4

Ш10×20

1

1

2

2,5

5

Ш12×12,5

1,2

1,2

1,2

3

5,4

Ш12×16

1,2

1,2

1,6

3

6,9

Ш12×20

1,2

1,2

2

3

8,6

Ш12×25

1,2

1,2

2,5

3

10,8

Ш16×16

1,6

1,6

1,6

4

16,4

Ш16×20

1,6

1,6

2

4

20,6

Ш16×25

1,6

1,6

2,5

4

25,6

Ш16×32

1,6

1,6

3,2

4

32,8

Ш20×20

2

2

2

5

40

Ш20×25

2

2

2,5

5

50

Ш20×32

2

2

3,2

5

64

Ш20×40

2

2

4

5

80

Ш25×25

2,5

2,5

2,5

6,25

97

Ш25×32

2,5

2,5

3,2

6,25

125

Ш25×40

2,5

2,5

4

6,25

156

Ш25×50

2,5

2,5

5

6,25

195

Ш32×32

3,2

3,2

3,2

8

261

Ш32×40

3,2

3,2

4

8

328

Ш32×50

3,2

3,2

5

8

410

Ш32×64

3,2

3,2

6,4

8

525

Ш40×40

4

4

4

10

640

Ш40×50

4

4

5

10

800

Ш40×64

4

4

6,4

10

1020

Ш40×80

4

4

8

10

1280

П

Приложение 5

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ

УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

КАЛИНИНГРАДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ

УНИВЕРСИТЕТ

КАФЕДРА АВТОМАТИЗАЦИИ ПРОИЗВОДСТВЕННЫХ ПРОЦЕССОВ

Курсовая работа Курсовая работа защищена

Допущена к защите с оценкой ______________

________________________ _______________________

Руководитель Руководитель

«___» _____________ 20____г. «___» ____________ 20____г.

КУРСОВАЯ РАБОТА

по дисциплине ЭЛЕКТРОНИКА

КР. 51. 15.03.04 4.Д. 19

Курсовая работа

Шифр кафедры

Последняя цифра года выполнения работы

Номер специальности

Форма обучения

Вариант задания

Пример записи: КР.51.15.03.04.5.Д.19

Работу выполнила

студентка гр. 12-АП

Редченко В.С.

Калининград

2014

Приложение 6

Перечень электро-радиоэлементов Таблица 19

Начало

Поз.

обозн.

Наименование

Кол.

Примечание

A1

Усилитель мощности

Транзисторы

VT1

КТ819В

1

Устанавливается на радиаторе

Sохл=400 см2

VT2

КТ814А

1

Диоды

VD1… VD3

КД208А

3

Стабилитроны

VD4

2С522А

1

Конденсаторы

C1

К50-15-100В-33,0 ± 20%

1

C2, C3

К10-17-М47-0,01мкФ ± 10%

2

Резисторы

R1

С5-14В-1 0,1 Ом ± 1%

1

R2

МЛТ-0,125 -1 к ± 5%

1

A2

Стабилизатор напряжения

Микросхемы

DA1

КР1408УД1

1

Транзисторы

VT1

КТ3102Г

1

Диоды

VD1

КД208Б

1

КР.51.15.03.04.4.Д.19.ПЗ

Лист

1

Изм.

Лист

докум.

Подпись

Дата

Таблица 19

Продолжение 1

Поз.

обозн.

Наименование

Кол.

Примечание

Стабилитроны

VD2

КС530А

1

VD3

КС515А

1

Конденсаторы

C1

К50-15-100В-50,0 ± 20%

1

C2, C3

К10-17-М47-0,01 ± 10%

2

Резисторы

R1

С5-14В-1-0,1 Ом ± 1%

1

R2

МЛТ-0,125-1,5к ± 5%

1

R3… R8

МЛТ-0,25-3к ± 5%

6

A3

Сглаживающий фильтр

Конденсаторы

C1

К50-15-100В-1000,0 ± 20%

1

Дроссели

L1

Д1-0,08

1

A4

Выпрямитель

Диоды

VD1… VD4

КД208Б

4

КР.51.15.03.04.4.Д.19.ПЗ

Лист

2

Изм.

Лист

докум.

Подпись

Дата

Таблица 19

Окончание

A5

Силовой трансформатор

Т1

Ш16×25; А=1,6 см; В=1,6 см; С=2,5 см;

Н=4 см

1

КР.51.15.03.04.4.Д.19.ПЗ

Лист

3

Изм.

Лист

докум.

Подпись

Дата

Учебное издание

Румянцев Александр Николаевич

Шамаев Евгений Петрович

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]