- •1. Общая характеристика микроэлектроники .
- •2. Основные направления развития микроэлектроники
- •3. Современная микроэлектроника и перспективы ее развития
- •1.Термическое вакуумноенапыление.
- •3) Метод
- •4) Метод
- •8.Изложите физические основы процесса диффузии
- •9. Опишите законы диффузии
- •Второй закон Фика
- •10. Опишите распределение примеси при диффузии из источника бесконечной мощности
- •11. Приведите пример распределения примеси при диффузии из источника ограниченной мощности
- •12. Перечислите физические основы метода ионного легирования
- •13. Поясните распределение концентрации примесей в ионно-легированных слоях
- •14. Приведите физические основы процессов эпитаксии
- •Механизм формирования слоев
- •Силановый метод
- •4. Методы удаления загрязнений.
- •2. Трудно воспроизводимы глубокие легированные области;
- •3. Сложное оборудование;
- •Силановый метод
- •22. Приведите примеры классификации полупроводниковых имс по конструктивно-технологическому исполнению
- •23. Поясните этапы формирования структуры имс по планарно-эпитаксиальной технологии
- •Транзисторы с барьером Шоттки
- •Имс на мдп структуре
- •26. Объясните сущность метода очистки поверхности полупроводниковых пластин и понятия «технологически чистая поверхность»
- •27. Приведите примеры методов получения тонких пленок в микроэлектронной технологии
- •28. Приведите примеры методов литографии с высоким разрешением
- •29 Билет
- •30 Билет
- •35 Билет
- •36. Поясните структуру имс по epic-технологии
- •37. Проанализируйте последовательность изготовления биполярных имс методом локальной эпитаксии
- •38. Проанализируйте требования, предъявляемые к контактным системам для интегральных микросхем
- •39. Сравните достоинства и недостатки однослойных и многослойных контактных систем
- •40. Поясните методы формирования омических контактов и контактных систем
- •41. Проанализируйте дефекты контактных систем и методы их контроля
- •42. Опишите конструктивно-технологические особенности мдп имс
- •43. Поясните особенности изготовления тонкооксидных р-канальных мдп имс.
- •44.Проанализируйте технологию изготовления структур мдп имс с фиксированными затворами.
- •45.Приведите пример изготовления мдп имс с металлическими затворами с помощью ионной имплантации.
- •46.Проанализируйте технологию изготовления структур кмдп имс.
- •47.Сравните методы улучшения качества мдп имс.
- •48.Приведите пример расчета однородности пленок при напылении.
- •49.Проанализируйте понятия наноэлектроника и нанотехнологии
- •50. Опишите особенности физических процессов в квантово-размерных структурах
- •51. Проанализируйте условия наблюдения квантовых размерных эффектов
- •52. Сравните квантовые нити и квантовые точки
- •53 Проанализируйте физические и технические основы работы растровых электронных микроскопов
- •54.Проанализируйте методы формирование квантовых точек
- •55 Проанализируйте принцип действия атомно-силового микроскопа
38. Проанализируйте требования, предъявляемые к контактным системам для интегральных микросхем
К контактам предъявляют ряд требований, от выполнения которых во многом зависят электрические и механические свойства приборов, а также их стабильность и которые могут быть сформулированы следующим образом. контакт не должен быть выпрямляющим. Его сопротивление не должно меняться при изменении полярности;
контактные системы должны иметь линейную ВАХ;
системы должны обладать малым сопротивлением в направлении, перпендикулярном плоскости p-nперехода, так и в параллельном направлении;
обладать высокой теплопроводностью и хорошей адгезией к полупроводнику и оксиду.
Представлять стабильную металлическую систему;
Иметь температурный коэф близкий к p-nпереходу
Увеличение сопротивления контакта приводит к ухудшению выпрямительных и усилительных свойств приборов.
Если контакт окажется инжектирующим, это приведет к увеличению обратного тока прибора.
39. Сравните достоинства и недостатки однослойных и многослойных контактных систем
Однослойные(алюминий):
- при температуре больше 400⁰С начинает вступать в нежелательные реакции;
- подвергается электродиффузии;
- используется в ограниченном промежутке частот: до 1ГГц;
+обладает высокой проводимостью;
+хорошая адгезия;
+ хорошо поддается фотолитографической обработке;
+ при комнатной температуре не взаимодействует с кремнием и оксидом кремния;
Многослойные(в таком виде применяется металл. Обеспечивающий малую глубину проникновения контакта в полупроводник, титан)\
+ обладает высокой стойкостью к коррозии;
+ высокое сопротивление;
+ является адгезионным;
+ используется для получения высокой точности;
- окисляется на воздухе
40. Поясните методы формирования омических контактов и контактных систем
Под омическим контактом понимают контакт металл — полупроводник, обладающий линейной вольт-амперной характеристикой, в котором не происходит инжекции неосновных носителей.
Омическими контактами обеспечивается каждый полупроводниковый прибор или ИМС для осуществления электрической связи между их элементами и внешней цепью.
Омические контакты обычно изготовляют сплавлением, электрохимическим или химическим осаждением, вакуумным испарением, методом термокомпрессии или с помощью ультразвука.
Процесс получения омических контактов сплавлением заключается в следующем.
В электрохимическом процессе создание омических контактов происходит за счет осаждения на катоде металла при пропускании между электродами тока, вызывающего восстановление соли в электролитической ванне.
Химическое и электрохимическое осаждение применяют главным образом для нанесения никелевых и золотых контактов.
При получении контакта в процессе химического осаждения восстановление металла из соли на поверхности полупроводника осуществляют с помощью восстанавливающего реагента, содержащегося в растворе.
С развитием планарной технологии для изготовления омических контактов начали применять вакуумное нанесение.
Для уменьшения сопротивления контакта обычно на кремний n-типа электропроводности наносят пленку из золота.
Контакт тонкой металлической проволоки к металлической пленке, нанесенной на поверхность полупроводника (или непосредственно к поверхности полупроводника), может быть получен методами термокомпрессии или ультразвуковой сварки