- •1. Общая характеристика микроэлектроники .
- •2. Основные направления развития микроэлектроники
- •3. Современная микроэлектроника и перспективы ее развития
- •1.Термическое вакуумноенапыление.
- •3) Метод
- •4) Метод
- •8.Изложите физические основы процесса диффузии
- •9. Опишите законы диффузии
- •Второй закон Фика
- •10. Опишите распределение примеси при диффузии из источника бесконечной мощности
- •11. Приведите пример распределения примеси при диффузии из источника ограниченной мощности
- •12. Перечислите физические основы метода ионного легирования
- •13. Поясните распределение концентрации примесей в ионно-легированных слоях
- •14. Приведите физические основы процессов эпитаксии
- •Механизм формирования слоев
- •Силановый метод
- •4. Методы удаления загрязнений.
- •2. Трудно воспроизводимы глубокие легированные области;
- •3. Сложное оборудование;
- •Силановый метод
- •22. Приведите примеры классификации полупроводниковых имс по конструктивно-технологическому исполнению
- •23. Поясните этапы формирования структуры имс по планарно-эпитаксиальной технологии
- •Транзисторы с барьером Шоттки
- •Имс на мдп структуре
- •26. Объясните сущность метода очистки поверхности полупроводниковых пластин и понятия «технологически чистая поверхность»
- •27. Приведите примеры методов получения тонких пленок в микроэлектронной технологии
- •28. Приведите примеры методов литографии с высоким разрешением
- •29 Билет
- •30 Билет
- •35 Билет
- •36. Поясните структуру имс по epic-технологии
- •37. Проанализируйте последовательность изготовления биполярных имс методом локальной эпитаксии
- •38. Проанализируйте требования, предъявляемые к контактным системам для интегральных микросхем
- •39. Сравните достоинства и недостатки однослойных и многослойных контактных систем
- •40. Поясните методы формирования омических контактов и контактных систем
- •41. Проанализируйте дефекты контактных систем и методы их контроля
- •42. Опишите конструктивно-технологические особенности мдп имс
- •43. Поясните особенности изготовления тонкооксидных р-канальных мдп имс.
- •44.Проанализируйте технологию изготовления структур мдп имс с фиксированными затворами.
- •45.Приведите пример изготовления мдп имс с металлическими затворами с помощью ионной имплантации.
- •46.Проанализируйте технологию изготовления структур кмдп имс.
- •47.Сравните методы улучшения качества мдп имс.
- •48.Приведите пример расчета однородности пленок при напылении.
- •49.Проанализируйте понятия наноэлектроника и нанотехнологии
- •50. Опишите особенности физических процессов в квантово-размерных структурах
- •51. Проанализируйте условия наблюдения квантовых размерных эффектов
- •52. Сравните квантовые нити и квантовые точки
- •53 Проанализируйте физические и технические основы работы растровых электронных микроскопов
- •54.Проанализируйте методы формирование квантовых точек
- •55 Проанализируйте принцип действия атомно-силового микроскопа
35 Билет
Приведите пример использования метода «Полипланар»
Рис. 1.10. Технология вертикального анизотропного травления с заполнением канавок поликристаллическим кремнием Si* («полипланар»): а – локальная диффузия акцепторной примеси: б – формирование SiO2и локальное анизотропное травление; в – защита SiO2– Si3N4-слоем; г – заращивание V-канавок поликристаллическим кремнием; д – формирование элементов ИМ
36. Поясните структуру имс по epic-технологии
Эпитаксия это процесс наращивания слоев с упорядоченной кристаллической структурой путем реализации ориентирующего действия подложки.
Ориентировочно выращенные слои нового вещества, закономерно продолжающие кристаллическою решетку подложки, называются эпитаксиальными слоями.
Основная особенность процесса эпитаксии по сравнению с диффузией заключается в том, что слои и локальные области с противоположным типом проводимости или с отличной по сравнению с полупроводниковой пластиной концентрацией примеси представляют собой новые образования над исходной поверхностью.
Эпитаксиальные слои можно выращивать в вакууме, из парогазовой и жидкой фаз. С точки зрения соотношения материалов полупроводниковых пластин или подложек и слоя, а также свойств полученных структур эпитаксию разделяют на два основных вида.
Автоэпитаксия – процесс ориентированного нарас-тания кристаллического вещества, очень незначительно отличающегося по химическому составу от вещества подложки.
Гетероэпитаксия – процесс ориентированного нараста-ния вещества, отличающегося по химическому составу от вещества подложки.
Эпитаксиальные структуры
Для производства интегральных микросхем выпускаются полупроводниковые кремниевые заготовки – структуры четырех видов: однослойные, многослойные, со скрытыми слоями и гетероэпитаксиальные. По аналогии с обозначением кремния в марках эпитаксиальных структур имеются следующие обозначения: К – кремний; D, Э – дырочный и электронный типы проводимости соответственно; Б, С, М, Ф – легирующие элементы (бор, сурьма, мышьяк, фосфор).
Однослойные эпитаксиальные структуры изготавливаются на кремниевых монокристаллических пластинах n-типа проводимости в процессе наращивания автоэпитаксиального слоя p-типа.
Эпитаксиальные структуры со скрытыми слоями изготавливаются на пластинах Si p-типа проводимости с локальными участками низкоомного n+-кремния путем наращивания автоэпитаксиального слоя n-типа проводимости, легированного фосфором.
Многослойные эпитаксиальные структуры изготавливаются в процессе автоэпитаксиального наращивания слоев разных типов проводимости с двух сторон кремние-вой монокристаллической пластины p-типа их маркировка аналогична маркировке однослойных структур, но содержит три уровня: для верхнего слоя, пластины и нижнего слоя.
Гетероэпитаксиальные структуры изготавливаются путем гетероэпитаксиального наращивания монокристалллического кремниевого слоя n- и p-типа проводимостей на монокристаллической подложке
37. Проанализируйте последовательность изготовления биполярных имс методом локальной эпитаксии
Пример:
1-пластина кремния
3-окисел кремния
С тетради: