Имс на мдп структуре

Конструкция ИМС на МДП-транзисторах представ­ляет собой кремниевую пластину с электропроводностью n- или p-типа, в которой по планарной технологии создают МДП-структуры, объединенные между собой согласно элект­рической схеме с помощью металлических проводников, напыленных на поверхность защитного слоя из двуокиси кремния. Наиболее распространены МДП-структуры с изо­лированным затвором, в которых диэлектриком служит двуокись кремния. Особенностью конструкции МДП-ИМС является использование толь­ко МОП-структур (МОП-тран­зисторы служат в качестве активных и пассивных эле­ментов), отсутствие изоляции между отдельными структу­рами, применение для внут­рисхемных соединений как металлизированных пленоч­ных проводников, так и высоколегированных диффузи­онных областей.

Получили распространение ИМС на МДП-транзисторах с инду­цированными каналами n- и р-типов, а также ИМС на МДП-транзисторах с кана­лами взаимодополняющих типов электропроводности (КМДП-ИМС), конструкции которых показаны на рис. 3.6, а, б. Повышение плот­ности упаковки МДП-ИМС и их быстродействия достигается при использовании в ка­честве основного элемента МОП-транзисторов с малой дли­ной канала, размещенного в V-образных углублениях, по­лучаемых анизотропным травлением кремния (V-МОП- транзисторов). ИМС на основе V-МОП-транзисторов (рис. 3.6, в) являются наиболее перспективными среди МДП-ИМС высокой степени интеграции.

Следует отметить, что конструкция МДП-ИМС обеспе­чивает большие плотность элементов и функциональную плотность, чем конструкция ИМС на биполярных транзисто­рах. Это объясняется следующим: площадь, занимаемая МОП-транзистором на кристалле, на два порядка меньше площади под биполярный транзистор; при использовании МДП-структур не требуется изоляция между элемента ми; для биполярного транзистора требуются три контакта металл — кремний, в то время как для МДП-транзистора — только два.

26. Объясните сущность метода очистки поверхности полупроводниковых пластин и понятия «технологически чистая поверхность»

Независимо от вида пластин, используемых в качестве исходного материала для изготовления микросхем, их поверхности подвергают тщательной очистке. Качеству очистки поверхности пластин придают большое значение, поскольку надежность и электрические характеристики ИМС во многом определяются состоянием их поверхности. Кроме того, в ИМС высокой степени интеграции, где общий размер элементов может быть меньше размеров пылинки, влияние загрязнений стало особо опасным.

Применяют три основных метода очистки — удаления загрязнений с поверхности пластин: растворение, химическую реакцию, превращающую загрязнения в растворимые продукты, которые затем могут быть смыты, механическую очистку и удаление частиц загрязнителя потоком жидкости или газа. На практике наиболее эффективной считается очистка, которая сочетает некоторые или все эти методы. Поэтому существует множество модификаций и комбинаций основных методов очистки. Выбор метода очистки определяется видом загрязнений, их влиянием на последующую технологическую операцию и свойства элементов микросхем, методом гарантированного контроля.

Наибольшее применение в технологии микросхем получила очистка, включающая промывку в деионизованной или дистиллированной воде, ультразвуковую промывку в растворителях, кипячение в растворителях, травление кислотами, обработку ионной бомбардировкой и в тлеющем разряде.

Необходимо отметить, что очистку поверхности пластин производят перед каждой операцией формирования микроэлектронных структур